人造水晶生长用高压釜失效分析

人造水晶生长用高压釜失效分析董毅李晓玲董霞徐小伟高荣奎（内蒙第二机械制造总厂，包头０１４０３０）（中国人民解放军驻６１７军代室）高压釜是生长人造水晶的一种高压容器，要求工作温度≤３８０℃，额定工作压力为１３７ＭＰａ，高压釜体内碱溶液浓度≤１．２Ｎ。该...     

大块水晶的生长

通过对生产技术数据统计、整理，分析研究了影响大块水晶生长的物理化学条件，为生长优质大块水晶提供了合适的工艺数据。     

高质量人造石英晶体的生产（I）

评述了高质量人造石英晶体生产的动态以及晶体中的缺陷，如籽晶罩、包裹体、位错、腐蚀隧道及杂质等。电清洗技术能有效地排除杂质和减少腐蚀隧道密度。简要介绍了人造石英晶体的应用。     

青海天然湖盐晶体的结构缺陷与红外透射率研究

对青海湖盐晶体进行了结构缺陷的观察和红外透射率的测量,将所得结果与人工生长的氯化纳晶体进行了比较,发现青海湖盐的位错分布和人工晶体的位错分布不同:前者具有单个位错均匀分布的特征,后者除单个位错外,还呈现由位错密排形成的亚晶界网络。两种晶体的红外透射率几乎完全相同,表明天然湖盐晶体的位错密度和分布状况不太影响其红外透射率。     

双光束光解法研究红外吸收光谱

介绍一种研究红外吸收光谱的双光束光解方法。用紫外激光３００ｎｍ解离在Ｃ６Ｈ１２中的Ｃｒ（ＣＯ）６和用可见激光５３２ｎｍ解离Ｃｒ（ＣＯ）５．Ｃ６Ｈ１２来研究Ｃｒ（ＣＯ）５的瞬态红外光谱。     

交联电缆内外半导电屏蔽层质量缺陷的改进

主要对交联电缆绝缘线芯生产中内外屏蔽层容易出现的偏心、内屏蔽露导体或漏洞、外屏蔽表面凹凸不平和突起、外屏蔽表面出现波浪或竹节纹、外屏蔽层擦伤、绝缘线芯局部放电量超标等若干质量缺陷问题进行了分析研究,并提出了具体改进方法的说明。     

TFT—LCDs的缺陷检测和修补技术

概述了 TFT-LCDs 的缺陷分类、成因以及各种 TFT-LCDs 无缺陷技术,着重阐述了 TFT 矩阵板的一种电气缺陷检测原理和确定缺陷类型及位置的方法;介绍了各种缺陷的激光修补技术。     

红外热成像组合化学分析系统的开发与应用

由于红外CCD对温度变化的敏感性,本研究工作设计了一套红外热成像高通量组合化学分析系统.本分析系统的工作原理是利用色谱柱对化学物质先进行分离,分离后的物质由氧载气带入催化剂床进行燃烧,燃烧使催化剂床温度升高,利用IRCCD相机记录温度信号进行分析.这一技术可以同时记录许多信号,实现多样品的高通量分析.本研究工作设计了一个具有8通道的分析系统,以甲醇和丙酮为实例证实了该系统的可行性.     

热成像技术在冷壁加氢反应器热故障识别中的应用

本文通过红外热像的测试，结合设备结构特点，对冷壁加氢反应器的裂纹、减薄及剥落等故障的热特性进行了分析与识别，获得的热像特性可供同类设备参考。     

浅析两种OCA贴合方式产生的贴合缺陷

文章介绍了网板和真空吸附台两种OCA贴合方式的原理,并对这两种贴合方式在实际生产过程中出现的一些贴合缺陷做了一些分析,提出了相关的解决思路。     

掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究

采用化学气相传输法生长了掺Sb的ZnO体单晶,生长温度为950℃.与非掺ZnO单品相比,掺Sb后ZnO单晶仍为n型,其自由电子浓度明显升高.x射线光电子能谱(XPS)测量结果表明.掺人的Sb在ZnO单晶中可能占据了Zn位,或处于间隙化置,形成了施主.利用光致发光谱(PL)测量发现掺Sb后ZnO单晶发出蓝光,该蓝色荧光与浅施主有关.这些结果表明在高温生长条件下,掺Sb后ZnO单晶中产生了高浓度的施主缺陷,因而难以获得P型材料.     

掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究

采用化学气相传输法生长了掺Sb的ZnO体单晶,生长温度为950℃. 与非掺ZnO单晶相比,掺Sb后ZnO单晶仍为n型,其自由电子浓度明显升高. X射线光电子能谱（XPS）测量结果表明,掺入的Sb在ZnO单晶中可能占据了Zn位,或处于间隙位置,形成了施主. 利用光致发光谱（PL）测量发现掺Sb后ZnO单晶发出蓝光,该蓝色荧光与浅施主有关. 这些结果表明在高温生长条件下,掺Sb后ZnO单晶中产生了高浓度的施主缺陷,因而难以获得p型材料.