NAND Flash存储的坏块管理方法

针对NAND Flash海量存储时对数据可靠性的要求,提出了一种基于在FPGA内部建立RAM存储有效块地址的坏块管理方法。在海量数据存储系统中,通过调用检测有效块地址函数确定下一个有效块地址并存入建好的寄存器中,对NANDFlash进行操作时,不断更新和读取寄存器的内容,这样就可以实现坏块的管理。实验证明,本方法可以大大减小所需寄存器的大小并节省了FPGA资源,经过对坏块的管理,可以使数据存储的可靠性有很大的提升。     

一种多通道NAND Flash阵列的坏块管理方案

针对多通道NAND Flash阵列对可靠性的要求,提出一种坏块管理方案,优化坏块信息的存储和查询方法,把坏块和替换块地址映射表存储在FRAM中。测试数据证明,方案可以实现多通道NAND Flash阵列的坏块管理,保证了存储的可靠性。优化的坏块表及查询方法缩短了坏块查询时间,FRAM节省了有效块地址映射时间, 同时FRAM的铁电效应,进一步提高了数据存储的可靠性。     

一种基于NAND Flash固态硬盘的坏块管理方法

基于NAND Flash的固态硬盘存在坏块,坏块无法用于存储数据,需要对其进行管理。每个块用1位信息与之对应建立坏块表,根据坏块表建立逻辑块转变为物理块表,一个逻辑块对应多个不同的物理块。逻辑块转变为物理块表可排除上层对于坏块的操作,保证了数据存储的安全性和可靠性。     

NAND Flash高速图像记录压力测试系统

为了测定NAND Flash 图像记录系统的稳定性以及峰值记录速度指标,减少人工测试量,设计了压力测试系统。针对稳定性测试问题,设计了基于指数回归的速度压力模型和基于对数正态分布的测试时长控制模型;针对峰值记录速度测定问题,提出了基于爬山搜索算法和速率二分法的软硬件协同测试方法。基于有效数据占空比机制设计速率软件可调的硬件数据产生器,用爬山算法粗略确定峰值记录速度区间,再用速率二分法逼近峰值记录速度;系统测试报告通过串口和千兆网输出至上位机显示。实验结果表明:测试系统速度压力调整精度可达0.1MB/s;速度压力范围为0~1 600MB/s;回读数据硬件检验无时钟延迟;被测NAND Flash 记录系统挂载8 片SLC NAND Flash 芯片的峰值记录速度为240.12MB/s,在200MB/s 速度压力下,可以连续工作24 h 以上。测试系统架构为通用化设计,可以对其他传输和记录系统进行压力测试。     

一种NAND Flash动态坏块管理算法的设计与实现

文章针对NAND Flash在大容量数据存储时对可靠性的要求,提出一种基于逻辑一物理块地址映射表的大容量NAND Flash动态坏块管理算法。该方法可彻底屏蔽对坏块的操作,实现对NAND Flash的有效存储,具有较高的实际应用价值。     

基于NAND FLASH高速海量存储系统设计

文中以宽带雷达信号记录为背景,介绍了一种基于NAND FLASH的高速海量存储系统的组成机制和设计方案。系统采用NAND FLASH作为存储介质,FPGA作为主控芯片,通过跨LUN流水操作和ECC校验,实现对高速实时数据的可靠存储。并提出一种有效的坏块管理机制,较为高效地完成坏块管理,同时节省了系统资源。实验结果表明,系统可以以600MB/s的写入速率,300MB/s的读取速率稳定工作。为宽带雷达信号的实时记录研制提供了有力的技术支撑。     

NAND flash靠技术打开市场

大容量小型记忆卡已成为NAND flash的最重要市场,台湾厂商在此已多有布局,不过由于技术受制于人,如果技术授权及权利金问题无法获得完善而快速的解决方式,在小型记忆卡市场中将缺少台湾厂商的身影。     

NAND flash今年难望作为

NAND flash本来开拓了SSD（固态存储器）新应用，将唤起新的需求，迎来更大增长，无奈宏观经济恶化，消费支出下降，而闪存的主要应用市场一消费电子首当其冲，造成库存过剩，激争加剧，价格下降（预计今年1Mb的闪存平均价将比去年惨跌60％），销售滑坡，因而iSupply公司4月曾对今年世界闪存市场从原先预测的增长27％下调到9％、达152亿美元（2007年为139亿美元），     

大容量存储中NAND Flash坏块的管理方法

在当今数字时代,NAND Flash由于其非易失性和读写速度快等原因而在大容量存储中的应用越来越广。但由于Flash中不可避免的会出现坏块,对大容量存储的速度与精度都造成了影响,针对大容量存储中NAND Flash存在坏块对其造成的影响,我们主要研究了NAND Flash中坏块出现的原因,对坏块进行的分类,并提出了相应的管理方案。实践证明,经过对坏块的管理,Flash存储数据的安全性和存储速度都有了很大的提升,提高了系统的整体性能。     

开放式大容量NAND Flash数据存储系统设计与实现

完成了一种基于NAND Flash存储介质的开放武大容量数据存储系统设计,包括硬件系统以及软件系统的设计,并在软件设计中重点提出了应用于NAND闪存的数据管理算法,通过二级地址映射,按块中的脏页数回收脏块和按时间标记转移静态信息实现坏块管理,均匀损耗.该设计能为各种存储器件提供底层的NAND闪存存储系统,使其能方便快速地存储数据而不需要考虑NAND闪存的物理特性.     

一种基于大容量数据记录仪的坏块管理设计

总结了目前基于FPGA的NAND Flash芯片数据记录仪常用的坏块处理方法,提出了一种基于FPGA的大容量数据记录仪的坏块管理方案.该方案利用FPGA内部RAM空间建立坏块地址信息存储区,通过坏块查询模块来查询存储区中的坏块信息,来确定当前存储块是否为坏块,若是坏块则跳过,从而避免对坏块的操作,实现了对Flash存储空间的有效管理.该方案只占用FPGA较少的内存资源,在大容量数据记录仪的坏块管理方面具有较大的优势.仿真分析表明,该方案可行,并取得了预期结果.     

大容量NAND Flash K9T1G08UOM在网络存储中的应用

针对嵌入式系统对存储的需求，提出了基于大容量NAND Flash的存储方案。简要介绍NAND Flash器件K9T1G08UOM及其编程特点，并讨论了网络存储应用的存储策略和数据可靠性方面的考虑，设计并实现了网络数据流的NAND Flash存储。     

NAND闪存错误缓解技术综述

NAND闪存以其高存储密度、高速、低功耗等优点被广泛应用于数据存储.三维堆叠闪存技术的出现和多值存储技术的发展进一步提高了密度,降低了存储成本,同时也带来了更加严重的可靠性问题.闪存主控厂商一直采用更强大的纠错码(ECC),如BCH和LDPC码来对闪存中的数据错误进行纠正.但当NAND闪存中的错误数超出ECC纠错能力时...     

适于空间图像闪存阵列的非与闪存控制器

提出一种适于空间应用的非与(NAND,not and)闪存控制器。首先,分析了空间相机存储图像的要求,说明了闪存控制器结构的特点。接着,分析了闪存数据存储差错的机理,针对闪存结构组织特点提出了一种基于BCH(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem,2108,2048,5)码的闪存纠错算法。然后,对传统BCH编码器进行了改进,提出了一种8bit并行蝶形阵列处理机制。最后,使用地面检测设备对闪存控制器进行了试验验证。结果表明,闪存控制器能快速稳定、可靠地工作,在闪存单页2Kbt/page下可以纠正40bit错误,在相机正常工作行频为2.5kHz下拍摄图像时4级流水线闪存连续写入速度达到133Mbit/s,可以满足空间相机图像存储系统的应用。     

FAT文件系统在NAND FLASH上的磨损均衡研究

提出一种应用于NAND FLASH上实现FAT文件系统磨损均衡的方法,通过保留已删除文件在FAT表中的表项和重写文件时将内容写入新簇的方式,实现对NAND FLASH的均衡使用.在牺牲一定读写速度的前提下,有效地实现了对NAND FLASH的均衡磨损,延长了NAND FLASH的使用寿命.在文件系统层研究磨损均衡,实现难度小,且对标准FAT文件系统兼容,具有一定的可行性和实用性.     

基于NAND Flash的海量存储器的设计

针对存储系统中对存储容量和存储带宽的要求不断提高,设计了一款高性能的超大容量数据存储器。该存储器采用NAND Flash作为存储介质,单板载有144片芯片,分为3组,每组48片,降低了单片的存储速度,实现了576 Gbyte的海量存储。设计采用FPGA进行多片NAND Flash芯片并行读写来提高读写带宽,使得大容量高带宽的存储器得以实现。针对NAND Flash存在坏块的缺点,提出了相应的管理方法,保证了数据的可靠性。