烟机转速控制在ESD中的应用

大型烟气能量回收机组是催化装置的关键生产设备,其轴流式压缩机具有效率高、流量大等突出优点,但其特性曲线很陡,对操作和维护的要求也很高。当轴流三机组的某个重要工艺条件或参数不满足正常操作的要求或机组发生紧急故障,特别是发生烟机超速、喘振和逆流时,必须采取果断措施使机组安全运行或紧急停车,否则就会给机组带来极其严重的损坏,因此,设计并实现高可靠性的、易于操作的自动保护联锁及烟机转速控制系统是十分关键的。     

静电场描绘实验中出现的问题分析

本文从实验事实出发,分析《用模拟法描绘静电场》实验中误差产生的主要原因。     

改进型偶极子模型的静电放电相关电场计算

分析了静电放电 (ESD)过程中电磁场偶极子模型存在的缺陷及其产生原因。提出了改进型偶极子模型 ,并根据实测 ESD放电电流波形 ,对 ESD在不同空间距离处产生的电场进行了计算 ,结果与有关文献的数据基本吻合     

ESD辐射场的计算及对传输线的耦合研究

为分析静电放电的辐射场及其对传输线与负载终端的影响,采用了一种基于脉冲函数的静电放电电流波形解析表达式计算了静电放电电磁脉冲辐射场并给出了近场和远场波形。结果表明放电电场包括由初始电荷引起的静电场和由放电电流引起的辐射场,在放电电极附近,静电场远大于辐射场,但静电场随空间距离衰减得很快,在远区场主要由放电电流引起的辐射场。利用传输线理论建立静电放电场对电长导线的耦合计算模型得出了静电放电辐射场在线上的感应电压和感应电流计算方程。     

静电放电电流的频谱分析与计算

从静电放电的人体模型入手 ,从理论上详细分析并计算了更具实际意义的人体 -金属模型静电放电电流的频谱 ,解决了电磁兼容 (EMC)测试中注入信号的特性问题。计算结果表明静电放电的高频能量相对较少 ,存在一有效带宽。静电放电电流的准确测试系统应有超宽频带和近百 d B的动态测定范围     

乙苯装置ESD系统的设计与实现

ESD系统是大型流程工业生产装置的自动保护系统。它可以防止由于生产工艺故障或其他一些事故对工艺设备、生产系统、操作人员的损害,保证生产能够安全地运行,本文结合兰州石化公司合成橡胶厂对乙苯装置联锁系统ESD的研究与设计,介绍了ESD系统的结构和实现。     

电子元器件检测实验室的静电防护体系

简要介绍ANSI／ESD S20．20静电放电防护控制方案,具体分析了静电放电对元器件造成的失效模式,并对静电放电损伤模型进行了深入比较分析。针对电子元器件检测实验室,依照ANSI／ESD S20．20标准规范化、系统化地提出了一套较为完善的静电防护体系。     

ESD辐射场数值建模与FDTD分析

采用 FDTD法研究了 ESD电流注入到细导线中所产生的辐射场 ,建立了数值模型 ,并计算和分析了产生的辐射场特征及导线半径和导线长度对辐射场的影响 ,结果表明 :在同等条件下 ,ESD电流通过细导线产生的辐射场比ESD火花产生的辐射场强的多 ,FDTD法与 Mo MTD法计算结果一致并与实验结果吻合     

一种基于PLC的ESD系统的冗余设计与实现

介绍一种基于SiemensS7— 4 1 4DPPLC的双机冗余紧急停车系统 ,主要讨论该ESD系统的冗余设计及其实现方法 ,给出双机冗余工况下WinCC和STEP7的有关配置和编程方法     

静电防护测量仪器综述

静电防护测量仪器是依据静电防护标准中的技术指标要求设计的.本文分析了静电防护被测对象的技术要求和特点,以及它们所依据的技术标准,总结归纳了静电防护领域常用的测量仪器,按照被测参量分为:电阻、静电电压、静电电荷量以及静电放电屏蔽等测量仪器,列举了典型仪器的测量原理、特点,以及各类仪器的发展趋势.     

ESD脉冲对集成电路损伤效应的实验研究

为了研究复杂波形脉冲对集成电路的损伤效应,用改变ESD模拟器放电参数产生的不同的静电放电脉冲对某集成电路芯片进行了注入损伤效应实验。给出了各主要的损伤参数与放电电压的散点图,并借助曲线拟合的方法进行了分析。结果表明:IC芯片注入通路上的电阻在脉冲波形发生变化时变化不大,电流随放电电压增大;芯片上的峰值功率及峰值能量与放电电压满足P(W)=AUBD。最后,比较了各脉冲注入下器件的主要参数损伤阈值,得到结论:ESD模拟器放电参数改变对器件损伤阈值大小的影响在1~2倍间,相同参数在不同注入脉冲下的阈值处于同数量级。     

A modified LDMOS device with improved ESD protection performance

A modified lateral‐diffusion metal–oxide–semiconductor (MLDMOS) device with improved electrostatic discharge (ESD) protection performance is proposed for high‐voltage ESD protection. In comparison with the traditional LDMOS and the LDMOS with an embedded silicon‐controlled rectifier (LDMOS‐SCR), the proposed device has better ESD robustness and higher holding voltage. By optimizing key parameters, such as the spacing between the drain and the poly gate, the effective channel length, and the number of fingers, the MLDMOS can achieve a maximum failure current over 80 mA/µm, which is larger than that of LDMOS‐SCR. © 2014 Institute of Electrical Engineers of Japan. Published by John Wiley & Sons, Inc.