外腔半导体激光器的稳定特性分析

本文中对外腔半导体激光器的频谱稳定性进行了理论分析,考虑到外腔中光波的多次反射及其随机性对激光器的影响,得出了求解稳定性问题的简单公式,对于弱反馈和强反馈的情况都是适用的,并且成功地解释了实验中的一些现象。     

垂直腔面发射半导体激光器

描述了垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的结构特点，比较了它与边发射激光器的不同。介绍了VCSELs的历史、现状、发展趋势和应用前景。     

窄线宽可调谐外腔半导体激光器的研究

报道了窄线宽、可调谐外腔半导体激光器的一些研究成果．利用闪耀光栅作反馈元件,对市售的半导体激光器形成弱耦合外腔,改善了半导体激光器的性能,实现了光谱特性较好的窄线宽单模激光输出,其边模抑制比大于３０ｄＢ,线宽小于０．０６ｎｍ．最大输出功率为３５．４ｍＷ,总的光一光转换效率为４６％．通过调整光栅转角,得到１１．６６ｎｍ的波长调谐范围．     

外腔半导体激光器在微振动测量中的应用

基于外腔半导体激光器（ECSL）良好的相干特性,采用Littrow自准直外腔方式进行了实验,得到了良好的线宽和稳定的功率,验证了外腔半导体激光器运用于纳米级光学测量和微振动测量的可行性;提出了解决外界扰动的反馈光路方案,能够有效滤除环境振动和噪声干扰,提高了振动测量系统在现实环境中的适应能力。     

大功率GaAs基半导体激光器腔面膜一次性制备技术

大量研究表明,大功率半导体激光器失效的一个主要表现就是半导体激光器的腔面退化,而空气中的灰尘与腔面氧化变质是其主要诱因。使用了新型的镀膜机真空室内180°自翻转机构制备半导体激光器腔面膜,大大降低半导体激光器腔面在大气条件下的暴露时间。从过程上直接降低自然氧化物和杂质产生的几率,减少腔面自然氧化物的诱导缺陷和杂质的非辐射复合中心。从大功率半导体激光器腔面膜一次性制备实验的结果表明,该技术制备的半导体激光器外推寿命对比常规实验提高了12.56%,同时还有效的提高了器件的最大输出功率。     

堆积式列阵半导体激光器

本文介绍堆积式列阵半导体激光器,着重在ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系列激光器。由于它们的Ｔｏ小,受环境温度影响大,用一般结构作列阵器件是很困难的。而采用大光腔结构的激光器。它的Ｔ０值可达１００￣１４０Ｋ,单个１．３μｍ激光器,脉冲峰值功率超过３ｗ（瓦）,单个１．５５μｍ激光器,脉丫峰值功率超过２Ｗ。我们用它们的芯片研制堆积列阵激光器在研制中发现,列阵的输出功率小于各单元器件输出功率之和;而减步的比率随着     

低阈值大光腔半导体激光器的研制

利用液相外延技术,研制出低阈值大光腔GaAs半导体激光器。发光波长900～910nm,阈值电流(Ith)3～5A。正常使用输出的脉冲功率为8～12W。并给出该激光器的一些电学和光学特性。     

低折射率耦合层半导体激光器模式特性的分析

本文讨论了几何参量和光学参量对具有低折射率耦合层半导体激光器垂直结方向模式的影响,对器件制做时参数的选取提供了理论上的依据.     

半导体激光器在高速调制中Pattern 效应的研究

本文对半导体激充器在高速调制中所出现的 Pattern 效应现象进行了较为详细的理论分析和实验研究.得出了提高偏流可抑制 Pattern 效应的结论.     

高功率非对称大光腔半导体激光器的研制

研制了高功率非对称大光腔半导体激光器。脉冲阈值电流为4-5A,在工作电流为4倍阈值时,激光器单面输出峰值功率为10-12W,其灾变功率大于20W;得到了对称的远场光强分布;器件工作寿命大于1000小时。     

模分配噪声对光纤传输系统的影响

本文分析了半导体激光器的模分配噪声对光纤传榆系统的影响,计算了在不同误码率底线、不同波动程度、不同中心波长和不同光源谱宽下的传输距离和传输速率以及相应的功率代价.     

微腔半导体激光器的激射机制、瞬态响应及其在光纤通信中计算机模拟

通过速率方程分析微腔激光器稳态、瞬态特性，发现在增强自发发射因子的微腔激光器，加速了载流子的积累，促进了激光输出，随着注入电流的增加．光增益作用增强，激光器由自发发射向振荡放大机制转化；在阶跃电流调制下，增大自发发射因子可以减弱或消除张弛振荡，提高响应速率，在脉码调制下，眼图张开面积随自发发射因子增大而变大，有利于高速光互联；最后模拟了微腔激光器作为光源的光纤通信系统，给出１０Ｇｂｉｔ／ｓ传输６０ｋｍ的接受眼图。     

相干光通信的实用化研究

相干光通信具有很多方面的优点，但其技术复杂，经过十多年的努力，已经进入实用阶段。本文简要论述了相干光通信的最新实用化技术，包括调制技术，窄谱线光源，ＬＤ稳频技术，偏振控制技术。并列举了采用这些实用技术的相干光通信系统。