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选用PIN二极管设计了一款工作在L 波段的高功率单刀双掷(SPDT)开关,能耐受100 W连续波功率信号。开关采用串并联结构,增大开关的隔离度的同时拓宽了带宽。通过厚膜工艺、丝网印刷制作微带线、微组装工艺完成各个器件焊接互联,完成开关的制作。开关采用-5 V/+30 V 的偏置电压进行控制。实测表明:该单刀双掷开关在1~2 GHz 内,插入损耗小于0. 7 dB,频带内输入驻波比和输出驻波比均小于1.4,隔离度大于25 dB,在连续波100 W 功率下,二极管最高温度为122.6 ℃,满足设计需求。 相似文献
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采用76.2mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30~36GHz工作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34dB。开关在导通态下输入功率0.5dB压缩点P-0.5 dB大于5W。 相似文献
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实现了一种采用微波开关(PIN)二极管设计的低插损、高隔离度的 W波段单刀双掷开关(SPDT)。电路采用了改进的 Y 型结和梳状线高通滤波器形式的鳍线结构,有效提高了端口隔离度,降低了插入损耗。仿真结果显示,导通端口在88 GHz~99 GHz内的插入损耗小于0.7 dB,断开端口隔离度大于58 dB。测试结果显示,在频段90 GHz~95 GHz内,输入端口与输出端口1之间的插入损耗低于3.7 dB、隔离度高于33 dB;输入端口与输出端口2之间的隔离度高于33 dB、插入损耗低于3.8 dB。 相似文献
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采用两个pin二极管设计、仿真,制作了一个8~20 GHz并联结构的高功率容量的单刀双掷开关。首先通过采用一个新的电路结构,该电路结构除了传统的并联pin单刀双掷开关结构外,还有微带线匹配电路部分,克服了并联结构单刀双掷开关难以实现大的带宽的缺点。然后选择合适的二极管,根据其参数,建立开路、短路等效电路模型;利用Ansoft Designer软件对电路进行了仿真和优化。最后根据优化结果制作并测试了单刀双掷开关。该单刀双掷开关插入损耗在频率8~20 GHz内小于1.7 dB,在频率8~15 GHz内小于1.5 dB;开关隔离度在整个频带内大于21 dB;在14 GHz耐功率容量大于10 W(CW)。 相似文献
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<正> 为满足用户的要求,南京电子器件研究所已研制成功一种8~18GHz PIN管单刀双掷开关。电路采用全并联PIN管结构和MIC的方法在8~18GHz频带内获得较小的插损、高隔离度、高开关速度、大功率容量和易于批量生产的微波开关元件。所用的PIN管芯采用台式结构,二氧化硅钝化保护,Ti-Mo-Ti-Au多层金属作为欧姆接触,以降低正向微分电阻并保证可靠性。开关的同轴接头为SMA。 相似文献
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GaAs PIN二极管具有开态电阻小、截止频率高以及功率容量大的特点,采用GaAs PIN二极管制作的开关插入损耗较小、隔离度较高、并且功率的线性较好。基于河北半导体研究所GaAs PIN工艺制造了一款单刀双掷开关芯片。该开关采用单级并联结构。通过微波在片测试,在小信号条件下,6~18 GHz范围内插入损耗小于1.45 dB、隔离度大于28 dB,输入输出反射损耗小于7.5 dB。把开关装入夹具中进行功率特性测试,在连续波输入功率37 dBm,12 GHz条件下测试输出功率仅压缩0.5 dB,具有非常好的功率特性。在4英寸(100 mm)晶圆上开关的成品率较高,具有非常好的工程应用前景。 相似文献
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采用低成本方法设计了一款W波段单刀单掷开关。通过在单独加工的石英基片无源电路上安装倒装PIN管,获得了一款W波段准毫米波单片(Q-MMIC)开关。为了获得低损耗、高隔离度性能,开关设计中采用了3-D PIN管模型和电路补偿结构。测试结果表明开关在88GHz时插入损耗最小,最小值为0.5dB;在80-101 GHz频率范围内,开关导通时的插入损耗小于2 dB;在84-104 GHz频率范围内,开关隔离度大于30 dB。整个开关电路尺寸为1.5 mm× 3.0 mm。 相似文献
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Zhengbin Xu Jian Guo Cheng Qian Wenbin Dou 《Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves》2011,32(12):1434-1445
In this paper, a W-band single pole single throw (SPST) switch based on a novel PIN diode model is presented. The PIN diode is modeled using a full-wave electromagnetic (EM) simulator and its parasitic parameters under both forward and reverse bias states are described by a T-network. By this approach, the measurement-based model, which is usually a must for high performance switch design, is no longer necessary. A compensation structure is optimized to obtain a high isolation of the switch. Accordingly, a W-band SPST switch is designed using a full wave EM simulator. Measurement results agree very well with simulated ones. Our measurements show that the developed switch has less than 1.5 dB insertion loss under the ??on?? state from 88 GHz to 98 GHz. Isolation greater than 30 dB over 2 GHz bandwidth and greater than 20 dB over 5 GHz bandwidth can be achieved at the center frequency of 94 GHz under the ??off?? state. 相似文献
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A Novel SiGe PIN Diode SPST Switch for Broadband T/R Module 总被引:2,自引:0,他引:2
Sun P. Upadhyaya P. Jeong D.-H. Heo D. La Rue G. S. 《Microwave and Wireless Components Letters, IEEE》2007,17(5):352-354
A novel octagonal SiGe p-type intrinsic n-type (PIN) diode single pole single throw (SPST) switch is first implemented in a standard 0.18-mum SiGe BiCMOS technology. Distinctive radio frequency performance of monolithic silicon PIN diode switch is achieved for broadband applications with improvement of its geometry. Over the 2-16GHz frequency band, the PIN diode SPST switch exhibits an insertion loss of less than 1dB and isolation between 42dB to 19dB. An accurate small signal model of series PIN diode is also presented 相似文献
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