晶闸管集成触发电路实验装置

本介绍了近年来广泛使用的K系列集成触发电路KJ009的工作原理，以及由KJ009组成的单相集成触发电路，三相集成触发电路，近年来，各类变流装置的晶闸管触发电路广泛采用集成触发电路来替代分立元件的触发电路，具有可靠性高，技术性能好，体积小，功耗低等优点，本中以目前使用最为广泛的KJ009及KJ0041为芯片组成的集成触发电路实验装置，将有助于学生学习和掌握这方面的知识。     

集成触发电路应用研究

本文介绍一种用TC787集成芯片构成的晶闸管触发电路，实际应用结果表明，其性能良好，电路简单，运行可靠．     

两种晶闸管触发电路

设计了单、双向晶闸管触发电路。实用结果表明,采用国产的集成过零检测器KJ008,附加简单的外围电路,可方便地实现双向晶闸管的电压过零触发和电流过零触发。单向晶闸管的电压过零触发可利用简单的晶体管电路。利用交流电源的同步隔离信号及LM 311组成的过零检测电路可完成单、双向晶闸管的公用触发及微机群控。     

采用集成运放的晶闸管触发电路

叙述了由运算放大器组成的晶闸管触发电路的基本结构、工作原理，并介绍了该触发电路在小功率晶闸管直流调速系统中的应用。     

一种晶闸管数字式触发电路

介绍一种由数学集成电路构成的晶闸管触发电路及其工作原理。     

晶闸管强触发装置设计与应用

阐述了应用单片机技术实现晶闸管强触发工作方式的电路原理，并对实际应用系统工作情况作了说明。     

一种晶闸管相控数字触发电路

介绍一种由锁相环、计数器、模拟开关以及５５５定时器等构成的数字晶闸管触发电路，该电路结构简单、调试方便、运行可靠，有较高的触发脉冲对称度．     

晶闸管触发电路与主电路电压的同步问题

本文叙述了三相变流装置在整流变压器、同步变压器接线方式不同、负载性质不同、触发电路类型不同情况下,同步电压与主电压相应关系的选择。     

时序电路设计中解决“挂起”问题的方法

给出设计过程中判断和解决“挂起”现象的完整方法。对“挂起”现象的判断是在采取一种化简方案之后进行的,如果有“挂起”,则可直接分析状态转换特点,得出化简方案的改变方向,较快地解决“挂起”问题。     

浅谈"集成电路制造工艺"的课程建设和教学实践

首先介绍了"集成电路制造工艺"课程建设的指导思想,然后阐述了课程建设的内容和实施情况,最后对课程建设的效果进行了简要的分析和总结。通过三届本专业学生的教学实践,收到了较好的效果。     

单片集成电路逆向分析解剖方法

针对PN结隔离集成电路芯片的逆向分析,提出了一种剖析方法,并给出剖析过程中的一些工艺条件,利用该方法对简单集成电路进行了逆向分析,提取电路原理图,绘制版图．经电路仿真验证,所提取的电路与被剖析的实际电路输出特性基本一致,从而为其他集成电路的剖析提供一种参考方法．     

集成式电力电子电路实验装置的研究

本文简述了集成式电力电子电路实验装置的结构原理,重点讨论了KCZ_6六脉冲触发电路的工作原理及其波形;最后介绍了该装置在应用电子技术教学实验中的应用;并指出该装置还可用于电子技术及直流输电的科学研究中。     

集成电路保护装置出口电路的研制

水电站集成电路成套保护装置的研制”是我们已完成的河南省重大科技攻关项目。本文介绍我们在研制过程中对出口电路部分的研究。     

“集成电路工艺原理”课程教学实践环节的探索

针对学校大型实验设备不足的现状,探索了集成电路工艺原理课程的实践教学手段和方法。长期教学实践活动表明,开设重点实验和采用工艺模拟软件等教学手段能有效地达到提高学生综合实践能力的教学目的,更有利于学生就业和进一步深造。     

一种有效的微波集成电路设计优化方法

给出一种基于正交设计的微波集成电路设计优化的方法，该方法采用多轮正交设计，通过模拟设计参数空间中有限组电路的频率响应，可在整个参数空间中对多个目标快速寻优。与传统方法相比，该方法不依赖初始值，能够较快地收敛到全局最优解。用微波宽带四级分布放大器设计算例表明该方法可用于电路设计优化，具有实用价值。     

项目教学法在单片机教学中的运用实践

传统的单片机教学方法,重知识传授,轻学生技能的培养,这与高职学院培养应用技术型人才的宗旨不符。项目教学法的提出,既克服了传统教学的不足,也加强了学生动手能力的培养,同时也锻炼了学生在分析问题、解决问题的能力和克服困难的良好品质。     

磁场在硅集成电路制造工艺中的应用

分析了磁控直拉法技术和磁场增强型反应等离子刻蚀技术在现代半导体集成电路制造工艺中的应用．简要论述了学科交叉的重要意义．     

集成电路互联金属的电迁移效应研究

电迁移效应是因传导电子动量对金属的轰击作用造成金属互连线原子迁移、堆积、断裂的现象,是集成电路损坏的重要原因。本课题用离子束溅射,在介质层上沉积Al,Al—Cu和Cu薄膜,然后对三种薄膜材料进行光刻,得到所需的线条。对经光刻后的各种材质线条通以不同的电流密度,观察电迁移发生的极限电流密度,实验测得Al的极限电流密度为2．706×10^5A／cm^2,含10％Cu的Al—Cu合金的极限电流密度为1．331×10^6A／cm^2,通以Al线条45倍电流密度下,Cu没有观察到电迁移现象。由此可以得出结论,Cu有着很好的抗电迁移性能,在Al中掺入10％左右的Cu可以有效的提高其抗电迁移的能力。