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采用自行设计的热封闭系统对808nm InGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性进行了实验研究. 用恒定电流下增益峰波长的温漂系数a1和恒定温度下增益峰波长随注入电流的漂移系数a2来表征激射波长的温度依赖性. 实验表明,激射波长的漂移系数dλ/dT是特征温度T0的函数. T0越高,激射波长的温度依赖性越大. 特征温度T0与透明电流Itr下的特征温度TItr相等时,激射波长的漂移系数dλ/dT达到最大值,该值由发热诱使带隙窄化dλg/dT决定. 解决高特征温度T0与小的dλ/dT矛盾的一种可能是考虑温度不依赖的漏电流. 相似文献
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本文从时域和频域模拟分析了单量子阱半导体激光器的温度特性,给出了建模方案以及各种模拟分析。结果表明它具有较好的温度特性和较大调制带宽。当温度从250K变化至350K时,调制带宽仅从25.00GHz减至21.72GHz。 相似文献
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本文对有源区条宽100μm的GaAsP/AlGaAs 808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计.选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关系.根据计算结果可知:当波导层和限制层铝组分为0.4和0.5时,采用窄波导结构可以获得器件的最大输出功率为11.2W,发散角为19°,阈值电流密度为266A/cm2;采用宽波导结构可以得到器件的最大输出功率为9.4W,发散角为32°,阈值电流密度为239A/cm2. 相似文献
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大功率宽面808nm GaAsP/AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计 总被引:1,自引:1,他引:0
本文对有源区条宽100μm的GaAsP/AlGaAs 808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计.选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关系.根据计算结果可知:当波导层和限制层铝组分为0.4和0.5时,采用窄波导结构可以获得器件的最大输出功率为11.2W,发散角为19°,阈值电流密度为266A/cm2;采用宽波导结构可以得到器件的最大输出功率为9.4W,发散角为32°,阈值电流密度为239A/cm2. 相似文献
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InGaAsP单量子阱半导体微盘激光器研究 总被引:4,自引:1,他引:4
利用普通的液相外延和微加工技术成功地制备了InGaAsP单量子陆微盘激光器,并从实验上观测到远低于普遍激光器阈值条件下的单模振荡,证实了微盘激光器中微盘很强的模式选择作用,反映了微盘的微腔特征。 相似文献
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应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InCaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡。利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量,计算结果与实验数据符合得很好,得到了In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.83)P_(0.17)与In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.525)P_(0.475)四元合金应变界面的导带不连续性。 相似文献
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InGaAsP/GaAs SCH SQW laers have been prepared by LPMOCVD.The dependence of threshold current density on cavity length was explained.Laser diodes are characterized by the output power of 1 W 20 W,threshold current density(Jth)of 330A/cm^2 to 450A/cm^2 and external differential quantum efficiency(ηd)of 35% to 75% ,and these characteristics are in good agreement with the designed requirement. 相似文献
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介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W,阈值电流密度为 41 0 A/cm2 ,外微分量子效率为 62 % ,并进行了可靠性实验。 相似文献
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808nm无铝材料激光器可靠性筛选的实验探讨 总被引:1,自引:1,他引:0
对808nm无铝InGaAsP/GaAs半导体激光器进行可靠性筛选实验,给出了器件老化前后的工作特性及其变化情况;讨论器件工作特性变化甚至失效的可能原因,并给出在进行器件的可靠性做初步的判定,认为工作电流的变化率小于1%时是可靠的器件。 相似文献
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808 nm半导体激光器的温度特性 总被引:1,自引:0,他引:1
用波长漂移法测试了808 nm半导体激光器额定功率分别为1 W,2 W,3W的器件在不同的输出功率下的热阻,得到额定功率为1 W的器件在输出功率为1 W时的热阻最小为4.28 K/W,额定功率为2 W的器件在输出功率为2 W时的热阻最小为5.45 K/W,额定功率为3 W的器件在输出功率为3 W时的热阻最小为5.5 K/W。并对额定功率为3 W的器件在不同的占空比下进行了测试,0.5%占空比脉冲条件下温升相当于持续条件下温升的19.6%。并用ANSYS模拟了器件温度随时间的变化,得出脉冲的特点是1 ms温升就能达到稳态的50%,0.1 s就能达到稳态的95%以上。 相似文献