过腐蚀自对准离子注入法制备SiGe HBT

用过腐蚀自对准离子注入工艺制备SiGe/Si异质结双极型晶体管,过腐蚀湿法腐蚀的横向钻蚀,为自对准离子注入提供了技术保障.对外基区的离子注入既减小了外基区的串联电阻,又有利于欧姆接触的制备,提高了器件的工艺成品率.     

过腐蚀自对准离子注入法制备SiGe HBT

用过腐蚀自对准离子注入工艺制备SiGe/Si异质结双极型晶体管，过腐蚀湿法腐蚀的横向钻蚀，为自对准离子注入提供了技术保障. 对外基区的离子注入既减小了外基区的串联电阻，又有利于欧姆接触的制备，提高了器件的工艺成品率.     

超高频多晶硅发射极晶体管的研究

本文描述了一种实现亚１００ｎｍ基区宽度的晶体管结构。加工工艺类似ＢＳＡ（硼硅玻璃自对准）技术，可实现亚１００ｎｍ的基区结深，还可解决自对准器件在横向和纵向按比例缩小时所遇到的困难。与离子注入工艺相比，这种工艺可轻易地解决诸如高剂量离子注入所产生的下列问题：二次沟道效应对基区结深减小的限制及晶格损伤。晶体管采用了多晶硅发射极，ＲＴＡ（快速热退火）用于形成晶体管的单晶发射区，为提高多晶发射区的杂质浓度     

毫米波掺碳基区AlGaAs/GaAs HBT

<正> 最近Ford微电子公司采用低压MOVPE技术以碳作为基区层掺杂剂制作了具有毫米波性能的HBT。采用重掺杂碳的基区层,既能降低基区电阻,又能维持高发射极注入效率所需的突变的受主分布。HBT所需外延层是用多片低压MOVPE系统生长的,碳掺杂源为四氯化碳,重掺杂基区的载流子浓度高达1×10~(20)cm~(-3),霍耳迁移率为65cm~2/V·s。器件用自对准技术制成,尺寸为1.5μm×8.5μm,所用工艺有:化学台面腐蚀、H_2~+离子注入隔     

高速高精度双极器件工艺

<正> 据报道松下电器产业最近发表了一种高速高精度双极晶体管的制造工艺。该工艺采用选择氧化法使发射区集电区自对准,采用由同一窗口的离子注入来形成有源基区和发射区的所谓[SMASH-1],用多晶硅进行掩埋隔离。最后制造成更高速高精度的     

采用新结构与新工艺降低SiGe HBT基区串联电阻

采用新型调制掺杂量子阱基区结构和掩埋金属自对准工艺方法,在器件的纵向结构和制备手段上同时进行改进,使超薄基区小尺寸SiGeHBT的基区横向电阻和接触电阻分别降低42%和55%以上,有效解决了基区串联电阻的问题。     

离子注入的基区工艺在集成电路大生产中的应用

本文研究了离子注入的基区工艺在集成电路大生产中的应用,对离子注入的基区氧化再扩散、中性气氛再扩散和基区CVD工艺的表面缺陷作了比较和分析。对离子注入的基区工艺,本文给出了理论与实验的工艺参数和工艺条件的关系曲线。 实验表明,基区离子注入工艺具有的工艺稳定性,均匀性,一致性和可控性均比基区 CVD工艺优越,可以有效地防止由于基区工艺参数超规范而引起的成品率下降和整批报废。     

0.5μm高速BiCMOS的工艺研究

报道了一套先进的0.5μm高速双层多晶硅自对准BiCMOS制作工艺.工艺中采用了先进的深槽隔离技术、选择性集电极注入(SIC)技术、使用自对准Si3N4/SiO2复合侧墙作为E-B结的隔离、用低能氟化硼取代硼注入基区形成超薄内基区.通过优化BiCMOS制作工艺,最终制作出了性能优良的高速BiCMOS器件.     

基于多晶外基区及SIC技术的高速NPN管设计

提出了一种先进的双多晶硅非自对准NPN管的器件结构,并实际用于一种高性能NPN管的研制.该器件结构主要通过多晶外基区减小基区电阻和基区结面积,以及使用SIC技术减小集电极电阻的方式,极大地提升了NPN管的特征频率.通过实际工艺流片验证,实现了BVCEO=5.6 V、fT=13.5 GHz的高速NPN管.该器件结构较双多晶自对准器件结构易于加工,可以广泛用于其他高速互补双极器件的研制.     

高截止频率异质结双极晶体管的研制

本文介绍了研制异质结双极晶体管(HBT)的工艺过程。使用MOCVD生长的GaAlAs/GaAs多层结构外延材料,采用离子注入隔离和湿法腐蚀技术,实现基极与发射极台面自对准工艺,研制出截止频率为22GHz的HBT。