首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 156 毫秒
1.
稀土钕离子对立方晶型FeS2结构及光性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用真空、无氧退火方法对立方晶型FeS2进行了稀土钕掺杂实验.利用X射线衍射仪和紫外可见分光光度计对样品的结构及光吸收谱进行了研究.利用Rietveld方法对掺杂样品的结构进行了精修.结果显示:由于稀土钕离子的进入,使得立方晶型FeS2晶格结构发生畸变,从而导致样品光电性能改变  相似文献   

2.
立方晶系的黄铁矿型FeS2薄膜具有高的吸收系数,并且其组成元素储量丰富,无毒,环境相容性好,有望成为新一代薄膜太阳电池吸收层材料.介绍了FeS2的光学特性并详细阐述了FeS2薄膜的制备方法和各工艺方法的特点,叙述了FeS2掺杂改性方面的一些重要研究进展.  相似文献   

3.
硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
刘波  宋志棠  封松林 《半导体学报》2006,27(z1):158-160
采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂硅后,Ge2Sb2Te5薄膜的电阻有较大变化,晶态电阻的提高有利于降低非晶化相变过程的操作电流,薄膜电阻-温度稳定性的改善可保证有较宽的操作电流波动范围.  相似文献   

4.
采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂硅后,Ge2Sb2Te5薄膜的电阻有较大变化,晶态电阻的提高有利于降低非晶化相变过程的操作电流,薄膜电阻-温度稳定性的改善可保证有较宽的操作电流波动范围.  相似文献   

5.
对SrTiO3陶瓷分别进行了La2O3和Sm2O3微量掺杂改性研究,观察了稀土掺杂后陶瓷样品的显微结构,研究了其介电损耗、相对介电常数及电容量变化率随测试温度变化的规律,分析了样品在不同测试电压下的绝缘特性。研究结果表明,La2O3和Sm2O3的微量掺杂对SrTiO3陶瓷的影响相似。稀土掺杂后,样品的晶粒尺寸变小,介电损耗增大,相对介电常数明显提高,电容量变化率明显改善,绝缘电阻明显减小。当稀土掺杂量高于0.2%(摩尔分数)时,La2O3的细晶效果比Sm2O3更明显。  相似文献   

6.
采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响. 研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂硅后,Ge2Sb2Te5薄膜的电阻有较大变化,晶态电阻的提高有利于降低非晶化相变过程的操作电流,薄膜电阻-温度稳定性的改善可保证有较宽的操作电流波动范围.  相似文献   

7.
研究了不同质量分数(0~1.5%)的各种稀土氧化物对Ba0.6Sr0.4TiO3(40%)-MgO(60%)陶瓷微观结构和介电性能的影响.研究表明,大半径的稀土离子掺杂能有效降低材料的介电常数并提高品质因数;而小半径的稀土离子掺杂则会提高材料的微波介电损耗.当掺杂量超过0.2%时,所有样品的调谐率都随着添加量的增加而下降.与未掺杂的BST-MgO相比,0.2%稀土掺杂样品的调谐率变化规律及机理随掺杂物的不同而不同:Nd2O3和Yb2O3 掺杂样品中调谐率的大幅度升高归因于结电容的贡献,Sm2O3 掺杂样品调谐率的下降主要由MgO晶粒的聚集所致,而Y3+同时占据A位和B位引起了样品调谐率的下降.研究发现在BST-MgO中添加具有大离子半径的稀土氧化物(如La2O3、CeO2、Nd2O3、Sm2O3)并优化其添加量,能满足铁电移相器等微波调谐器件的要求.  相似文献   

8.
ZnO∶Tb纳米晶的制备、结构与发光性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用乙醇溶液中水解醋酸盐的方法合成了一种稀土掺杂的半导体纳米材料——掺铽的 Zn O纳米晶 ,并对其结构与发光性质进行了研究 ,结果表明掺铽的 Zn O纳米晶为六方纤锌矿结构 ,纳米颗粒表面有醋酸根络合物使颗粒之间互相分散 ,Zn O纳米基质与发光中心之间存在能量传递 ,引起稀土铽的特征发光 .  相似文献   

9.
采用常压化学气相沉积(APCVD)方法在偏向<11-20>晶向8°的p型4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行同质外延生长.霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外延膜层导电性为n型.XRD测试显示各个样品只在位于2θ=35.5°附近出现一个谱峰,表明外延膜是SiC单晶.在低温PL谱中,对于在较低温度下外延生长的4H-SiC样品,在1.8~2.4eV范围内出现很宽的谱峰.而在该样品的Raman谱中,也观察到了典型的3C-SiC的特征峰,表明该样品含有立方相SiC的混晶,这与PL谱获得的结果相吻合.  相似文献   

10.
采用常压化学气相沉积(APCVD)方法在偏向<11-20>晶向8°的p型4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行同质外延生长.霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外延膜层导电性为n型.XRD测试显示各个样品只在位于2θ=35.5°附近出现一个谱峰,表明外延膜是SiC单晶.在低温PL谱中,对于在较低温度下外延生长的4H-SiC样品,在1.8~2.4eV范围内出现很宽的谱峰.而在该样品的Raman谱中,也观察到了典型的3C-SiC的特征峰,表明该样品含有立方相SiC的混晶,这与PL谱获得的结果相吻合.  相似文献   

11.
The article describes a model representation of radar probing data in form of a mixture of background and target samples, which is the sum of two random variables with very different parameters. For model development we research the behavior of the central moments of the distribution mix without assuming the distribution law form. An example it is described the detection of the signal at the output of compression system of chirp ionosonde.  相似文献   

12.
解决IP网QoS问题是目前通信领域的研究热点之一.虽然研究已经取得了一定的进展,但人们对于IP 网QoS本身的含义及相关的问题还有着不同的理解.本文将从IP网QoS的定义入手讨论相关的一些问题以及解决IP网QoS问题所做的各种努力.  相似文献   

13.
Assuming that visual responses are due to the action of particles on the membrane of the visual cells, the stochastic variability of the response should be a function of the number of particles producing it. Quantitative predictions can be made with the aid of a model proposed in previous articles. It is found that responses produced in visual cells of Limulus by absorption of a single photon have the stochastic properties which would be expected if the response to one photon were brought about by 25 particles. It is concluded from this that the processes leading to visual responses produce multiplication of particles. The effects of temperature and of metabolic poisons suggest that these processes are of chemical nature.  相似文献   

14.
介绍了NTRUsign签名算法的密钥生成过程,其在实现的过程中需要进行上百位的大数运算问题,这些数字远远超出了普通电脑存贮范围。而要进行大数运算,就得用数组存贮,进行模拟运算,这就大大增加了运算量。文中分析了这个算法实现过程中的运算量,分析结果说明NTRUsign的运算量过大,以致实际并非一个实用算法。  相似文献   

15.
随着光纤通信和光纤传感的快速发展,人们时光的偏振态提出了越来越高的要求.光是一种横波,其偏振态大致分为:完全偏振光、部分偏振光和自然光.文中介绍了完全偏振光的几种表示方法,给出了几种部分偏振光的描述方法.并阐述了它们之间的差异与联系.  相似文献   

16.
By means of exact conformal mapping method we have defined character of dependence of squares amounts of angular part of film element on angled part dimension. We propose relations, approximating obtained dependence. Calculation results and experimental researches of large-scale models are represented.  相似文献   

17.
The temperature dependence of refractive index of polymer films was determined for a number of slab waveguides by a grating coupling method. This dependence was examined as a function of parameters such as molecular weight and glass transition temperature of the polymer. Temperature-induced changes in NTE-NTM , N being the effective index, were studied systematically for different slab waveguide compositions. It is shown that with proper device design and choice of polymeric materials, thermal effects can be reduced  相似文献   

18.
A method for analyzing the luminescence spectra of semiconductors is suggested. The method is based on differentiation of the spectra. The potentialities of the method are demonstrated for luminescence in the region of the fundamental absorption edge of Si and SiGe alloy single crystals. The method is superior in accuracy to previously known luminescence methods of determining the band gap of indirect-gap semiconductors and practically insensitive to different conditions of outputting radiation from the sample.  相似文献   

19.
“计算机组成原理”设计性实践教学模式研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文阐述了"计算机组成原理"设计性实验教学的重要性,对设计性实验教学的目的和基本特征进行了归纳,对"计算机组成原理"设计性实验教学的现状进行了调查,对存在的问题进行了较深入的分析;在此基础上.对组成原理设计性实验的教学模式进行了研究,对设计性实验的体系进行了初步设计,并对"计算机组成原理"设计性实验的实施方法进行了探讨.  相似文献   

20.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号