可见光半导体激光器的发展现状

目前,电视唱片再生以及激光印刷等方面用的光源,几乎都是使用以He-Ne激光器为中心的气体激光器。但是近几年来,随着800毫微米波段近红外半导体激光器的迅速发展,自然提出了用可见光半导体激光器取代上述气体激光器光源的要求。与气体激光器相比,半导体激光器具有体积小、工作电压低、能直接高速调制、便于集成化等优点。虽然也可以使用红外半导体激光器作为上述光源,但若使用可见光半导体激光器,则直     

氘子活化法测定硅表面钠

1.前言 半导体硅片的清洗工艺是半导体器件生产中最关键的工艺之一。它对器件的特性及其可靠性有着决定的作用。至今为止,国内半导体器件生产工艺中几乎全部使用具有强烈腐蚀性的氧化剂或无机酸,如硝酸、硫酸、双氧水、盐酸等试剂。这些试剂因为具有强烈的腐蚀性,所以经常侵蚀设备,污染环境,损害工人的身体健康,而且这些试剂的价格也比较昂贵,因而也提高了器件的成本。     

基于仿真分析的设备微环境控制技术

论述了一种基于仿真分析的半导体设备内部空间气流路径、紊流位置、各分区风压的闭环反馈系统及结构,目的在于使设备能够自动净化内部空间气体,防止颗粒凝结,从而达到控制并改善半导体设备内部微环境的目的.     

影响半导体特殊气体市场的战略因素

随着半导体工艺的不断改进,芯片的体积越来越小,对原材料的要求也越来越高。目前国内芯片技术已经发展到了0.09微米技术,某些固体原材料已经不能适应0.25微米以下工艺的要求,转而由超高纯电子特殊气体所替代。半导体电子特殊气体较之固体原料,具有纯度高、容易控制、反应充分等优点,被广泛应用于半导体工艺。电子特殊气体已经成为半导体工艺中不可缺少的重要原材料。与特殊气体相关的半导体工艺有:离子注入、蚀刻、清洗、CVD(化学气相沉积)、吹扫等等,涉及的气体有几十种。根据应用工艺的不同,半导体特殊气体可以分为:离子注入:SDS AsH3…     

金属净洗剂6501及6503在半导体器件工艺中的应用

半导体硅片的清洗工艺是半导体器件生产中最关键的工艺之一,它对器件的特性及其可靠性有着决定性的作用.迄今为止,在半导体器件生产工艺中几乎全部都使用具有强烈腐蚀性的氧化剂或无机酸,如硝酸、硫酸、双氧水、盐酸等试剂.这些试剂因为具     

VLSI制造对沾污监控的新要求

沾污监控的作用必须作为生产成品率和利润率中的一个重要因素来对待。半导体工业已进入VLSI生产时期,随之便提出了一些新的要求和一些重大的制作问题。五年前,光刻,干法腐蚀,离子注入,金属化和氧化等工艺曾是主要的技术问题。现在,来自生产设施本身、工厂的工作人员、加工设备和工厂中使用的所有材料的沾污是生产环境中人们关心的主要问题。目前,对于支持一些新改进的生产方法和概念来说已具备了一些行之有效的沾污检测和控制的方法,有的方法还正处于研究之中。对于生产中的监控技术和过滤技术必须予以重视。半导体生产厂家对于净化间、工作服、加工设备和材料提出的一些颗粒规范对于满足1990年甚低缺陷密度的产品要求将起着非常重要的作用。     

等离子体表面处理技术

使用气体等离子的表面处理技术,在半导体工业中是最新的技术革新的重要成果之一,它使半导体元件,半导体集成电路的制造工艺有可能采用干式法,从这个意义上讲,我们把使用气体等离子体的表面处理技术一般称为干式处理技术.干式处理技术就是形成绝缘体、半导体、金属膜的、微细的、精度高的图形以及半导体基片表面清洗的一种技术.广义的干式处理技术已知有离子束磨、射频溅射、反应性离子刻蚀、等离子体刻蚀、等离子体剥离等.     

硅中的层错

半导体器件工艺的问题,从本质上来讲,也就是控制半导体晶体中的杂质和缺陷的问题。虽然半导体器件工艺现在已经有了突飞猛进的发展,但由于杂质和缺陷这一问题的复杂性,人们对它们与器件性能的关系的认识还是很肤浅的,在工艺上如何控制它们还存在很多问题。因此,在工艺与器件性能间还无法建立起必要的定量关系。所以,有人说半导体器件工艺现在只是一种技艺,而并非是一种科学,这实际上也就意味着人们对半导体中杂质和缺陷的认识还是很有限的,有待于深化。     

反应管内的气流模式

一、引言 众所周知,制造半导体器件的平面工艺要求精密地控制氧化层厚度、扩散浓度及深度、外延层厚度以及这些参数在工艺过程中的纵向、横向均匀性。实验发现,气体的流量、流速、温度对这些参数有比较明显的影响,特别是温度的影响更为显著。随着半导体工艺技术的迅速发展,大规模集成电路的大量投产,硅片的尺寸也愈来愈大。这样,为了提高元、器件的成品率和优品率,在氧化、扩散、外延等工艺中,必须要求精密控制温度、气流速度等工艺条     

半导体工业中的化学气体

近年来半导体工业的飞速发展,推动了各个产业部门的技术进步.同时它又是各种高新技术综合发展的结果,特别是依赖于高纯水、高纯气、高纯试剂和洁净技术的发展.半导体工业中使用的化学试剂品种相对较少,而高纯水制备技术已基本成熟,所以本文重点介绍化学气体方面的情况.     

半导体器件工艺用的气体

硅集成电路制作用的气体 表1给出的气体,是硅IC芯片制作工艺用的主要气体。这些气体有的富有反应性,有的毒性强烈。因此,应充分掌握这些气体的性质,一旦使用不当,就将发生意想不到的事故.从半导体工厂以前发生事故的事例中得知,由气体引起的事故,虽然比酸、溶剂剂发生的次数要少,但却存在着寄生大事故的危险性。 气体的性质     

不需要盐酸气体的硅片上金属玷污去除技术

在半导体工艺的硅片热处理工序中，原来是采用盐酸气体去除金属洁污。这样，硅片表面就会粗糙及拈污，便会产生SIQZ颗粒。半导体制作设备专用厂——DSI和签订了销售代理店合同的以色列希扎里公司共同开发并采用了不使用盐酸气体等腐蚀性气体的硅片上金属坊污去除技术——“PEME     

半导体集成电路生产中的洁净技术

文章对半导体集成电路生产中可能接触到的主要污染物类型及造成污染的主要原因做了详细介绍。为减少对半导体集成电路的污染，必须保证半导体集成电路的生产在高度洁净的环境中进行。集成电路制造业是一个在超净化环境中，使用超纯材料，进行超微细加工的产业。文章还对各种洁净标准做了详细介绍。随着集成电路生产目前进入深亚微米及纳米级工艺加工阶段，工艺参数以及图形线宽也发生了变化，因此对洁净度等级、工艺中所使用的材料品种和纯度指标的要求还在不断提升。     

新型传感器讲座——第四讲 半导体气敏传感器

在工农业生产和人们的日常生活中,往往会接触到各种各样的气体,需要对它进行检测和控制.比如化工厂里存在着化学反应过程中的气体成分的检测和控制;农业温室中气体成分含量的检测和控制;煤矿瓦斯浓度的检测及报警断电控制;环境气体的监测等.对气体成份或浓度的检测和控制的手段是多种多样的,而以使用气体传感器为最佳,它可以把有关气体成分和浓度等各种物理特性转变为电信号,从而使人们能正确有效地控制它和应用它.     

IDC机房空气质量检测评估和净化

针对空气污染导致IDC数据中心内IT设备故障不断出现的现状,文章介绍IDC数据中心机房内空气质量对IT设备的各种影响,针对空气洁净度、腐蚀性气体浓度、空气湿度等分别探讨目前业内检测评估的常规方法以及尚在发展阶段的光纤测湿度法,接着从建设、管理、技术等层面分别提出IDC数据中心空气净化的方案和措施。通过在机房内实施空气质量的检测评估和净化手段,可有效改善机房IT设备运行环境,减少空气污染导致的IT设备故障率,提高运维管理水平。     

一种由实验数据较准确计算内建电势的方法

内建电势是金属-半导体接触和P-N结半导体的基本物理参数之一.虽然理论上已对Ge、Si及GaAs等材料在单边突变结和线性缓变结两种特殊情况下给出内建电势的近似值,但对实际情形,总还需要通过实验确定.无论是测量 P-N结半导体或是金属-半导体的内建电势,通常都是采用电容-电压法.并且迄今仍在应用.这种方法,首先是将测得的C-V数据在图上画出1/C~2与V的关系,然后按外推法求出内建电势.方法虽然较简单,但不精确.即使杂质浓度分布非常均匀,可是由于其它方面的因素影响,往往并不能获得1/C~2随V变化的直线关系.此外,对被测样品的反向特性的要求还必须     

燃煤电厂脱硫工艺及工艺选择要素探讨

随着全球工业化水平不断提高,空气污染程度越来越严重,给人们身体健康造成巨大威胁。我国现代化建设中,煤炭燃烧量较大,产生了大量的SO2、NOX等气体物质,给生态环境带来极大破坏。在进行脱硫工艺选择时,必须根据实际发电情况和发电要求,选择合适的方法,以减少水资源浪费,提高脱硫效率。本文就燃煤电厂脱硫原理进行概述,对燃煤电厂的几种常用脱硫工艺进行分析,提出脱硫工艺选择应注意的要素,以有效改善环境质量,促进人类与环境和谐共处。     

气体激光器中放电净化气体的实验研究

高频气体放电、冷阴极或热阴极气体放电均产生气体的电吸收。文中在分析杂质气体对激光增益、功率稳定性以及对器件储存寿命影响的基础上,提出了放电“净化”激光管中工作气体的新工艺。 作者收集了使用愈期,激光输出甚微,以及存放二年以上而无激光输出的11支国产He-Ne管,做了光谱分析、大电流放电净化处理和解吸气体实验,证实了这一工艺的可行性。其中有8支样管的激光功率恢复到或接近于原先的水平,二支因腔镜污染无激光输出,但光谱分析     

光刻设备市场与技术现状

由于半导体制造工艺的快速推进,工艺节点已进入90nm的时代承担90nm工序的是波长193nm的ArF曝光设备.2003年的ArF曝光设备供货数量约为75台.虽然数量比ArF及i线半导体曝光设备要少,但却在稳步增长.     

集成电路制造工艺及其使用的气体

本文从半导体制造工艺晶体生长与衬底制备、氧化、扩散、外延生长、化学汽相淀积、物理淀积、离子注入、刻蚀、光刻、合金化和焊接等方面，叙述了对气体使用的要求。