圆形台面中的AlAs/AlGaAs湿法氧化动力学规律

AlAs/AlGaAs湿法氧化技术是制备氧化物限制型VCSELs工艺中极为重要的一步,形成的氧化孔会直接影响到器件的各个特性参数，故有必要对氧化动力学规律进行深入地研究. 首先根据大量氧化实验得到了一般氧化规律曲线，再通过结合一维Deal-Grove氧化动力学模型，对比一维条形、二维圆形凸、凹台面的氧化规律，推导出了简单实用的二维圆形台面的氧化模型，所得模型曲线与实验数据均吻合较好，并成功地运用此模型实现了对氧化孔大小的精确控制.     

圆形台面中的AlAs/AlGaAs湿法氧化动力学规律

AlAs/AlGaAs湿法氧化技术是制备氧化物限制型VCSELs工艺中极为重要的一步,形成的氧化孔会直接影响到器件的各个特性参数,故有必要对氧化动力学规律进行深入地研究.首先根据大量氧化实验得到了一般氧化规律曲线,再通过结合一维Deal-Grove氧化动力学模型,对比一维条形、二维圆形凸、凹台面的氧化规律,推导出了简单实用的二维圆形台面的氧化模型,所得模型曲线与实验数据均吻合较好,并成功地运用此模型实现了对氧化孔大小的精确控制.     

Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律

为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小，对Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律进行了分析研究．首先运用一维Deal-Grove模型分析了Al0.98Ga0.02As条形台面湿法氧化的一般规律，并在此基础上进一步分析推导，加以适当的简化，提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型，用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合．同时，实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象．运用这些规律，将氧化长度的精度控制在0.5μm内，基本实现了氧化工艺的可控性及可重复性．     

圆形台面中的AlAs/AlGaAs湿法氧化动力学规律

AlAs/AlGaAs湿法氧化技术是制备氧化物限制型VCSELs工艺中极为重要的一步,形成的氧化孔会直接影响到器件的各个特性参数,故有必要对氧化动力学规律进行深入地研究.首先根据大量氧化实验得到了一般氧化规律曲线,再通过结合一维Deal-Grove氧化动力学模型,对比一维条形、二维圆形凸、凹台面的氧化规律,推导出了简单实用的二维圆形台面的氧化模型,所得模型曲线与实验数据均吻合较好,并成功地运用此模型实现了对氧化孔大小的精确控制.     

AlGaAs湿法氧化的热稳定性研究

文中针对AlGaAs湿法氧化后器件热稳定性变差,导致性能下降的问题进行了研究。对不同氧化条件下样品的热稳定性进行了比较,证明采用降低炉温、延长氧化时间以及经过预加热处理等方法可以有效提高器件的热稳定性。利用拉曼谱分析了AlGaAs湿法氧化技术中影响热稳定性的因素,认为器件的热稳定性在一定程度上取决于湿法氧化生成物中挥发性产物含量的多少。     

湿法氧化Al0.85Ga0.15As时SiO2层的保护作用

本文研究了有无氧化硅保护层时Al0.85Ga0.15As层的高温湿法氧化。实验结果表明：氧化硅层对Al0.85Ga0.15As层的高温侧向湿法氧化速率基本无影响;被氧化区域SEM图像的衬度和有氧化硅保护层样品As拉曼峰的缺乏归因于被氧化区域中不存在氧化反应产物As,这有利于提高氧化层的热稳定性;有SiO2保护层样品的发光强度比无SiO2保护层样品的发光强度强的多,且具有SiO2保护层样品的发光峰位和半高全宽与氧化前的样品基本一致,而无SiO2保护层样品的发光峰位红移,半高宽展宽,这是由于氧化硅层阻止了GaAs盖层的氧化。     

AlAs/AlGaAs的湿氧氧化及其在VCSEL制备中的应用

根据制备垂直腔面发射激光器 (VCSEL)电流限制层的需要 ,通过实验方法研究了氧化温度、Al组分和晶向等条件对AlGaAs氧化速率的影响 ,得到适用于VCSEL的材料参数和氧化条件 ;对氧化后表面分层、欧姆接触特性变差等现象进行分析 ,得到解决或改善方案。比较AlAs和Al0 .98Ga0 .0 2 As氧化特性及氧化后的热稳定性 ,结果表明Al0 .98Ga0 .0 2 As较AlAs更适于作VCSEL电流限制层。将优化的氧化条件及材料参数应用于VCSEL制备 ,得到室温连续工作的VCSEL器件 ,其阈值电流为 0 .8mA ,激射波长为 980nm ,工作电流为 15mA时输出功率可达 3.2mW。     

Al0.85Ga0.15As/GaAs太阳能电池器件工艺优化研究

报道了优化的ｐ－ｎ型Ａｌ０．８５Ｇａ０．１５Ａｓ／ＧａＡｓ太阳能电池器件工艺。分别采用真空蒸发Ｃｒ／Ａｕ和ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ制作下面栅线和背面电极,并分别在４５０℃和３５０℃下快速合金化形成欧姆接触。采用ＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ３ＰＯ４：Ｈ２Ｏ体系的选择性腐蚀液去除高掺杂的ＧａＡｓ接触层。采用真空蒸发技术制备ＺｎＳ／ＭｇＦ２双层复合减反射层。测试结果表明,采用优化工艺制备的器件的光电转换效率得到了     

AlGaAs湿法氧化特性实验研究

研究了AlxGa1-xAs／GaAs材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400-500℃与水汽发生氧化反应的氧化特性。许多影响因素,如待氧化层厚度、组分、氧化温度、气体流量都不同程度影响氧化速率,影响到氧化物限制工艺的整体质量。实验得到AlxGa1-xAs中x值、厚度、氧化温度等因素与氧化速率有关,并发现气流量对AlxGa1-xAs层的氧化过程有重要的影响,实验测定了气流量与AlxGa1-xAs层氧化速率的关系。     

AlGaAs湿法氧化特性实验研究

研究了AlxGa1-xAs／GaAs材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400-500℃与水汽发生氧化反应的氧化特性。许多影响因素,如待氧化层厚度、组分、氧化温度、气体流量都不同程度影响氧化速率,影响到氧化物限制工艺的整体质量。实验得到AlxGa1-xAs中x值、厚度、氧化温度等因素与氧化速率有关,并发现气流量对AlxGa1-xAs层的氧化过程有重要的影响,实验测定了气流量与AlxGa1-xAs层氧化速率的关系。     

Fabrication of InGaP/Al/sub 0.98/Ga/sub 0.02/As/GaAs oxide-confined collector-up heterojunction bipolar transistors

A partially oxidized Al/sub 0.98/Ga/sub 0.02/As layer was introduced between the emitter and base of collector-up heterojunction bipolar transistors (C-up HBTs) to suppress the leakage current and improve the current gain. Dependence of device current gain and leakage current on oxidation temperature was investigated. At lower oxidation temperature, the current gain can be effectively improved. Current gain and base sheet resistance were 79 and 203 ohm/sq. for the C-up HBT oxidized at 400/spl deg/C.     

Effects of Process Variable Control on the Thermoelectric Properties of the Zn0.98Ga(Al)0.02O System

The main factors influencing the different solubility limits of Al- and Ga-doped ZnO systems are studied. The different thermoelectric properties of Al- and Ga-doped ZnO systems were attributed in prior studies to the different solubility limits and secondary phases of these systems. In this study, the origin of these differences, i.e., the Ga₂O₃(ZnO)₉ secondary phase, was suppressed by a low-temperature synthesis process for the Zn_0.98Ga_0.02O solid solution. As a result, a novel synthesis process for Zn_0.98Ga_0.02O solid solution without the Ga₂O₃(ZnO)₉ phase was established, and the thermoelectric properties with and without the Ga₂O₃(ZnO)₉ secondary phase were compared. The thermoelectric properties of Zn_0.98Al_0.02O and Zn_0.98Ga_0.02O specimens without Al₂O₃(ZnO)₉/Ga₂O₃(ZnO)₉ phases were also compared.     

电流密度分布对GaAs/GaAlAs条形激光器的瞬态温度特性的影响

本文将电流密度的侧向分布考虑到热传导模型中去,对一般条形半导体激光器的体内瞬态温度分布进行了计算,同时,利用光谱法对一些条形激光器的瞬态温度进行了实验测量.计算结果同测量结果一致.     

Submicron p-channel (Al,Ga)As/(In,Ga)As HIGFETs

Submicron p-channel (Al,Ga)As/(In,Ga)As HIGFETs have been optimized for application to high-performance complementary GaAs circuits. Major issues with submicron and deep submicron (L_g⩽0.5-μm) P-channel HIGFETs have been the severe short-channel effects, such as high subthreshold leakage currents and high output conductances. With optimization of the p-type self-aligned implant schedule, control of impurity contamination at the substrate/buffer interfaces and increase of the resistivity of the unintentionally-doped GaAs buffers, high-performance submicron devices have been realized. Typically, 0.5-μm P-HIGFETs yielded room temperature transconductances of 90 mS/mm, drain currents at V_gs =V_ds=-1.5 V of 63 mA/mm, and subthreshold leakage currents near 1 nA. Subthreshold slope of 90 mV/decade and output conductances under 5 mS/mm were realized     

High-performance self-aligned (Al,Ga)As/(In,Ga)As pseudomorphicHIGFETs

Transconductance as high as 676 mS/mm at 300 K was observed to 0.7×10-μm² n-channel devices (HIGFETs) made on epilayers with Al_0.3Ga_0.7As insulator thickness of 200 Å and In_0.15Ga_0.85As channel thickness of 150 Å. An FET K value (K=W_g Uε/2aL_g) as large as 10.6 mA/V ² was also measured from another device with transconductance of 411 mS/mm. The high K values are achieved under normal FET operation without hole-injection or drain-avalanche breakdown effects. These results demonstrate the promise of pseudomorphic (Al,Ga)As/(In,Ga)As HIGFETs for high-performance circuit applications     

DX centers in Sn-doped Ga0.7Al0.3As

We have measured and analyzed the extended fine structure on the Sn K-shell x-ray absorption spectra of GaAs and Ga_0.7Al_0.3As doped with ∼5 x 10¹⁸ cm⁻³ Sn. Our results and their implications for the atomic structure of DX centers are discussed.     

小垂直发散角大光腔980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器

通过采用经过优化的新型大光腔结构,脊形波导980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs多量子阱半导体激光器在保持大功率光输出的同时获得了较小的垂直发散角.结果表明波导中的光功率密度可以降低,获得了大于400mW、斜率效率0.89W/A的输出光功率,垂直方向远场发散角也降低到23°.