SiCF的热解碳涂层的制备

以C3H6为源气体，N2为稀释气，在800℃～1200℃温度范围内，SiC纤维上进行了热解碳的沉积。研究了沉积温度、系统压力和PN√Pc。对热解碳沉积速率和沉积层形貌的影响。结果表明：在沉积温度低于900℃，系统总压小于1KPa条件下，沉积速率低，难以进行热解碳的沉积。随着沉积温度、系统压力升高，沉积速率升高，沉积层形貌发生改变。过低的PN2／PC3H6导致不均匀的热解碳沉积形貌，局部有碳颗粒的生成。沉积温度为1000℃、系统总压10KPa左右、PN，／Pc，H．为2：1的条件下可获得均匀致密的热解碳沉积层。反应热力学和动力学条件随工艺参数的改变而改变，这是热解碳沉积层形貌改变的主要原因。     

反应磁控溅射法制备(Ti,Al)N薄膜的力学性能

以WF6和H2为原料,采用化学气相沉积法在纯铜基体上沉积出难熔金属钨涂层。分析研究了不同沉积温度(500℃,600℃,700℃)沉积层显微组织、表面形貌、表面粗糙度及相关机制。试验分析表明:随沉积温度升高,沉积速率加快,涂层组织柱状晶生长取向趋于杂乱;沉积层表面形貌发生明显改变,表面粗糙度显著增加。杂质颗粒对沉积组织有显著的影响,造成沉积表面粗糙度显著增加。     

工艺参数对电沉积纳米晶镍沉积速率的影响

采用直流电沉积方法,通过改变电流密度、沉积液温度、特殊添加剂C7H4NO3SNa·2H2O浓度,制备出纳米晶镍覆层材料,利用光学显微镜和高分辨透射电镜(HRTEM)对沉积覆层材料的组织形貌进行分析,通过对沉积层材料厚度的测量,研究不同条件下纳米品镍覆层沉积速率的变化规律.结果表明:电沉积纳米晶镍覆层材料的沉积速率随着电流密度的增加而呈现增加的趋势;随着温度的增加,先增加后下降,在60℃时最大;随着特殊添加剂浓度的增加而降低.     

CVD温度对钨沉积层组织性能的影响

以WF6和H2为反应气体,采用化学气相沉积法在纯铜基体上沉积出难熔金属钨涂层.分析研究了沉积温度对沉积层组织、结构、表面形貌及涂层致密度、硬度、耐磨性能的影响.试验结果表明:随着温度升高,沉积速率加快,涂层组织逐渐由柱状晶转变为树枝晶,表面粗糙度显著增加,膜层致密度、硬度下降,耐磨性降低.化学气相沉积钨的最佳工艺温度范围为550～650℃.     

温度对CVD-TaC涂层组成、形貌与结构的影响

利用TaCl5-C3H6-H2-Ar反应体系,用化学气相沉积法(CVD)成功地在C/C复合材料表面沉积TaC涂层及C-TaC复合涂层.研究了温度对TaC涂层的相组成和表面形貌的影响以及CVD-TaC涂层的沉积机理.结果表明:在1373～1673 K温度范围内能够在C/C复合材料表面制备碳化钽涂层,它由TaC和游离碳组成.提高沉积温度和H2/C3H6的流量比,TaC涂层中游离碳的含量减少;随着沉积温度的升高,TaC涂层的颗粒尺寸增大,均匀程度下降;在1 573 K时颗粒间出现明显的烧结界面,结构致密无裂纹.制备出成分波动的C-TaC复合涂层,该涂层与基体间具有良好的机械相容性.分析了低应力、无裂纹TaC复合涂层的形成机制.     

工艺参数对CVI-TaC沉积速率的影响

利用TaCl5-Ar-C3H6-H2反应体系,采用化学气相渗透(CVI)法在炭毡中沉积TaC,并研究了CVI工艺参数如气体流速、滞留时间、沉积温度、沉积压力和H2的加入等对碳化钽在炭毡中沉积速率(用炭毡质量分数的增加来表示)的影响。研究表明:CVI-TaC受表面反应控制的最大气体流速为40 cm/s,最小滞留时间为1.2 s;沉积速率与沉积温度之间的关系不符合Arrhenius方程,沉积速率随沉积温度的升高先增加后减小,在950℃时达到最大值;在1 000℃时,CVI过程受孔隙扩散所控制;沉积速率随沉积压力的升高以及H2的加入而急剧增加。     

引入CO2提高金刚石薄膜的沉积速率

微波等离子体法合成的金刚石薄膜质量好,但常规小型微波等离子体沉积金刚石薄膜速率低,为此,本实验在H2-CH4系统中引入CO2来提高金刚石薄膜的沉积速率.研究了不同碳源体积分数、功率、压力对沉积速率、金刚石形貌、电阻率的影响.其规律是随着碳源体积分数的增加,金刚石膜的沉积速率增加;随着压力的增加,生长速率呈现一个先增后减的趋势;随着功率的增加,也存在一个先增后降的趋势.研究结果表明碳源体积分数对沉积速率影响最大.综合各种因素,得到在H2+CH4+CO2的条件下沉积金刚石薄膜的最佳工艺条件为:碳源体积分数为0.63%;C/O=1.086;功率为490 W;压力为5.33 kPa.引入CO2使沉积速率得到提高,为常规方法沉积速率的3倍左右,表明引入CO2.是一种提高沉积速率的有效方法.     

泡沫镍制备中脉冲电沉积镍研究

研究了泡沫镍制备过程中脉冲电沉积镍工艺参数(电流密度、脉冲频率、占空比)对沉积速率、镍沉积层的晶体结构和微观形貌的影响.最佳脉冲电沉积工艺参数为:电流密度2.0 A/dm2,脉冲频率1000 Hz,占空比1∶5.此时获得的镍沉积层结构平整,粒度分布均匀,晶体结构完整.     

射流电沉积镍工艺研究

通过射流电沉积瓦特镍电解液研究了电压、电解液温度、射流速度、主盐浓度、阳极喷嘴口径对沉积电流、沉积速率、电流效率的影响.结果表明:在电压为45V,温度为50℃,阴阳极间距离为17mm,NiSO4·6H2O浓度为280g/L时,从沉积电流、沉积速率、电流效率来看,效果最好.电压的增大使得沉积电流、沉积速率、电流效率增大,当电压增大到45V后,电流效率不再增大,而是趋于平稳,到55V后,沉积层烧焦.试验还发现,电解液流速和阳极喷嘴口径越大,沉积速率、电流效率也越大.     

超声波处理聚氨酯泡沫化学镀镍优化工艺*

为研究聚氨酯泡沫化学镀镍在超声波处理条件下的最优工艺,探讨不同超声波功率对聚氨酯泡沫化学镀镍沉积速率和电阻率的影响,并在超声波频率25Hz、功率90W下设计正交试验,确定聚氨酯泡沫化学镀镍的最佳工艺条件。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和热震试验等手段分别对镀镍聚氨酯泡沫的表面形貌、晶型结构和镀层的结合力进行表征。结果表明:随着超声波功率的增大,化学镀镍的沉积速率加快,在超声波功率为90W时,沉积速率增加趋势减慢,电阻率得到最小1.3Ω.cm。通过正交试验得出:当NiSO4浓度为35g/L,NaH2PO2.H2O浓度为20g/L,Na3C6H5O7.2H2O浓度为20g/L,pH为9,温度45℃,施镀时间为40min时,工艺条件最优。在最佳工艺条件下进行施镀,聚氨酯泡沫镀层光亮、均匀、覆盖完全,导电性和结合力良好。