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AlAs/AlGaAs湿法氧化技术是制备氧化物限制型VCSELs工艺中极为重要的一步,形成的氧化孔会直接影响到器件的各个特性参数,故有必要对氧化动力学规律进行深入地研究.首先根据大量氧化实验得到了一般氧化规律曲线,再通过结合一维Deal-Grove氧化动力学模型,对比一维条形、二维圆形凸、凹台面的氧化规律,推导出了简单实用的二维圆形台面的氧化模型,所得模型曲线与实验数据均吻合较好,并成功地运用此模型实现了对氧化孔大小的精确控制. 相似文献
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AlAs/AlGaAs湿法氧化技术是制备氧化物限制型VCSELs工艺中极为重要的一步,形成的氧化孔会直接影响到器件的各个特性参数,故有必要对氧化动力学规律进行深入地研究. 首先根据大量氧化实验得到了一般氧化规律曲线,再通过结合一维Deal-Grove氧化动力学模型,对比一维条形、二维圆形凸、凹台面的氧化规律,推导出了简单实用的二维圆形台面的氧化模型,所得模型曲线与实验数据均吻合较好,并成功地运用此模型实现了对氧化孔大小的精确控制. 相似文献
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为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小,对Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律进行了分析研究.首先运用一维Deal-Grove模型分析了Al0.98Ga0.02As条形台面湿法氧化的一般规律,并在此基础上进一步分析推导,加以适当的简化,提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型,用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合.同时,实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象.运用这些规律,将氧化长度的精度控制在0.5μm内,基本实现了氧化工艺的可控性及可重复性. 相似文献
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Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律 总被引:3,自引:0,他引:3
为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小,对Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律进行了分析研究.首先运用一维Deal-Grove模型分析了Al0.98Ga0.02As条形台面湿法氧化的一般规律,并在此基础上进一步分析推导,加以适当的简化,提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型,用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合.同时,实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象.运用这些规律,将氧化长度的精度控制在0.5μm内,基本实现了氧化工艺的可控性及可重复性. 相似文献
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不同形状台面的AlGaAs湿氮氧化规律研究 总被引:1,自引:0,他引:1
详细研究了凸形、凹形与条形台面的AlGaAs湿氮氧化规律。对三种形状的台面分别进行氧化长度的观察测试,发现凸形、条形及凹形台面的氧化速率顺次下降,且随氧化时间的加长,差距明显增大。运用氧化动力学方法分析,是由于不同形状台面内的氧化剂浓度及氧化剂扩散速率不同引起;并推导得出台面形状、尺寸与氧化速率的对应关系。所推导的氧化规律模拟曲线与实验数据基本吻合。进一步指出当台尺寸较小时,由于氧化剂在气相传送中也受到了限制,凹形台面氧化速率的实验值与理论值会出现较大偏差。 相似文献
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详细研究了凸形、凹形与条形台面的A1GaAs湿氮氧化规律。对三种形状的台面分别进行氧化长度的观察测试,发现凸形、条形及凹形台面的氧化速率顺次下降,且随氧化时间的加长,差距明显增大。运用氧化动力学方法分析,是由于不同形状台面内的氧化剂浓度及氧化剂扩散速率不同引起;并推导得出台面形状、尺寸与氧化速率的对应关系。所推导的氧化规律模拟曲线与实验数据基本吻合。进一步指出当台尺寸较小时,由于氧化剂在气相传送中也受到了限制,凹形台面氧化速率的实验值与理论值会出现较大偏差。 相似文献
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基于二维直方图的曲线分割法 总被引:1,自引:0,他引:1
针对传统十字分割模型对于二维直方图的划分不合理,提出一种曲线分割模型,并通过多条线段拟合简化该模型.在分割阈值的求解过程中,将二维阈值转换为一维阈值,且为获得快速算法,采用了迭代和优化搜索策略.实验表明,曲线分割模型比十字分割模型具有更优的抗噪性能,对于图像边缘形状保持得好,并且此算法的运算量大大降低. 相似文献
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利用双势垒结构研究磁场下二维电子的态密度 总被引:2,自引:0,他引:2
势垒结构磁电容曲线,测量了垂直磁场下二维电子态密度。采用高斯型朗道态密度模型计算了双势垒结构的电容随磁场的变化曲线,与不同偏压和温度下的实验曲线符合得相当好,由此得到朗道能级模型态密度。根据拟合自洽地给出了二维浓度、费密能级、子带能量和有效Lande因子随场振荡变化的规律。 相似文献
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The article describes a model representation of radar probing data in form of a mixture of background and target samples, which is the sum of two random variables with very different parameters. For model development we research the behavior of the central moments of the distribution mix without assuming the distribution law form. An example it is described the detection of the signal at the output of compression system of chirp ionosonde. 相似文献
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解决IP网QoS问题是目前通信领域的研究热点之一.虽然研究已经取得了一定的进展,但人们对于IP 网QoS本身的含义及相关的问题还有着不同的理解.本文将从IP网QoS的定义入手讨论相关的一些问题以及解决IP网QoS问题所做的各种努力. 相似文献
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《Proceedings of the IEEE. Institute of Electrical and Electronics Engineers》1968,56(6):1024-1032
Assuming that visual responses are due to the action of particles on the membrane of the visual cells, the stochastic variability of the response should be a function of the number of particles producing it. Quantitative predictions can be made with the aid of a model proposed in previous articles. It is found that responses produced in visual cells of Limulus by absorption of a single photon have the stochastic properties which would be expected if the response to one photon were brought about by 25 particles. It is concluded from this that the processes leading to visual responses produce multiplication of particles. The effects of temperature and of metabolic poisons suggest that these processes are of chemical nature. 相似文献
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By means of exact conformal mapping method we have defined character of dependence of squares amounts of angular part of film
element on angled part dimension. We propose relations, approximating obtained dependence. Calculation results and experimental
researches of large-scale models are represented. 相似文献
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上市公司为了增强市场竞争力,不断扩大生产规模,追求规模经济,但是由于我国较低生产力水平、政府干预、体制等原因,上市公司的规模经济效果并不明显。同时,20世纪90年代以来,科学技术的日益发展,改变了企业发展的外部环境和条件,使得规模经济的实现方式发生了新的变化。在信息化时代下,规模经济理论需要进一步创新和拓展,企业按照新形势来选择合适的经济规模。 相似文献
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近红外光谱技术在水果品质无损检测中应用的研究与现状 总被引:6,自引:0,他引:6
简单概述了我国水果产业的发展现状,着重阐述了国内外利用近红外光谱技术进行水果品质无损检测的最新研究进展,分析了当今研究中存在的问题,并对利用近红外光谱技术进行水果检测的前景进行了展望,提出了一些建议。 相似文献
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A. M. Emel’yanov 《Semiconductors》2010,44(9):1134-1139
A method for analyzing the luminescence spectra of semiconductors is suggested. The method is based on differentiation of
the spectra. The potentialities of the method are demonstrated for luminescence in the region of the fundamental absorption
edge of Si and SiGe alloy single crystals. The method is superior in accuracy to previously known luminescence methods of
determining the band gap of indirect-gap semiconductors and practically insensitive to different conditions of outputting
radiation from the sample. 相似文献