共查询到10条相似文献,搜索用时 187 毫秒
1.
2.
《中国无线电电子学文摘》2005,(5)
TN032005050001TiO2薄膜制备及其氧敏特性/戴振清,孙以材,潘国峰,孟凡斌,李国玉(河北工业大学微电子研究所)//半导体学报.―2005,26(2).―324~328.采用直流磁控溅射法制备TiO2薄膜,在不同温度下对薄膜进行退火,研究了薄膜晶体结构随退火温度的转化情况.对TiO2薄膜氧敏器件特性进行了测试,结果表明,在400℃下灵敏度随氧分压增加最快,并且在400℃具有最高的灵敏度.得到的激活能为0.41eV,并对TiO2薄膜氧敏器件的氧敏可逆性进行了讨论.图5表1参15一般性问题… 相似文献
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
采用磁控溅射法制备了厚度为6.5μm的Mn_(1.95)Co_(0.77)Ni_(0.28)O_4组分的薄膜材料,把材料分别在400℃,500℃,600℃,700℃,800℃下进行后退火处理.结果表明,室温下的负电阻温度系数α295值随退火温度增加先增大后减小,而电阻率ρ_(295)则是随退火温度增加逐渐减小的;在相同频率下,500℃退火样品的归一化噪声谱密度(S_V·V_R/V~2)最小,700℃退火样品的归一化噪声谱密度最大.退火温度越高会造成越多的晶体缺陷,从而降低有效导热系数、增大时间常数τ和器件噪声. 相似文献
10.
溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜光电导紫外光敏器件 总被引:1,自引:1,他引:0
利用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备ZnO薄膜获得了响应速度快和灵敏度高的光电导型紫外光敏器件,并改善了器件的稳定性.采用正交试验表格L18[37]安排试验.分析后得到具有最佳响应时间和灵敏度的优化工艺参数为搅拌时间2.0 h,甩膜速率4 000 r/min,甩膜层数3层,退火温度500℃,退火时间2.5 h,预处理温度200℃,叉指间距0.109 mm.测得器件上升时间5 s,下降时间3 s,在0.85 mW/cm2的紫外光强下的灵敏度(光电流与暗电流之比)R/R0为26,稳定性能良好. 相似文献