电平表测试仪

电平表测试仪杨邦文本电平表测试仪，系３００Ｈｚ～５００ｋＨｚ的宽频带电平指示器，测量范围－４３ｄＢ～＋２６ｄＢ，最大测试误差±０．５ｄＢ。输入阻抗分为７５Ω、１５０Ω、６００Ω及高阻四档，可供通讯设备，收录机，电视机及其它电子设备中的一般宽频测量用。...     

微波宽频带功率负载的研究

介绍了５００Ｗ宽频带功率负载的设计及实验结果，并将研究成果扩展到１０～１０００Ｗ范围。负载主要技术指标：输入阻抗５０Ω，频带宽度０～１０００ＭＨｚ，电压驻波比≤１．１．表面最高温升△ｔ≤１００℃。     

Au／Sn与p—HgCdTe的欧姆接触

研究了双层金属结构Ａｕ／Ｓｎ与ｐ－ＨｇＣｄＴｅ上的接触电阻，实验测得Ａｕ／Ｓｎ与ｐ－Ｈｇ１－ｘＣｄＴｅ（ｘ＝０．２１７，０．４１）的经接触电阻，ρｃ（２９５Ｋ，７７Ｋ）为１０＾－２～１０＾４Ω．ｃｍ＾２将这种电板接触应用于Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２３）光伏器件，测得ｐｎ结Ｉ－Ｖ特性的正向斜率为１２．６Ω即电极接触电阻小于１２．６Ω。     

150万门的ASIC

１５０万门的ＡＳＩＣ日本ＬＳＩ逻辑公司推出一组５００ｋ系列的ＡＳＩＣ，它包含三个品种，门阵列ＬＣＡ５００ｋ，１００万门；封闭固定连接陈列ＬＥＡ５００ｋ，单元基区ＬＣＢ５００ｋ，１５０万门。该公司采用３Ｖ、０．５μｍＣＭＯＳ工艺、栅长０．３５μｍ、４层...     

微波宽频带动率负载的研究

介绍了５００Ｗ宽频带功率负载的设计及实验结果，并将研究成果扩展到１０～１０００Ｗ范围。负载主要技术指标：输入阻抗５０Ω，频带宽度０～１０００ＭＨｚ，电压驻波比≤１．１，表面最高温升△ｔ≤１００℃。     

传感器信号环流变送放大器AD693应用

传感器信号环流变送放大器用于双线或三线环路供电，可把多种传感器信号变换成４～２０ｍＡ或０～２０ｍＡ，便于远距离传送，不需调整，便可保证总误差不大于±０．５％。该芯片内有１００ΩＲＴＤ预校正接口，还有基准电源６．２Ｖ和备用放大器，能直接变换各种传感器信号．使用极其简便，一般无需外接元件。     

0．2～1THz范围内双高温约瑟夫逊结振荡器的相位互锁

０．２～１ＴＨｚ范围内双高温约瑟夫逊结振荡器的相位互锁《ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ＞》９９４年（６４卷）第１９期介绍了两个ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７约瑟夫逊结振荡器的相位互锁，其工作频率从０．２到１ＴＨｚ，在０．７ＴＨｚ，８Ω负载上可获得最大...     

GaAs／GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器

本文报道我们在国内率先研制的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外（３～５μｍ）量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外量子阱探测器是光伏型，探测峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ下的５００Ｋ黑体探测率为３e９ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，峰值探测率达到５×１０１１ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，阻抗为５０ＭΩ．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件，在零偏压下该探测器仅在３～５μｍ波段有响应，响应峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ温度下５００Ｋ黑体探测率为３e９ｃｍ     

半导体激光器激活区中一维量子线的研制

采用一维量子线阵列结构作为激活区的半导体激光器与采用二维量子阱结构激活区的常用激光器相比，具有许多优越的性能。利用能量为４０ＫｅＶ的Ｇａ＋离子注人到Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ／ＧａＡｓ二维量子阱，再经白光快速退火，制备了线宽５００～４０ｎｍ的一维量子线并研究其光电特性。     

程控电压源的研制

介绍一种高精度程控电压源的工作原理和操作方法。本机配用双地址只听ＩＥＥ－４８８接口，可用微机控制，也便于面板操作。电源共分四档，其电压变化范围为５０μＶ～１００Ｖ，精度为±０．０５％，最大输出电流为２００ｍＡ，输出阻抗小于１ｍΩ。     

新产品介绍

ＡＤ７７１５单电源、低价格、低功耗１６位∑-△模数转换器特点电荷平衡式ＡＤＣ１６位无失码线性误差０．００１５％·可编程增益前端增益可设置的１，２，３２和１２８具有差分输入能力·３线串行接口·含有模拟输入缓冲器·单源３Ｖ或５Ｖ工作·低电源电流；３Ｖ供电时最大电流５００μＡ·带有可设置输出更新速率的低通滤波器·１６脚ＳＯＩＣ和ＤＩＰ封装ＡＤ２２１００／ＡＤ２２１０３单电源、低价格、单片温度传感器特点·精度优于±２．０％ＦＳ·温度范围：ＡＤ２２１００：－５０～＋１５０℃ＡＤ２２１０３：０～＋１００℃·…     

利用快速热退火在n－GaAs上形成Ge／PdGe欧姆接触

利用Ｇｅ／Ｐｄ／ＧａＡｓ结构和快速热退火工艺在ｎ－ＧａＡｓ上形成低阻的欧姆接触．研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系，４００～５００℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率为～１０－６Ω·ｃｍ２．接触层的表面光滑、界面平整．利用俄歇电子谱（ＡＥＳ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）一揭示和讨论了比接触电阻率的欧姆接触形成的机理．     

一种结构紧凑的同轴无感电阻器

研制了一种结构紧凑的同轴无感电阻器。对方波脉冲响应时间为２ｎｓ，动态电阻值为０．２Ω，电感值为１．２ｎＨ。可用它作为取样电阻，测量峰值小于２００Ａ，脉宽为１０ｎｓ～２００μｓ的脉冲电流。     

C6M—C38 COMMANDER 6 调制器（3）

（上接第１０期）附录Ａ技术指标Ｃｏｍｍａｎｄｅｒ６调制器技术指标视频标准标准基带输入电平范围０．５～２．０ＶＰ－Ｐ,用于８７．５％调制度编码视频输入电平１．０ＶＰ－Ｐ,额定８７．５％调制度视频输入阻抗７５Ω标称视频输入回传损耗３０ｄＢ最小Ｒ系数２Ｔ脉冲　３％最大Ｓ／Ｎ比率６０ｄＢ最小频率响应±０．７５ｄＢ最大→５．０ＭＨｚ微分增益±０．３５ｄＢ在８７．５％调制度微分相位３％Ｐ－Ｐ最大斜率／线路时间失真１．０％最大　　音频标准输入电平范围－１０～＋１０ｄＢｍ输入阻抗６００Ω平衡频率响应±１．０ｄＢ…     

高T_cPTC陶瓷材料的配方研究

选用国产原材料，在（Ｂａ０．３Ｐｂ０．７）ＴｉＯ３＋４％ＡＳＴ＋０．０８％Ｍｎ（ＮＯ３）２材料中，添加（０．２～０．４）％（Ｎｂ２Ｏ５＋Ｙ２Ｏ３）＋０．２％ＢＮ＋（３～５）％ＣａＴｉＯ３（全为摩尔比）。采用传统陶瓷工艺，经１１５０℃适当烧结，可获得ρ２５ｃ≤１０４Ω·ｃｍ，Ｔｃ≥３８０℃，ρｍａｘ／ρｍｉｎ≥１０３，Ｖｂ≥６５０Ｖ的实用高ＴｃＰＴＣ陶瓷材料。     

一种填晶型的隔离介质浆料

在玻璃中加入氧化铝，制成填晶型隔离介质的相对介电常数８～１０，绝缘电阻率大于１０１２Ω·ｃｍ，耐电压强度大于ＡＣ５００Ｖ／２５μｍ，损耗角正切小于５×１０（－３），接近进口同类产品性能指标。     

InGaN量子阱激光器增益和阈值电流的理论计算

根据现有的材料参数，计算了Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ／Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ量子阱激光器的增益、阈值电流密度以及阈值与温度的关系。理论分析表明氮化物蓝绿光激光器的阈值电流密度是ＧａＡｓ材料的５倍以上，但其特征温度可接近５００Ｋ。     

砷注入碲镉汞P—on—N结的电流电压特性

最近,选用Ｎ 型体材料碲镉汞（Ｈｇ１－ ｘＣｄｘＴｅ） 作衬底,成功制备了平面ＰｏｎＮ 结构的光电二极管。文中报道了制备各个波段ＰｏｎＮ 结的一些进展。碲镉汞平面ＰｏｎＮ 结采用砷掺杂在Ｎ 型衬底上形成Ｐ区,砷掺杂由砷离子注入加上退火扩散形成。对ＰｏｎＮ 二极管的电流电压关系温度特性的研究表明：直到１４０Ｋ,长波（λｃ ＝ ９ ．１μｍ）ＰｏｎＮ 结的暗电流以扩散电流为主。制备了从中波到长波各个波段的碲镉汞ＰｏｎＮ 结构红外探测器。目前,对于λｃ ＝ ５ ．２μｍ 的器件,Ｒ０ Ａ 值达到６８Ωｃｍ２ ,黑体探测率Ｄ＊ｂｂ（５００Ｋ） 可达２ ×１０１０ｃｍ Ｈｚ１／２／ Ｗ;对于λｃ ＝ １４ ．５μｍ 的器件,Ｒ０ Ａ 值达到０－２Ωｃｍ２ ,黑体探测率Ｄ＊ｂｂ（５００Ｋ） 可达１ ×１０９ｃｍ Ｈｚ１／２／ Ｗ。     

Al0.3Ga0.22In0.48P/GaAs HBT高温特性的研究

本文研制了Ａｌ０．３Ｇａ０．２２Ｉｎ０．４８Ｐ／ＧａＡｓ高温ＨＢＴ器件,详细地研究了器件在３００Ｋ～６２３Ｋ范围内ＨＢＴ的直流电学特性。结果表明Ａｌ０．３Ｇａ０．２２Ｉｎ０．４８Ｐ／ＧａＡｓＨＢＴ器件具有良好的高温特性,在３００Ｋ～６２３Ｋ温度内,动态电流增益变化小于１０％,Ａｌ０．３Ｇａ０．２２Ｉｎ０．４８Ｐ／ＧａＡｓＨＢＴ可工作至６２３Ｋ,工作温度超过６２３Ｋ后,器件就不能正常工作,经分析发现     

用Raman光谱分析MBE生长GexSi1-x膜的组分及应变

对ＭＢＥ生长的ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金膜用Ｒａｍａｎ光谱分析了其中的组分和应力，发现较厚的ＧｅＳｉ膜应变较小，说明随着膜厚的增加，合金膜内原子排列发生了弛豫。２０ｎｍ厚的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６样品经过ＲＨＴ处理（１０００℃、１０ｓ），应变减小为原始膜的１／４～１／５。说明退火后膜几乎被完全弛豫，同时引入大量的穿通位错缺陷。用退火前后２０ｎｍ样品制作了ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结内光发射红外探测器件。在７７Ｋ下测量，退火前样品的异质结反向电阻达５００ｋΩ以上，而退火后样品只有１ｋΩ左右，根本无法在７７Ｋ下工作。我们提出的方法可以同时确定膜的Ｇｅ组分及膜内应力，方法是非破坏性的。