Ku波段源极调谐HFET MMIC VCO

利用S参数分析和负阻分析设计了一个源端调谐的Ku波段HFET单片集成VCO,并获得了一次设计投片成功.提取了GaAs HFET的大信号模型,利用栅源终端阻抗的二维扫描确定了漏极负阻,以此为依据进行输出匹配网络的优化设计.给出了电路制作和测试结果,在17.79～17.89GHz频率上获得了16dBm的输出功率.     

GaAs HFET/PHEMT大信号建模分析

在分析GaAs HFET／PHEMT建模设计、在片校准和测试方法的基础上，提出了电荷守恒的EEHEMT1模型，通过Cold FET测量技术，采用在片测试技术，结合窄脉冲测试技术，提出了GaAs HFET／PHEMT器件EEHEMT1大信号模型，实验说明提出的大信号模型模拟结果与实例结果吻合得很好．     

30GHz PHEMT振荡器

介绍了一种30GHz单片压控振荡器的设计、制作和性能.该芯片采用PHEMT工艺制作,电路基于负阻匹配共源网络结构设计.根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数,提取出该器件的Modified-MaterkaFET模型参数,变容二极管由共源-漏晶体管来完成,并通过栅压来控制其容值.测试该电路振荡频率为30.12GHz,输出功率达到12.5dBm,调谐带宽大于150MHz.振荡器的测试结果与理论设计结果基本吻合.     

30GHz PHEMT振荡器

介绍了一种30GHz单片压控振荡器的设计、制作和性能.该芯片采用PHEMT工艺制作,电路基于负阻匹配共源网络结构设计.根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数,提取出该器件的Modified-MaterkaFET模型参数,变容二极管由共源-漏晶体管来完成,并通过栅压来控制其容值.测试该电路振荡频率为30.12GHz,输出功率达到12.5dBm,调谐带宽大于150MHz.振荡器的测试结果与理论设计结果基本吻合.     

30GHz PHEMT振荡器

介绍了一种30GHz 单片压控振荡器的设计、制作和性能. 该芯片采用PHEMT工艺制作，电路基于负阻匹配共源网络结构设计. 根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数，提取出该器件的Modified-Materka FET模型参数，变容二极管由共源-漏晶体管来完成，并通过栅压来控制其容值. 测试该电路振荡频率为30.12GHz，输出功率达到12.5dBm,调谐带宽大于150MHz. 振荡器的测试结果与理论设计结果基本吻合     

一种互补结型场效应管负阻器件

介绍了一种利用集成互补结型场效应管的简单复合而构成的负阻器件，并且对该负阻器件的温度特性进行了分析，为设计具有温度稳定性的负阻器件提供了有益的参考。     

微波单片有源滤波器负阻电路的实现方法

论述了用于微波单片有源滤波器负阻电路的实现方法，给出了三种由单管ＦＥＴ构成的负阻电路，以及用ＭＭＩＣ工艺能够实现的矩形螺旋电感与ＦＥＴ实现的负阻电路，并对电路进行了详细的分析与计算机模拟，分析与模拟结果显示用单管ＦＥＴ实现的负阻电路结构简单，在谐振频率点，最大负阻值可达几千欧姆，而且，综合出的负阻电路完全可以用现有的ＭＭＩＣ工艺实现，为进一步设计微波有源滤波器打下了良好的基础。     

一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管

利用硅双基区晶体管（DUBAT）产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT (NDRHBT) . 经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT具有显著的微分负阻效应,并发现负电流区负阻效应和光照可改变其I-V特性,器件模拟结果和测试结果基本一致.     

AlGaN/GaN异质结场效应晶体管的阈值电压

利用AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)栅结构的电容-电压(C-V)特性确定AlGaN/GaN HFET的阈值电压.通过对模拟计算得到的AlGaN/GaN HFET电流-电压(I-V)特性曲线与测试得到的AlGaN/GaN HFET曲线比较分析,证实了依据AlGaN/GaN HFET栅结构的C-V特性曲线的微分极值点确定阈值电压是一种切实可行的方法.     

AlGaN/GaN异质结场效应晶体管的阈值电压

利用AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)栅结构的电容-电压(C-V)特性确定AlGaN/GaN HFET的阈值电压.通过对模拟计算得到的AlGaN/GaN HFET电流-电压(I-V)特性曲线与测试得到的AlGaN/GaN HFET曲线比较分析,证实了依据AlGaN/GaN HFET栅结构的C-V特性曲线的微分极值点确定阈值电压是一种切实可行的方法.