钛酸钡陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响

利用电容-电压关系研究了施主Nb掺杂BaTiO_3陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响,得出了样品在不同冷却速率下的晶界势垒高度和载流子浓度,其值与施主掺杂含量和样品的冷却速率相关,此结果可由在高、低施主掺杂含量下,晶粒边界处和晶粒体离子缺位的区别来解释。     

钛酸钡系陶瓷研究近况

本文报道了钛酸钡系陶瓷近几年来在粉料制备和特征、单晶、薄膜和陶瓷应用方面的进展。着重论述了微乳胶体炭化法和介质调整沉淀结合热液转化法制粉，纳米材料表征，晶体取向和晶界对性能的作用，溶胶－凝胶和热液工艺制备薄膜，施主掺杂的PTCR陶瓷和缺陷孪晶。     

用微粉制备的钛酸钡陶瓷的低温热电性

本工作研究了用微粉制备的BaTiO_3陶瓷低温时的热电性,发现它具有异常的热电响应。     

钛酸钡系PTCR半导体陶瓷界面态分析

对形成钛酸钡系半导瓷PTCR效应的界面态进行了探讨,分析了在居里点以上由于界面态和介电常数的共同作用引起的材料电阻率猛增几个数量级的原因;同时对钛酸钡系PTCR半导瓷界面态的组成进行了研究,并提出一种直接测量界面态密度的方法。     

钛酸钡半导体陶瓷的低温介电特性

在80—320K温度范围内,研究了两种组份BaTiO_3半导体陶瓷的介电特性,发现其介电常数温度曲线不再明显有反映不同铁电相变的两个介电峰,但介电常数实部和虚部的极大值位置分别与mm2—3m和4mm—mm2铁电相变的温度有关。这可能是由于其铁电相变高度弥散、mm2—3m铁电相变温度与Sr~(2-)的取代量基本无关以及4mm相出现PTCR效应的结果。     

激光烧结锆钛酸钡压电陶瓷

报道了采用激光烧结技术制备锆钛酸钡(BZT)压电陶瓷的研究。用常规方法制备了锆钛酸钡粉料，采用CO2激光直接烧结锆钛酸钡坯材，最大激光功率150 W，扫描转速1440 rad/min，烧结时间10 min;对陶瓷样品介电频谱与谐振频谱的测量显示了锆钛酸钡的压电特征;比较了传统高温炉烧结与激光烧结陶瓷样品的高温介电谱线，激光烧结陶瓷样品居里温度有所提高;测得介电常数和压电常数分别为1563 pC/N和45pC/N;X射线衍射(XRD)谱图显示(111),(002)衍射峰相对强度增强;陶瓷样品表面的显微照片显示了晶粒生长的形貌。激光烧结可以作为功能陶瓷烧结的方法之一。     

钛酸钡微晶粉粒的热刺激电流

研究了铁电微晶粉粒的热刺激电流及其铁电相变。对三种不同化学成分的钛酸钡粉料与硅油的混合物进行了热刺激电流测量。钛酸钡粉粒与硅油的混合物有很明显的热刺激电流(TSC)且表现出和铁电相变有关的明显的峰,显示出与粒径存在一定的关系;得出了样品的表观极化强度曲线。证明了当粉料与硅油混合后,用介电谱观测不到的粉料的铁电–顺电相变,用 TSC 方法可以观察到。     

钛酸钡陶瓷中添加氧化锆的核—壳结构

纯钛酸钡在居里点为130℃时,发生顺电性-强电性相变化,此时其介电系数与温度的关系曲线出现一个最高值点。氧化锆或氧化铋通常被加入钛酸钡介电陶瓷中,以便降低其居里点[1,2]。而其居里点附近的介电系数也因此呈现出对温度比较不明显的变动关系。这个介电系数与温度[3],或介电系数与频率[4]间的关联,事实上代表在居里点附近所发生的扩散式相变化。这类的扩散式相变化除了曾经在添加氧化锆[3,5]的钛酸钡中发现之外,在添加CdBi_2Nb_2O_9[6]或Bi_4Ti_3O_12[7],以及铋和Nb[8]都曾经发现过。这些加了添加剂的钛酸钡陶瓷呈现一种特殊的核-壳显微结构[3,5-8]其中是一个强电性核,外围包着一层顺电性壳。核、壳两者并     

纳米晶钛酸钡粉体制备及陶瓷烧结性能的研究

采用硬脂酸钡和钛酸丁酯为原料的凝胶方法制备了纳米晶钛酸钡粉。ＸＲＤ分析表明晶体为立方相钙钛矿结构,扫描电镜图像显示一次粒子粒径约２０ｎｍ。纳米粉体烧结温度比普通微米粉体烧结温度低,陶瓷显微结构分析表明在陶瓷中晶粒仍保持纳米尺寸,约为１００ｎｍ。所得材料具有良好的热稳定性,在１１９０～１２８０℃的烧结温度范围内,陶瓷体内晶粒无明显长大,且始终维持在纳米尺寸。     

Preparation and characterization of Si-doped barium titanate nanopowders and ceramics

Si-doped barium titanate nanopowders and ceramics were prepared through the sol-gel process. The powders and ceramics were characterized by methods of XRD, SEM and TEM. The dielectric properties of the ceramics were also determined. The results indicated that the powders were nanopowders and they were all cubic BaTiO₃ phase with the concentration of Si ?5.0 mol%. When the concentration of Si increased to 10.0 mol%, another phase of Ba₂TiSi₂O₈ appeared. After sintering, the cubic BaTiO₃ phase was transformed into tetrahedron BaTiO₃ phase. Si doping with low concentration resulted in improving grain growth and reduced dielectric loss. As the sintering temperature increased, the dielectric properties of the ceramics decreased. BaTiO₃ ceramics doped with Si all had a small peak at room temperature in ε−T cures. Specially, the ceramic doped with 0.3 mol% Si had evident double peaks, the maximum room temperature permittivity (4081) and the minimum dielectric loss (0.004).     

锆钛酸钡薄膜材料制备研究进展

综述了磁控溅射、脉冲激光沉积、sol-gel法制备锆钛酸钡(简称BZT)薄膜的研究现状,及其制备工艺参数与显微结构、介电性能的关系,提出了制备BZT薄膜材料需要解决的工艺和理论问题。     

高纯超细BaTiO_3基PTCR陶瓷

水热法合成的ＢａＴｉＯ３粉体具有超细、高纯等特点，从而能够使ＰＴＣＲ热敏电阻器的制备工艺相对简化，并有利于获得较好性能的ＰＴＣＲ电阻器。本文采用水热法合成的ＢａＴｉＯ３粉体制备ＰＴＣＲ陶瓷。研究了不同添加剂对材料性能及微观结构的影响。     

掺杂的PNL-PFS-PZT铁电陶瓷性能研究

通过对几种不同的样品压电特性、机械品质因数和介电温谱等特性的对比和分析 ,研究了Pb (Li1/4Nb3 /4 )O3 Pb (Fe1/3 Sb2 /3 )O3 PbTiO3 PbZrO3 四元系陶瓷在不同配比和掺杂下的机电性能 ,发现该系列样品具有较高的压电常数 (可达 3 4 0× 10 -12 C/N)和介电驰豫温谱。文中还对该系列陶瓷的烧成工艺进行了一定的实验和对比 ,以寻找其最佳的烧成工艺。     

Ba(Ti0.91Zr0.09)1-3x /2 MoxO3铁电陶瓷的相变弥散

采用固相反应法制备了MoO3施主掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷,借助Agilent4284A、ZT—I电滞回线和d33测量仪,研究了MoO3含量对Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷介电性能的影响。结果表明:掺杂MoO3能降低Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷的烧结温度。当x(MoO3)为0.05时,ρv达到最佳值5.682g·cm–3;tanδ最小为0.0157;εr为2510,相变温度向高温方向移动。在所研究的组分范围内,样品表现出扩散相变铁电体的特征,但未观察到典型的介电弛豫行为。     

温度对无铅换能器陶瓷BNT-7BT铁电性的影响

传统换能器材料——PZT95/5铁电陶瓷中的铅元素对环境污染大,且其电致应变(S)和压电系数(d33)较小,因此限制了换能器的输出功率。该文从保护环境和优化换能器性能的角度出发,研制出位于准同型相界处的无铅铁电陶瓷0.93Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3-0.07BaTiO_3(BNT-7BT),测试了其晶体结构和介电温谱曲线,并得到了温度对该陶瓷电滞回线及电致应变曲线的影响。实验结果表明,钙钛矿结构的无铅铁电陶瓷BNT-7BT在152℃处发生铁电→反铁电相变,且其具有较大的电致应变量(室温下S≈2.92‰)和较高的压电系数(d33=152pC/N)。     

制备工艺对BaTiO3陶瓷性能的影响

分别采用化学共沉淀法和水热法制备铁电四方相和顺电立方相ＢａＴｉＯ３粉体，然后将它们按一定比例混合，在低氧压条件下烧结成ＢａＴｉＯ３陶瓷。较详细地研究了这种ＰＴＣ效应很低的ＢａＴｉＯ３陶瓷的Ｒ－Ｔ特性、Ｉ－Ｖ特性与制备工艺的关系，并对其导电机理进行了探讨     

铌酸钠钾基无铅压电陶瓷的相结构与压电性能

采用传统固相反应合成法制备了结构致密的(1-x)Na0.5K0.5NbO3-xLiTaO3(KNNT)无铅压电陶瓷,研究了LiTaO3对Na0.5K0.5NbO3材料晶体结构和压电性能的影响。结果表明,随着LiTaO3含量的增加,材料的钙钛矿结构由斜方相向四方相转变,KNNT材料的准同型相界位于0.04 mol相似文献