基于视觉对位的高精度封焊技术

在传统TO光器件封焊工艺中,封焊精度主要依靠管壳外径与管帽外径的尺寸公差决定。为了增强光芯片透过管帽透镜的出光功率,提高后道耦合效率,需解决管帽透镜中心与光芯片高精度对位的关键技术难题,将视觉定位技术引入封焊工艺是重要解决路径。。     

模拟与混合信号

使用无铅回流焊工艺的SMD LED Vishay Intenechnology推出可使用无铅(Pb)回流焊工艺的高强度SMD LED,这些产品可直接替代Vishay TLM系列中的器件。新型VLM系列中的器件主要用于以下方面的应用：汽     

基于平行缝焊工艺的AuSn合金焊料封盖技术研究

为了解决聚合物粘结电路的质量与长期可靠性问题,提出了一种采用平行缝焊工艺对AuSn合金焊料熔封器件进行封盖的新方法。通过对平行缝焊工艺的深入研究,解决了该类器件封盖的气密性与外观质量问题,从而找到了一种有效解决熔封外壳组装的低温聚合物粘结电路水汽含量、抗剪强度、键合强度控制的新方法。     

SMT再流焊工艺及其仿真研究现状

回顾考察了迅速发展中SMT再流焊方法和工艺的发展及其研究现状,着重评价了国外制定再流焊工艺研究的技术水平,以及国内在制定再流焊工艺方面的状况和不足,最后展望了再流焊工艺的预测仿真对制定再流焊工艺的巨大影响和促进.     

SMT学习园地波峰焊工艺介绍

波峰焊主要用于传统通孔插装印制电路板电装工艺,以及表面贴装与通孔插装元器件的混装工艺。适用于波峰焊工艺的表面贴装元器件有矩形和圆柱形片式元件、SOT以及较小的SOP等器件。     

倒装焊后清洗工艺及其对底部填充的影响

倒装焊封装是通过将整个芯片有源面进行管脚阵列排布并预制焊料凸点,通过倒装焊工艺进行互连,与传统引线键合技术相比具有更高的组装密度及信号传输速率,是实现电子产品小型化、轻量化、多功能化的关键技术之一.对于小尺寸微节距的倒装焊芯片来说,焊后清洗的难度相对更大,因此清洗技术也是影响倒装焊工艺的重要因素.针对不同清洗方式及参数...     

钛——铜合金钎料

一、概述:钎焊是电真空器件企业中应用非常广泛的工艺之一。随着“四化刀建设的发展,其它工业部门也需要用“钎焊”工艺。常用的钎料为真空冶炼的:金镍、金铜、锗铜、银铜等。从“不锈钢钎焊工艺的改革”与“钛在钼与无氧钢钎焊中的应用”的工艺中,发现了钛可被广泛应用于钎焊工艺的可能。故对     

混合集成电路金丝热超声球焊工艺及应用发展

混合集成电路工艺已成为今后电源和器件等微型化模块快速发展的关键瓶颈,在简要介绍内部引线键合技术的基础上,重点讨论HIC和MCM中广泛应用的直径25.4μm金丝热超声球焊工艺的技术特点、材料特性、工艺过程、工艺控制、工艺设计、目检要求、强度测试和应力试验,介绍了该工艺在近期的应用与发展.     

雷达馈线零部件低温钎焊工艺优化研究

针对铜合金馈线波导器件工艺过程中出现的电镀发黑、镀层不牢等难题,进行了大量工艺试验及低温钎焊工艺的优化研究。结果表明,镀层发黑的主要原因为焊缝结合率不高、致密性不够,电镀过程中的清洗液残留所导致。通过试验,得到了优化的馈线零部件低温钎焊工艺,并对焊接结构进行了改进,使钎焊质量能够满足产品的尺寸精度、电镀要求。     

细节距SMD的焊接技术

人们乐于采用整体再流焊技术(Mass Ref-low),以焊接装有细节距器件的SMT印制电路板。但是,对于产量较低而成本又非主要考虑的场合,采用某些局部再流焊工艺(Localized Ref-low)会更有效。     

与CMOS-SEED灵巧象素相关的倒装焊工艺

介绍了新型ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧象素结构原理及相关的倒装焊技术,采用厚光致抗蚀剂作掩模,通过磁控溅射和真空蒸发相结合,解决了与ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ有关的Ｉｎ凸点阵列成型等关键工艺,并用Ｍ８－Ａ型可视对准式倒装焊系统完成了ＣＭＯＳ电路芯片和ＳＥＥＤ阵列芯片的倒装焊。     

BGA封装技术

本文简述了BGA封装产品的特点、结构以及一些BGA产品的封装工艺流程,对BGA封装中芯片和基板两种互连方法——引线键合/倒装焊键合进行了比较以及对几种常规BGA封装的成本/性能的比较,并介绍了BGA产品的可靠性。另外,还对开发我国BGA封装技术提出了建议。     

倒装焊技术及应用

随着集成电路封装密度的提高,传统引线键合技术已经无法满足要求,倒装焊技术的发展能够解决该问题,并且得到了广泛的应用。文章介绍了倒装焊中的4种关键工艺技术,即UBM制备技术、凸点制备方法、倒装和下填充技术。其中凸点制备技术直接决定着倒装焊技术的好坏,为满足不同产品的需求,出现了不同的凸点制备技术,使倒装焊技术具备了好的发展前景。文章对各工艺技术的应用特点进行了阐述,并对倒装焊技术的发展前景进行了展望。     

Packaging and Assembly of 3-D Silicon Stacked Module for Image Sensor Application

This paper is for process development of assembly technologies used to fabricate the 3-D silicon carrier system-in–package (SiP). The five assembly technologies are wafer thinning, thin flip chip attach on silicon carrier, ultra low loop wire bonding, glass cap fabrication and sealing, and silicon carrier stacking. The developed SiP has three silicon carriers with four flip chip and one wire bond die chip attached to them and the carrier is stacked one above the other to form the 3-D silicon carrier SiP. Eight-inch bumped wafer thinning down to less than 100 $mu{hbox {m}}$, lower flip chip interconnect height between the chip and the carrier down to 35 $mu{hbox {m}}$, 40–50- $mu{hbox {m}}$ low loop wire bonding on overhang by direct reverse wire bonding method using 1-mil-diameter Au wire are achieved. And investigation of three types of thin film metallization systems for wirebonding and investigation of two different methods in fabricating glass cap are also studied.      

倒装焊接技术及其发展

文章主要介绍了倒装片技术从起源到现在的发展状况,并对倒装片的工艺优点及电气方面的优点作出评价,提出倒装片将成为今后大型计算机组装工艺中的关键技术。     

百万像素级红外焦平面器件倒装互连工艺研究

介绍了倒装互连技术的工艺原理,阐述了红外焦平面器件倒装互连的工艺特点。通过系列实验和分析,最终优化并确定了百万像素级红外焦平面器件倒装互连的工艺参数,获得了良好的互连效果。     

键合拉力测试点对键合拉力的影响分析

随着现代封装技术的高速发展,对于封装产品质量的检测要求越来越严格,而键合拉力测试是封装产品质量检测中的重要一项,而在相关标准上并未对键合拉力测试点及键合线弧度对测量结果所产生的影响给出明确的规定。基于此,文章介绍了测量点位置、引线弧度、测量速度等因素对引线键合拉力测试准确性的影响。然后通过客观的分析提出了科学合理的键合强度测试的方法,为客观准确的测量键合拉力奠定了基础。     

表面活化连接/SAB微电子系统超高密度互连技术

介绍一种微电子系统用新型超高密度、高可靠互连方法及表面活化连接(SAB)技术。同种或者不同材料之间,经过洁净和表面活化处理之后,在一定条件下,适当的压力下可以获得非常可靠的连接,同传统的引线键合、焊料球倒装焊、导电胶连接等相比,SAB具有明显的优势,特别适合于开发高集成度、微小型的电子装置。并介绍相关的SAB室温连结装置以及低温SAB倒装焊机,SAB技术用于开发新型微电子系统的一些具体例子。     

微波多芯片组件中的微连接

实现微波多芯片组件(MCM)电气互连的微连接技术是MCM组介绍微连接的三种基本方式丝焊键合、凸点倒装和载带贴装,侧重介绍了各连接方式的优势和连接形式并进行了分析.