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设计了一个新型的薄栅氧、低功耗、自恢复的电平移位栅电压控制电路. 在20V工作电压下,n沟道和p沟道LDMOS高压器件的栅源电压Vgs分别保持在±5V. 当一个选址周期结束后,电路能自动复位而不需增加任何复位器件和电路. 该电路为高低压兼容,采用标准0.5μm CMOS-LDMOS兼容工艺制造,可用于OLED显示的驱动控制. 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2020,(4)
设计了一种基于自加速技术的双向电平转换电路。通过设置自加速模块,对端口电压进行瞬态快速上拉,实现电平的快速转换。内建方向感测功能,可让器件自动控制数据传输方向。仿真结果表明,电路可实现两个电源V_L(1.2~5.5 V)与V_(CC)(1.6~5.5 V)之间任意电平的双向传输与转换(V_L≤V_(CC)),速度快,效率高。电路采用0.5μm CMOS工艺流片,实测最高工作频率可达16 Mbps。 相似文献
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双栅氧LDMOS器件刻蚀过程中极易造成多晶硅残留现象,降低了栅极和源区之间的击穿电压.改进了制备双栅氧LDMOS器件的方法,对于70 nm以下的栅氧厚度,采用保留整个厚栅氧器件区域栅氧的刻蚀方法,同时用一次多晶工艺代替二次多晶工艺,消除了多晶硅残留现象,减少了工艺步骤,提高了成品率;对于厚度大于70 nm或者100 nm的厚栅氧器件,除了以上的改进措施,还增加了一步光刻工艺,分别单独形成高压和低压器件的源漏区域.通过这些方法,解决了多晶残留问题,得到了性能更好的LDMOS器件,大大提高了成品率. 相似文献
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文章基于1.5μm厚顶层硅SOI材料,设计了用于200 V电平位移电路的高压LDMOS,包括薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS。薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS都采用多阶场板以提高器件耐压,厚栅氧pLDMOS采用场注技术形成源端补充注入,避免了器件发生背栅穿通。文中分析了漂移区长度、注入剂量和场板对器件耐压的影响。实验表明,薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS耐压分别达到344 V和340 V。采用文中设计的高压器件,成功研制出200 V高压电平位移电路。 相似文献
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在功率因数校正电路设计中,栅驱动电路需要有非常快的转换速度和低的功率消耗.为了满足这些要求,对传统的推挽输出电路做了修改,并利用结构简单的电平移位电路,设计了一款新的栅驱动电路.基于0.35μmBCD工艺,采用Hspice仿真工具,结果表明,在17V电源,4.7nF负载电容,固定开关频率65kHz的条件下,驱动脉冲2~12V上升时间25ns,12~2V的下降时间35ns,驱动模块在高压管导通和关断时的瞬时功耗分别为24.3mW和13.1mW,验证了设计的有效性. 相似文献
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一种新型低功耗准动态移位寄存器的模拟 总被引:4,自引:0,他引:4
提出一种低功耗准动态移位寄存器电路 ,这种电路静态功耗几乎为 0 ,仅仅存在动态功耗 ;是一种无比电路 ,所有的开关和反相器晶体管按最小尺寸进行设计 ,电路简单 ,面积小 ;该种电路不存在电荷的再分配 ,漏电流损失的电荷可从电源补充。采用 1 .2μm的 CMOS工艺 ,用 PSPICE8.0对该电路进行仿真验证。这种低功耗准动态移位寄存器电路已成功用作 CMOS图像传感器的读出扫描电路。 相似文献
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为了满足MHz以上频率的GaN半桥栅驱动系统的应用需求,提出了一种高速高可靠性低功耗的低FOM电平位移电路。串联可控正反馈电平位移电路通过仅在转换过程中减弱正反馈力度,实现了低传输延迟和高共模噪声抗扰能力,同时采用最小短脉冲电路设计以降低功耗。该电平位移电路基于0.5μm 80 V高压(HV)CMOS工艺进行设计与仿真验证,结果表明,电路具有960 ps的传输延时、50 V/ns的共模噪声抗扰能力和0.024 ns/(μm·V)的FOM值。 相似文献
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提出一种占空比可调的高速电平转换电路,能够将频率高达1.33 GHz的低电压域信号提升至高电压域输出。在传统电平转换电路的基础上,增加了占空比调节电路,使得电路工作在不同I/O域时,通过调整接入的PMOS管数量来间接调整控制管的宽长比,进而实现占空比可调。增加了快速响应电路,引入首尾相接的反相器组,通过正反馈功能,加速实现电平转换。基于Global Foundry 14 nm CMOS工艺进行电路设计,采用SPECTRE软件进行仿真。仿真结果表明,该电路能够实现从0.9 V核心电压到2.5 V I/O电压的稳定转换,传播延时为225 ps,占空比为49.63%。当高电压域电压变换为1.8 V后,通过占空比调节电路,使占空比仍可保持在50%左右。 相似文献
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Russian Microelectronics - A new voltage level shifter (NVLS) for low-power applications is presented. Moreover, the original method of forming a circuit with low conductivity used in the NVLS to... 相似文献
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目前,多阈值电压方法是缓解电路泄漏功耗的有效手段之一。但是,该方法会加重负偏置温度不稳定性(NBTI)效应,导致老化效应加剧,引起时序违规。通过找到电路的潜在关键路径集合,运用协同优化算法,将关键路径集合上的门替换为低阈值电压类型,实现了一种考虑功耗约束的多阈值电压方法。基于45 nm工艺模型及ISCAS85基准电路的仿真结果表明,在一定功耗约束下,该方法的时延改善率最高可达12.97%,明显优于常规多阈值电压方法。电路的规模越大,抗泄漏功耗的效果越好。 相似文献
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提出了一种新型低功耗、高稳态电平位移电路。该电路能将5 V输入电压转换为10 V输出电压,在电路的初态和电平转换过程中均保持高稳态。采用瞬态增强结构,能加速电平信号之间的转换,有效地减小了传输延迟,提高了电路稳定性。瞬态增强结构在稳定状态时不发挥作用,减小了静态功耗,获得了低功耗。基于标准0.35 μm BCD工艺和多5 V LDMOS耐压器件,对该电平位移电路在5 MHz频率下进行验证。结果表明,动态功耗仅为24.8 μA,上升沿响应速度仅为12.7 ns,下降沿响应速度仅为22.8 ns。该电路具有可靠性高、功耗低的优点。 相似文献