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在美国从事ＭＣＴ研制的公司主要有三家。本文介绍了其中两家－－Ｈａｒｒｉｓ和ＳＰＣＯ公司ＭＣＴ的研制情况，其中Ｈａｒｒｉｓ是世界上最早从事ＭＣＴ研究，并且是全球唯一一家大批量生产ＭＣＴ的公司，它的研制、生产水平代表了ＭＣＴ的全球发展水平，因此Ｈａｒｒｉｓ公司ＭＣＴ的发展计划，可以说是ＭＣＴ器件的未来。 相似文献
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傅炜 《固体电子学研究与进展》1994,14(1):22-27
利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ功率特性的线性化模型，求出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ近似最佳功率负载阻抗，为利用谐波平衡法计算提供初值。然后，使用自行研制的谐波平衡分析软件包，进行ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为９．６ｍｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯，利用内匹配功率合成技术，在Ｃ波段（５．５～５．８ＧＨＺ）制成１ｄＢ压缩功率大于８Ｗ，典型功率增益９ｄＢ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内匹配功率管。 相似文献
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功率半导体专家国际整流器公司 (ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒ ,简称ＩＲ)推出经济实惠的标准表面贴装(ＳＭＡ、ＳＭＢ及ＳＭＣ)及轴向引线 (ＤＯ 2 0 1及ＤＯ 2 0 4 )封装ＭＢＲ系列肖特基整流器 ,扩大了功率管器件系列。设计人员现在可以利用更多元化的肖特基整流器 ,配合ＩＲ其他功率半导体产品 ,包括ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ、栅驱动集成电路及Ｐ Ｎ结型二极管 ,实现完整的功率系统方案。肖特基二极管用于 12Ｖ以下输出整流级、开关电源、其他功率系统、电池反向保护、续流电路及高频或过冲 /下冲箝位电路。肖特… 相似文献
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飞利浦半导体公司开发了一种具有极低开态电阻和额定电压为２００Ｖ的功率ＭＯＳ－ＦＥＴ器件。这种“硅ＭＡＸ”器件采用沟槽ＭＯＳ工艺,兼有大功耗和快速开关速度的性能,其１００－２００Ｖ的额定电压来源于ＤＭＯＳ功率ＭＯＳＦＥＴ。这种新器件在开关型功率源,ＤＣ／ＤＣ转换器以及负载开关应用方面,特别具有吸引力。 新的功率ＭＯＳＦＥＴ的低开态电阻是利用大量制作在硅芯片上的小ＭＯＳＦＥＴ单元并联获得的。在给定硅片上,由于减小了单元的尺寸,增加了单元了数目,从而降低了开态电阻。但单元间距离变近,使单元之间产生相互… 相似文献
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孙再吉 《固体电子学研究与进展》1994,(3)
０．１μｍ栅长的ＣＭＯＳ电路门延迟为１１．８Ｐｓ据《ＮＩＫＫＩＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ》１９９３年第１２—２０期报道，１９９３年１２月６～８日在美国召开的国际电子器件会议（ＩＥＤＭ）上，美国ＡＴ＆Ｔ贝尔实验室，ＩＢＭ公司，日本富士通研究所和东芝研究开发... 相似文献
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ＨＩＣＯＭ交换机上数字电话机的使用罗锦竹ＨＩＣＯＭ数字程控用户交换机目前所使用的数字电话机型号较多，主要有ＢＡＳＩＣ３００（ｓｅｔ４５１Ｔ８）型，ｓｔａｎｄａｒｄ３００（ｓｅｔ４５１Ｔ２４Ｄ）、Ｃｏｍｆｏｆｔ３００（ｓｅｔ４５１Ｔ２５ＦＤ），它们接在... 相似文献
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新一代ＨＡＲＲＩＳ１０ｋＷＦＭ发射机陈宏，钱勇新，沈浩江苏无锡电视台１ＨＡＲＲＩＳ全固态发射机特点ＨＡＲＲＩＳ公司的１０ｋＷ全固态ＦＭ发射机（型号ＨａｒｒｉｓＰｌａｔｉｕｍＺ１ＯＣＤ），是按Ｚ－轴、３－维电气设计思想设计的高性能、高可靠性、高效率和计... 相似文献
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