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八十年代以来,微波半导体技术的迅速发展,应用领域不断扩大,为适应微波、毫米波半导体技术的发展,近年来已出现不少新结构、新器件,如异质结双极晶体管(HBT)、高电子迁移李晶体管(HEMT)、双极反型沟道场效应晶体管(BiCFET)调制掺杂场效应晶体管(MOFET)、谐振隧道晶体管(RTT)、负阻效应晶体管(NBERFET)、毫米波混合隧道雪崩渡越时间(MITATT)二极管、超导器件及量子器件等。本文主要叙述异质结双板晶体管的最新进展及其应用。 相似文献
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本文作者结合自己的工作,综述了硅异质结和赝异质结双极器件的研究进展,指出GeSi HBT将成为双极结构的主流技术,硅赝异质结器件也将在低温应用等方面显示出优势。 相似文献
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随着微波半导体技术的发展,近年来出现不少新结构、新器件。本文介绍国外异质结双极晶体管的发展,包括AlGaAs/GaAs,InP/InGaAs,GeSi等开发现状和性能参数达到的水平。 相似文献
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同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中,在高集电极--发射极电压、大电流下,由于热电正反馈,容易发生热击穿,这限制了晶体管的安全工作区域.本文报道了在大电流下,由于热电负反馈,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性,并对这一现象进行了新的解释,认为这是由于大电流下耗散功率增加,基区俄歇复合导致电流增益随温度增加而减小的结果.这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力,证明Si/SiGe/HBT适于大功率应用. 相似文献
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SiGe/Si异质结双极晶体管 总被引:2,自引:1,他引:1
介绍了SiGe/Si异质结双极晶体管的特点,自对准HBT、非自对准HBT的结构以及通过低温热循环、SPOTEL、重硼掺杂等工艺使fT从20GHz增至110GHz的方法。 相似文献
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X波段功率异质结双极晶体管 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论了 X波段功率异质结双极晶体管 (HBT)的设计 ,介绍了器件研制的工艺过程及测试结果。研制的器件在 X波段功率输出大于 5 W,功率密度达到 2 .5 W/mm。采用 76mm圆片工艺制作 ,芯片的 DC成品率高于 80 %。 相似文献
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多发射极指分段结构功率SiGe HBT的热分析 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种有效的方法—采用多发射极指分段结构来增强功率SiGe HBT的热稳定性。为了对分段结构进行精确的热分析,针对器件多层结构的特点,建立起适当的热模型,模型中充分考虑了各个部分的热阻。根据此热模型,使用有限元方法,对一个十指的分段结构功率SiGe HBT进行了热模拟。考虑到模拟的精确性及软件的功能限制,采用两步模拟法:衬底模拟和有源区模拟。通过模拟,得到了发射极指的三维温度分布。结果表明,分段结构功率HBT的最高结温和热阻都明显低于完整发射极指结构,新结构有效地提高了器件的热稳定性。 相似文献
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为了改善SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的电学特性和频率特性,设计了一种新型的SGOI SiGe HBT。在发射区引入了双轴张应变Si层。多晶Si与应变Si双层组合的发射区有利于提高器件的注入效率。利用Silvaco TCAD软件建立了二维器件结构模型,模拟了器件的工艺流程,并对器件的电学特性和频率特性进行了仿真分析。结果表明,与传统的SiGe HBT相比,新型SGOI SiGe HBT的电流增益β、特征频率fT等参数得到明显改善,在基区Ge组分均匀分布的情况下,β提高了29倍,fT提高了39.9%。 相似文献
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Si-SiGe-Si异质结双极晶体管的数字模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
郭宝增 《固体电子学研究与进展》1992,12(4):300-305
报道了Si-SiGe-Si异质结双极晶体管的数字模拟结果。采用有限差分法解半导体器件的载流子输运方程,求出各点上的载流子浓度及其电位,由此可确定器件的直流特性。器件的发射区掺杂浓度为1.4×10~(17)cm~(-3),基区掺杂浓度为7×10~(18)cm~(-3),SiGe基区中Ge摩尔含量为0.31,模拟得到的最高电流增益为390。数字模拟得到的晶体管特性曲线与实验结果符合良好。 相似文献
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杜宏霞 《固体电子学研究与进展》1988,(4)
<正> 一、引言 宽带隙发射极晶体管是Shockly于1951年提出的,70年代初发展起来的LEP,MBE和MOCVD外延技术才使这种器件得以实现,并充分体现出这种器件的优越性;同时也促进了OEIC的发展。本文对HBT直流稳态性能、频率及开关参数进行分析,对器件性能进行了优化设计。 相似文献
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苏里曼 《固体电子学研究与进展》1985,(3)
本文提出和研制了一个新型的InGaAsP/InP双极型晶体管.在单片集成电路中它能与1.55μmInGaAsP/InP双异质结激光器共容而组成一个晶体管-激光器器件.该晶体管的主要特点是采用氧化镉(CdO)薄层作为器件发射区,由InP组成收集区而形成NpN双异质结晶体管.测量结果表明晶体管能双向工作,测得的正向共发射极电流增益为40(V_(CE)=5V,Ic=1mA),反向增益为8(V_(CE)=1.5V,Ic=100μA).文中还给出了h_(fe)—I_c特性和晶体管CdO-InGaAsP发射结的伏安特性. 相似文献