128×1元GaAs／AlGaAs多量子阱扫描红外焦平面的红外成像

研制成功了１２８×１元ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱扫描型红外焦平面（ＦＰＡｓ），器件的响应率达到ＲＰ＝２．０２×１０＾６Ｖ／Ｗ，截止波长为λ＝８．６μｍ，根据常规的黑体探测率定义，得到器件的黑体探测率为Ｄｂ＝２．３７×１０＾６ｃｍ．Ｈｚ／Ｗ，并最终获得了清晰的曙物体残留热像图。     

SGS－汤姆逊公司生产5／6×86微处理器

ＳＧＳ－汤姆逊公司生产５／６×８６微处理器意大利－法国ＳＧＳ－汤姆逊微电子公司开始生产５×８６、６×８６微处理器。６×８６于今年一季度销售，５×８６于二季度销售。产品采用８英寸圆片、０．３５μｍ、５层金属化工艺。５×８６时钟频率为１５０ＭＨＺ，６×８...     

2.5～4.4Gb／s光纤无中继传输实验系统

本文报导在４×６２２Ｍｂ／ｓ）×１６０ｋｍ等三个常规单模光纤无中继传输实验系统，以及４．３５４Ｇｂ／ｓ×２００ｋｍ常规单模光纤传输实验系统方面的研究成果．带有掺饵光纤功放的高稳定度光发射机输出功率分别＞＋４ｄＢｍ／信道（４×６２２Ｍｂ／ｓ）和１１ｄＢｍ（单路２．５Ｇｂ／ｓ），频率稳定度分别优于６×１０－６和４．１×１０－６．带有掺铒光纤前放的四路光接收机灵敏度达到－４６．８ｄＢｍ（６２２Ｍｂ／ｓ，ＮＲＺ２２３－１ＰＲＢＳ）和－３９．５ｄＢｍ（４×２．５Ｇｂ／ｓ，ＮＲＺ２２３－１ＰＲＢＳ）．系统各信道误码率分别优于４×１０－１２～４×１０－１５．     

JA61微型石英谐振器的研制与生产

我们对ＪＡ６１微型石英谐振器进行了研制与生产，频率范围：３０－８７ＭＨＺ，采用ＡＴ切三次泛音振动模式；外形尺寸：７．７×７．７×３．０（ｍｍ）和７．７×６．６×３．０（ｍｍ）；壳型：ＵＭ－１型和ＵＭ－５型。本文给出了该产品的设计依据和电参数测试结果。     

小型电压控制振荡器

小型电压控制振荡器ＭＯＧ系列电压控制振荡器（ＶＣＯ）是日本村田制作所推出的新产品，重０．２２ｇ，外形尺寸为６．６ｍｍ×６．３ｍｍ×２．３５ｍｍ，比市场同类产品约小３５％。工作频率范围：１．１－２．４ＧＨｚ，适用于无线局域网（ＬＡＮ）和移动通信设备。为...     

8～16GHzGaAs单片宽带分布放大器

报道了８～１６ＧＨｚＧａＡｓ单片宽带分布放大器的设计与制作。单级ＭＭＩＣ电路采用三个栅宽为２８０μｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为有源器件，芯片尺寸为１．１ｍｍ×１．６ｍｍ。在８～１６ＧＨｚ频率范围，用管壳封装的两级级联放大器增益Ｇ＿ａ，为１１．３±１ｄＢ，噪声系数Ｆ＿ｎ＜６ｄＢ，输出功率Ｐ＿（１ｄＢ）＞１６ｄＢｍ。     

双格式数字音频播放机

东芝日前发布了第一种便携式数字音频播放机ＭＭ３００，它支持ＭＰ３和ＳｏｌｉｄＡｕｄｉｏ两种格式，并捆绑了数字音频的选件。设备尺寸为长８．６ｃｍ×５．４ｃｍ×１ｃｍ，重５２ｇ。ＳｏｌｉｄＡｕｄｉｏ数字音乐格式采用了由日本电报电话公司（ＮＴＴ）开发的Ｔｗ...     

高场应力下FLOTOXMOS管的性能退化研究

利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法,测试分析了在周期性电场应力下ＦＬＯＴＯＸＭＯＳ管隧道氧化层中陷阱电荷的特性,为研究陷阱电荷对ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ 阈值电压的影响提供了实验依据。在＋ １１ Ｖ、－ １１ Ｖ 周期性老化电压下所产生的氧化层陷阱电荷饱和密度分别为－ １．８×１０１１ ｃｍ － ２和－ １．４×１０１１ ｃｍ － ２,平均俘获截面分别为５．８×１０－ ２０ ｃｍ ２ 和７．２×１０－ ２０ ｃｍ ２,有效电荷中心距分别为３．８ ｎｍ 和４．３ ｎｍ ,界面陷阱电荷饱和密度分别为６．５４×１０９ ｃｍ － ２ｅＶ－ １和－ ３．８×１０９ ｃｍ － ２ｅＶ－ １,平均俘获截面分别为１．１２×１０－ １９ ｃｍ ２ 和４．９×１０－ １９ ｃｍ ２。     

掺Cr^4＋饱和吸收体吸收截面和基态恢复时间的测量

本文给出一种测量掺Ｃｒ＾４＋饱和吸收体基态和激光发态吸收截面的方法，并用之测量国产Ｃｒ＾４＋：ＹＡＧ的两个吸收截面分别为４．３×１０＾－１８ｃｍ＾２和８．２×１０＾１９ｃｍ＾２；同时给出一种用泵浦探测法测量可饱和吸收体μｓ量级基态恢复时间的方法，并用之测得国产Ｃｒ＾４＋：ＹＡＧ的基态恢复时间为３．２μｓ。     

Sol－Gel法制备的CoMnNiMgO热敏元件老化特性的研究

假设老化是从亚稳态到稳态的变化，利用反应动力学理论对Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备的ＣｏＭｎＮｉＭｇＯ热敏元件的老化特性进行了研究，推导出老化公式△Ｒ／Ｒｏ＝Σｒｉ［１－ｅｘｐ（－ｔ／τｉ）］其中：τｉ＝τｏｉｅｘｐ（Ｅｉ／ｋＴ））。结果表明理论与实验能很好地一致，对于本文所研究的热敏元件，符合公式ＡＲ／Ｒｏ＝ｒ１［１－ｅｘｐ（－ｔ／τ１）］＋ｒ２［１－ｅｘｐ（－ｔ／τ２）］，该式中：，ｒ１＝１１．７６７×１０－３；ｒ２＝２０．６７３５×１０－３；τ１＝６．４５７８×１０－３ｅｘｐ（６１９０．８９／Ｔ）；τ２＝１．０４６１×１０－６ｅｘｐ（８ｌｌ６．２４／Ｔ）。     

高性能GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器的研制

ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量了阱结构的红外探测器是近几年出现的一种新型红外探测器。本文对基基本原理作了介绍。并报导了最新研制成果；Ｄλ＝１．４２×１０＾１１ｃｍＨｚ１／２Ｗ＾－１＝Ｒλ＝２．３２×１０＾６Ｖ／Ｗ，峰值响应为８．５μｍ的高性能ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱红外探测器。     

高集成度CMOS固体成像器

日本夏普公司推出的Ｍ３４Ｂ１０型彩色ＣＭＯＳ固体成像器件,集成有 ８ ｂｉｔ Ａ／Ｄ转换器,支持 １／４英寸光学器件,约有３５０ ０００有效像素（６４０×４８０）。配置专用数字信号处理集成电路和微控制器,便可制成摄像机。 此成像器还包含有自动增益控制（ＡＧＣ）、定时发生器和相关双脉冲调制器（ＣＤＳ）。据说这是支持１／４光学器件的第一产品。功耗： ６０ ｍＷ,尺寸为 ５．４ ｍｍ×５．３ ｍｍ;以前器件需 ３块芯片才能完成对等功能,且总功率达 ３００ ｍＷ。 成像器像素尺寸为５．６μｍ平方,饱和输出电压是８００…     

SIMOX材料的TEM研究

在注入能量为１７０ｋｅＶ，注入剂量从０．６×１０１８／ｃｍ２到１．８×１０１８／ｃｍ２范围，改变注入方式，利用ＴＥＭ技术观察了形成ＳＩＭＯＸ的结构．注入剂量为０．６×１０１８／ｃｍ２时，可以获得连续的ＳｉＯ２埋层且顶部硅层基本上无穿通位错产生；注入剂量为１．５×１０１８／ｃｍ２时，采用双重注入可以获得质量很好的ＳＩＭＯＸ结构，顶部硅层仅有较少的穿通位错；注入剂量为１．８×１０１８／ｃｍ２时，三重注入可以获得质量好的ＳＩＭＯＸ结构，顶部硅层穿通位错稍多．     

有机非线性光学晶体──甲氧苯亚甲基苯乙酮的研究

本文报道了有机非线性光学材料甲氧苯亚甲基苯乙酮（ＡＡＰｈ）单晶生长条件。采用蒸发法在乙醇溶剂中培养出６ｍｍ×１１ｍｍ×３５ｍｍ大尺寸的单晶。测定了晶体组成、质谱、红外光谱和晶体的透过波段，用１０６４ｎｍ的Ｎｄ￣（３＋）：ＹＡＧ激光照射晶体产生５３２ｎｍ的倍频光，其倍频光强度约是ＫＤＰ的５～６倍。     

高温超导GdBa2Cu3O7—δ薄膜双晶晶界结及光探测器

在晶界夹角为２４°的Ｚｒ（Ｙ）Ｏ２人工双晶基片上制备高温超导双晶Ｇｄ－Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜，用光刻技术在晶界上刻出１０×１０ｍ２的双晶晶界结，它与外电路一起构成光探测器。在８０Ｋ用Ｈｅ－Ｎｅ激光和５００Ｋ黑体作为辐射源测量了光探测器的响应特性。探测结果：噪声等效功率ＮＥＰ分别为６．７×１０－１４和３．８×１０１４ＷＨｚ－１／２，归一化探测率分别为１．４×１０１０和２．６×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１；响应度分别为１．８×１０７和３．２×１０７ＶＷ－１。     

TI通用器件选购指南

ＴＩ通用器件选购指南ＳＮ７４ＨＣ×××：高速ＣＭＯＳ逻辑系列工作电压：＋５Ｖ工艺：ＣＭＯＳ典型传输速率：２５ｎｓ驱动电流（－ＩＯＨ／ＩＯＬ：－８／８ｍＡ型号管脚后缀说明零售价（元）型号管脚后缀说明零售价（元）ＳＮ７４ＨＣ００ＳＮ７４ＨＣ０２ＳＮ７４Ｈ...     

离子／电子混合导体Cu_xMo_6S_（8－y）的性能研究

本文通过对工艺条件的控制，获得了铜系混合导体材料Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ７、７、Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ８．０及Ｃｕ４Ｍｏ６Ｓ８．０．ｘ射线衍射物相分析表明为Ｍｏ６Ｓ８结构的单相，并采用分析化学方法对其化学计量进行了分析，通过测试得到了三种混合导体的总电导率σ和离子电导率σｉ·当混合导体Ｃｕ２Ｍ０６Ｓ７、７与固体电解质Ｒｂ４Ｃｕ１６Ｉ７Ｃｌ１３复合后可改善其电化学性能，复合比为２：１时，总电导率σ和离子电导率σｉ可达７５（Ω·ｃｍ）－１和７×ｌ０－２（Ω·ｃｍ）－１。     

非晶硅X－射线探测阵列的研究

研制出ａ－Ｓｉ：Ｈｐｉｎ型Ｘ－射线间接探测线阵，它探测的是Ｘ－射线在闪光体（Ｃｓｌ）所激发的荧光，制备出单元面积分别为２．５×２．５ｍｍ２、１．６×１．６ｍｍ２和１００×１００μｍ２的１６、２５、３２０单元的线阵．器件的暗电流达到１e－１２Ａ／ｍｍ２（－１０ｍＶ），光灵敏度～０．３５μＡ／μＷ（６００ｎｍ）．本文报道了Ｘ－射线探测阵列的制备及测试结果．     

联网数字BP机在群呼中误码故障处理

联网数字ＢＰ机在群呼中误码故障处理井研县邮电局邓述军最近，一直运行良好的我局联网寻呼系统在群呼服务时，汉字ＢＰ机和号码为ＡＢ５××的数字ＢＰ机信息显示正常，而号码为ＡＢ６××～ＡＢ７××的数字ＢＰ机信息误码，即将信息码“１６６２００”误为“６Ｂ３Ｂ１...     

AZ系列正性光致抗蚀剂电子束制版工艺技术研究

系统地介绍了用ＡＺ系列正性光致抗蚀剂代替电子抗蚀剂的电子束制版工艺技术的研究成果。论述了选用ＡＺ１３５０抗蚀剂的背景和现实意义，给出了胶层膜厚的选择方法和条件，曝光剂量与曝光图形线宽ＣＤ值的相互关系曲线以及稳定可靠的显影和腐蚀工艺条件；论述了采用ＡＺ５２０６抗蚀剂提高曝光灵敏度和分辨率的新研究成果，实验结果证明ＡＺ５２０６的灵敏度为６×１０＾－６－８×１０＾－６库仑／ｃｍ＾２，分辨率可达微米级...