兆声清洗法和离心喷射清洗法的比较

用基于改进的RCA清洗液结合兆声清洗法和离心喷射法清洗抛光的硅片，干燥后用激光扫描法测试抛光硅片表面颗粒．结果表明，改进的RCA清洗液结合兆声的清洗方法对于去除硅片表面的微小颗粒具有更高的效率．     

浅析半导体硅片的超声和兆声清洗技术

本文主要介绍的是有关半导体硅片生产过程中的超声和兆声清洗技术应用,并对两种清洗技术当中的运行原理与特征等进行了详细阐述。并在此基础上综合研究存在问题与解决对策,分析两者技术之间的差异性。希望能够对进一步提升清洗技术发展起到促进作用。     

干冰微粒喷射清洗技术

简要介绍了随着工艺节点的缩小,传统RCA清洗方法在硅片清洗工艺中的局限性和弊端,进而提出了以CO2为介质的新型干冰微粒喷射清洗方法。从CO2的物理特性出发,论述了CO2流经喷枪后形成干冰微粒的机理,并简要分析了干冰微粒喷射技术对颗粒污染物和有机污染物的清洗机理。在此基础上,介绍了自主研发的一台基于干冰微粒喷射技术的半导体清洗设备,对该设备的结构和各部分的作用作了简要介绍,论述了使用该设备对硅片进行清洗的工艺流程。通过对比实验发现,采用压强为8 MPa、纯度为5N的CO2作为气源,喷嘴前压强设置为11 MPa,使用该设备可以达到很好的清洗效果。     

兆声清洗技术分析及应用

主要论述兆声清洗技术原理及其在微电子清洗工艺过程中的应用。采用兆声清洗法可以减少化学品和高纯水的用量,在不破坏晶圆表面特征的前提下,提高对亚微细颗粒及各种污染物的去除能力及生产效率。     

新型兆声清洗去除集成电路衬底硅片表面污染物的分析研究

集成电路衬底硅片表面存在污染物会严重影响器件可靠性,非离子表面活性剂能有效控制颗粒在硅单晶片表面的吸附状态,使之保持易清洗的物理吸附．在清洗液中加入特选的非离子表面活性剂,大大提高了兆声清洗去除颗粒的效率和效果。实验表明当活性剂在清洗液的配比为1％,颗粒去除率可达95%以上。     

半导体硅片清洗工艺发展方向

对半导体硅片传统的RCA清洗办法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细的论述,同时在此基础上,对新的清洗办法(改进的RCA清洗办法)进行了一定的说明,指出了硅片清洗工艺的发展方向。     

单晶圆兆声清洗技术研究及兆声喷头方案优化

基于单晶圆兆声清洗的原理,分析了针对单晶圆兆声清洗的多种方案的优缺点,提出了适合单晶圆兆声清洗的优化方案.     

对抛光片清洗技术的研究

研究了一种新颖的添加了表面活性剂和HF的RCA的改进工艺,并和标准RCA工艺与目前被广泛采用的稀释RCA工艺进行了比较后指出,改进工艺对金属沾污和表面颗粒的有效去除能力,使0.18um以上的颗粒能够控制在15颗以内,金属沾污能够有效降至109原子cm-2以下(Al略高小于1010cm-2).     

兆声清洗在GaAs PHEMT栅凹槽工艺中的应用

对GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)在栅凹槽光刻和栅凹槽腐蚀过程中光刻窗口内经常出现的一些沾污颗粒进行了分析.设计了一系列实验来分析残留在芯片上的颗粒度参数,采用4英寸(1英寸=2.54 cm)圆片模拟实际的栅凹槽清洗工艺过程,利用颗粒度测试仪分别测试了4英寸圆片表面不同粒径的沾污颗粒数在喷淋和兆声清洗两种条件下的变化情况.比较两种清洗结果,兆声清洗方法可以有效去除栅凹槽颗粒沾污.在实际流片过程中,采用兆声清洗方法大幅降低了源漏间沟道漏电数值,同时芯片的直流参数成品率由之前的75％提高到了93％.     

硅片湿法清洗技术与设备

介绍了硅片制造过程中常见的湿法清洗技术,以及实现这些清洗技术的设备或装置。     

高密度印制板组件离心清洗工艺技术研究

针对低架空高度、高密度封装BGA和CSP底部难以清洗干净的难题,将离心清洗工艺技术应用于PCBA的清洗中.探讨清洗溶剂选择原则,研究离心清洗工艺原理,设计和优化了离心清洗工艺流程,设置了离心清洗工艺参数,分析以上因素对高密度印制板组件清洗效果的影响规律.清洁度检测结果表明:清洗溶剂选择正确,清洗工艺流程合理,离心清洗工...     

离心旋转喷雾式清洗技术

应用．前段光刻胶去除和灰化后清洗．自对准多晶硅化物去除．后段灰化后清洗．凸块制程中．晶圆回收     

批量式等离子清洗机与在线式等离子清洗机的对比

等离子清洗机的主要原理是利用清洗时高能电子碰撞反应气体分子,使之离解或电离,利用产生的多种粒子轰击被清洗表面或与清洗表面发生化学反应,从而有效地清除各种污染物。针对此,主要使用ANSYS有限元分析软件对批量式等离子清洗机与在线式等离子清洗机反应仓的气流和电磁场进行了仿真分析。实验结果表明,在线式等离子清洗机具有清洗效果好,清洗后不会产生有害污染物、效率高、节省劳动力和安全可靠等优点,具有更广泛的市场前景。     

单片晶圆气液混合流清洗技术研究

研究了气液混合流清洗方法对单片晶圆表面颗粒的去除效果,引入无量纲参数移径比（H/D）讨论其对单片晶圆表面颗粒去除效率的影响。此外,还讨论了冲洗时间、冲洗压力对颗粒去除效率的影响。结果表明:晶圆表面颗粒去除效率随着冲洗时间、冲洗压力的增大而提高。移径比为1时晶圆表面颗粒去除效率最高;当移径比小于1时,晶圆表面颗粒去除效率随移径比增大而提高;当移径比大于1时,晶圆表面开始出现未被冲洗的区域,颗粒去除效率随移径比增大而迅速降低。采用气液混合流清洗技术,可以实现颗粒直径为0.2~0.3 μm范围的颗粒去除效率达99%以上,颗粒直径为0.1~0.5 μm范围的颗粒去除效率达96%以上。     

硅片清洗原理与方法综述

对硅片清洗的基本理论、常用工艺方法和技术进行了详细的论述 ,同时对一些常用的清洗方案进行了浅析 ,并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简单论述。     

金刚石膜电化学对LCD上残留有机物清洗的研究

随着微电子技术的发展,对清洗技术的要求也越来越严格。LCD由于低功耗、高画质和轻巧等优势,已作为平板显示领域的主导技术。采用金刚石膜电化学的强氧化物质对液晶盒上的残留有机物进行清洗,通过实验得出较好的清洗的氧化浓度和清洗时间,通过显微镜观察,电化学清洗能够有效去除有机物污染,对比了一般清洗与电化学清洗效果,得出了更适合清洗残留有机物的方法。     

一种新型去除硼硅玻璃的方法

通过在硼扩散后增加一步800℃、5min的氧化工艺,使得硼扩散过程中产生的硼硅玻璃能够去除干净,在去除硼硅玻璃后的硅片上生长的氧化层厚度均匀、可控,有利于提高器件的光响应均匀性。     

干冰微粒喷射法清洗ITO玻璃及其对有机电致发光器件性能的影响

采用干冰微粒喷射法对ITO玻璃表面进行了清洁处理,并与浸泡式低频超声波湿法清洗的ITO玻璃进行了对比测量,结果表明:干冰微粒喷射法处理后,ITO薄膜表面的接触角减小,表面污染物颗粒数量下降,ITO薄膜表面上碳的含量较之未处理时降低了48.5%,锡、铟的含量分别增加了533.33%和267.57%,说明干冰微粒法对ITO薄膜表面的有机污染物和杂质颗粒的清洗效果超过了超声波湿法。此后,制备了干冰微粒法清洗ITO阳极的有机电致发光器件(OLED)器件,以及结构相同但ITO电极是用超声波湿法清洗的OLED器件,对这两种器件的参数进行了测量,其结果表明:干冰微粒喷射法清洗器件的启亮电压、亮度和电流效率与超声波湿法清洗的相比较均有所改善。     

上海恒光塑料喷涂合作公司ODS清洗替代项目技术总结

文章总结了恒光塑料喷涂合作公司(原上海钟厂塑料件电镀加工车间)与瑞典合作淘汰ODS清洗剂的整个技术过程.通过中瑞双方专家的卓有成效的合作,在中方专家组和上海环境科学研究院消耗臭氧层物质替代技术研究推广中心研究人员的努力工作下,恒光公司找到了适合自己产品生产工艺的消除ODS物质的清洗工艺和相配套的清洗剂,闯出了一条适合塑料件电镀加工清洗的技术路线.在该行业中有一定的推广示范意义.