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本文所介绍的高透明Al_2O_3窗口兼有以往许多种光电探测器窗口的优点:比如有极好的机械强度和硬度;较宽的光谱透射区域190-7000nm;较高的总透射率(>90%);优良的散射退偏振特性。并且因其具有适度的散射功能及与晶体Al_2O_3相似的透明波段,当它被用作激光探测器窗口时,可使激光较均匀地分布于探测表面,起到大幅度地提高探测器的抗激光损伤能力,同时降低探测元的非线性响应引起的测量误差的作用。 相似文献
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研究了两种器件结构(共平面和三明治)对金刚石薄膜辐射探测器性能的影响。研究表明,共平面结构器件在241Am 5.5MeV α粒子辐照下的计数率、电荷收集效率、响应电流和能量分辨率等性能参数均优于三明治结构。Raman散射测试表明,造成上述结果主要是由于金刚石薄膜的成核边和生长边具有不同的微结构特征而引起。 相似文献
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综述了日本近10多年来α-Al2O3粉体的发展状况。特别介绍了日本对α-Al2O3粉体的标准化工作。这对提高电子陶瓷等产品的质量非常重要的。 相似文献
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采用HFCVD制备金刚石薄膜的方法,以乙醇为碳源,氢气为载气,在适当的衬底温度下,合成出具有(100)晶面取向均匀生长的金刚石薄膜.SEM,XRD和Raman分析表明,所合成的金刚石薄膜是高质量的多晶(100)取向膜,厚度均匀、化学性能稳定,结构和性能与天然金刚石相接近.研究了室温下(100)取向金刚石薄膜的暗电流-电压特性、稳态55Fe 5.9keV X射线辐照下的响应和电容-频率特性.结果表明,退火后(100)取向多晶金刚石薄膜具有较低的暗电流和较高的X射线响应;高频下,电容和介电损耗都很小且趋于稳定,不随频率的变化而变化. 相似文献
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(100)定向CVD金刚石薄膜的制备及其电学性能 总被引:3,自引:0,他引:3
采用HFCVD制备金刚石薄膜的方法,以乙醇为碳源,氢气为载气,在适当的衬底温度下,合成出具有(100)晶面取向均匀生长的金刚石薄膜.SEM,XRD和Raman分析表明,所合成的金刚石薄膜是高质量的多晶(100)取向膜,厚度均匀、化学性能稳定,结构和性能与天然金刚石相接近.研究了室温下(100)取向金刚石薄膜的暗电流电压特性、稳态55Fe 5.9keV X射线辐照下的响应和电容频率特性.结果表明,退火后(100)取向多晶金刚石薄膜具有较低的暗电流和较高的X射线响应;高频下,电容和介电损耗都很小且趋于稳定,不随频率的变化而变化. 相似文献
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C-H体系CVD金刚石薄膜取向生长的热力学分析 总被引:1,自引:0,他引:1
化学气相淀积金刚石薄膜过程中 ,CH3 和C2 H2 是金刚石生长的主要前驱基团。C2 H2 与CH3 浓度比 ( [C2 H2 ]/[CH3 ])的变化将影响金刚石薄膜的生长取向。用非平衡热力学耦合模型计算了C H体系CVD金刚石薄膜生长过程中C2 H2 浓度和CH3浓度随淀积条件的变化 ,并进一步获得了 [C2 H2 ]/[CH3 ]随衬底温度和CH4浓度的变化关系 ,从理论上探讨了金刚石薄膜 ( 1 1 1 )面和 ( 1 0 0 )面取向生长与淀积条件的关系。在衬底温度和CH4浓度由低到高的变化过程中 ,[C2 H2 ]/[CH3 ]逐渐升高 ,导致金刚石薄膜的形貌从 ( 1 1 1 )晶面转为 ( 1 0 0 )晶面。 相似文献
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GaAs粒子探测器对低能X射线的响应 总被引:1,自引:1,他引:0
GaAs粒子探测器既能作为高抗辐射的探测器,又能作为X射线的线性传感器。在不同照射量的X射线辐照下,探测器的灵敏度与X射线的照射量是线性关系。探测器的有效面积大、所加反偏电压高,其灵敏度相对也高。该探测器可作为X射线的线性传感器。 相似文献
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Hyo June Kim Seung Yong Cha Doo Jin Choi 《Materials Science in Semiconductor Processing》2010,13(1):9-12
In order to investigate charge trap characteristics with various thicknesses of blocking and tunnel oxide for application to non-volatile memory devices, we fabricated 5 and 15 nm Al2O3/5 nm La2O3/5 nm Al2O3 and 15 nm Al2O3/5 nm La2O3/5, 7.5, and 10 nm Al2O3 multi-stack films, respectively. The optimized structure was 15 nm Al2O3 blocking oxide/5 nm La2O3 trap layer/5 nm Al2O3 tunnel oxide film. The maximum memory window of this film of about 1.12 V was observed at 11 V for 10 ms in program mode and at ?13 V for 100 ms in erase mode. At these program/erase conditions, the threshold voltage of the 15 nm Al2O3/5 nm La2O3/5 nm Al2O3 film did not change for up to about 104 cycles. Although the value of the memory window in this structure was not large, it is thought that a memory window of 1.12 V is acceptable in the flash memory devices due to a recently improved sense amplifier. 相似文献