单电子数据转换电路

提出了两种新型的由单电子晶体管、MOS管和电容组成的数模转换(ADC)和模数转换(DAC)电路.这种混合ADC和DAC电路可在室温条件下工作且负载能力大,功耗低.对这种混合单电子晶体管和MOS管的ADC和DAC电路进行了仿真,仿真结果表明两种电路能够在室温条件下正常工作.采样频率达到100MHz以上,功耗约为0.1μW.     

单电子数据转换电路

提出了两种新型的由单电子晶体管、MOS管和电容组成的数模转换(ADC)和模数转换(DAC)电路. 这种混合ADC和DAC电路可在室温条件下工作且负载能力大，功耗低. 对这种混合单电子晶体管和MOS管的ADC和DAC电路进行了仿真，仿真结果表明两种电路能够在室温条件下正常工作. 采样频率达到100MHz以上，功耗约为0.1μW.     

一种基于单电子隧穿结和MOS晶体管的混合随机数发生器

提出了一种新颖的单电子随机数发生器(RNG).该随机数发生器由多个单电子隧穿结(MTJ)以及单电子晶体管(SET)/MOS管混合输出电路组成.MTJ被用于实现一个高频率的振荡器.它利用了电子隧穿的物理随机性得到了很大的振荡频率漂移.SET/MOS管输出电路放大并输出MTJ振荡器的输出信号.该信号经过一个低频信号采样后,产生随机数序列.所提出的随机数发生器使用简单的电路结构产生了高质量的随机数序列.它具有简单的结构,输出随机数的速度可以高达1GHz.同时,该电路还具有带负载能力以及很低的功耗.这种新颖的随机数发生器对未来的密码和通讯系统具有一定的应用前景.     

一种基于单电子隧穿结和MOS晶体管的混合随机数发生器

提出了一种新颖的单电子随机数发生器(RNG).该随机数发生器由多个单电子隧穿结(MTJ)以及单电子晶体管(SET)/MOS管混合输出电路组成.MTJ被用于实现一个高频率的振荡器.它利用了电子隧穿的物理随机性得到了很大的振荡频率漂移.SET/MOS管输出电路放大并输出MTJ振荡器的输出信号.该信号经过一个低频信号采样后,产生随机数序列.所提出的随机数发生器使用简单的电路结构产生了高质量的随机数序列.它具有简单的结构,输出随机数的速度可以高达1GHz.同时,该电路还具有带负载能力以及很低的功耗.这种新颖的随机数发生器对未来的密码和通讯系统具有一定的应用前景.     

基于SET/MOS混合结构的译码器电路的设计

基于SET的I-V特性以及SET与MOS管互补的特性,以MOS管的逻辑电路为设计思想,首先提出了一个SET/MOS混合结构的反相器,进而推出或非门电路,并最终实现了一个唯一地址译码器.通过SET和MOS管两者的混合构建的电路与纯SET实现的电路相比,电路的带负载能力增强;与纯MOS晶体管实现的电路相比,电路同样仅需要单电源供电,且元器件数目得到了减少,电路的静态功耗大大降低.仿真结果验证了电路设计的正确性.     

一种基于电压窗口技术的超低功耗SAR ADC

本文提出了一种应用于生物医学的超低功耗逐次逼近型模数转换器(SAR ADC).针对SAR ADC主要模块进行超低功耗设计.数模转换(DAC)电路采用vcm-based以及分段电容阵列结构来减小其总电容,从而降低了DAC功耗.同时提出了电压窗口的方法在不降低比较器精度的情况下减小其功耗.此外,采用堆栈以及多阈值晶体管结构来减小低频下的漏电流.在55nm工艺下进行设计和仿真,在0.6V电源电压以及l0kS/s的采样频率下,ADC的信噪失真比(SNDR)为73.3dB,总功耗为432nW,品质因数(FOM)为11.4fJ/Conv.     

基于SETMOS的CNN结构分析及实现

分析了单电子晶体管(SET)和金属氧化物半导体(MOS)的混合器件——SETMOS所具有的特性,利用补偿原理设计了细胞神经网络(CNN)结构的细胞体电路、分段线性模块、A模板和B模板电路,得到了由SETMOS构成的CNN具体电路。仿真结果表明,所设计的硬件电路结构简单,静态功耗低,约200nW,有利于进一步提高集成电路的集成度,为相关工程领域的实际应用提供了新方法。     

模拟集成电路原理与应用（上）

一、模拟集成电路概述电子电路中的工作信号,不外乎有数字信号和模拟信号两种类型。所谓模拟信号,是指那些在时间上和数值上都是连续的信号。我们将工作于模拟信号下的电子电路,统称为模拟电子电路(简称模拟电路)。多年来,模拟电路从分立元件的电子管、晶体管发展到单片集成电路。模拟集成电路又从双极型发展到晶体管和场效应管混合型或晶体管和MOS场效应管混     

基于SET/MOS混合结构的只读存储器设计

结合单电子晶体管的I-V特性和传统的CMOS工艺设计存储器的思想,设计实现了4×4位的只读存储器电路.该电路各主要组成部分均由单电子晶体管和MOS管的混合结构构成,通过对该电路进行SPICE仿真分析,验证了电路设计的正确性.研究表明,只读存储器的取数时间达到了纳秒级;该电路与纯SET实现的电路相比,驱动能力得到了提高;与传统晶体管实现的电路相比,具有高集成度、低功耗等优点.     

基于单电子器件的蔡氏电路实现

基于提出的单电子晶体管和MOS混合器件构成的非线性电阻电路以及CMOS构建的模拟电感,实现了一种新型蔡氏混沌电路,得到其双涡卷混沌吸引子.研究表明,该混沌电路具有结构简单、功耗较低,实现效果好、集成度高等优点,为混沌电路在理论和实践方面提供了新的硬件基础,同时,也为保密通信领域提供了又一种可行的实现方法.