波段探测率DΔλ的测试方法

描述了波段探测率的测试方法和实验计算，给出了探测器的测试和计算结果。还描述了红外探测器的波段响应率在遥感技术中的应用，并讨论了用波段探测率（和波段响应率）替代峰值探测率（和峰值响应率）的可能性和优越性。     

红外探测器探测率D~*的检测标准

本文讨论了红外探测器的探测率D~*,响应率和噪声频谱V_N(f)三个参数,它们是一组重要的红外探测器参数;文章还讨论了在测试InSb和HgCdTe探测器中出现的主要误差。建议:在国内探测器的探测率D~*测试标准中,其D~*的测试误差以10％为宜。     

红外焦平面探测器黑体探测率Dbb的一些问题的讨论

介绍了红外焦平面（简称FPA）探测器黑体探测率Dbb^*的定义和测试方法，比较了用点黑体辐射源和平黑体辐射源的对FPA探测器的响应率Rbb测试结果，讨论了FPA探测器的伏安特性对信号输出的影响。     

采用叠盖电极的高性能光导HgCdTe红外探测器

介绍叠盖电极探测器的物理机理和结构，与标准结构探测器比较，其响应率和黑体探测率均有大的增长，实验结果表明响应率增长约１倍，赤体探测率增主３０％。无需改变现有工艺，成功制备实用工程探测器，性能明显提高。     

带前截止滤光片的探测器性能

讨论了带有前截止滤光片的长波红外探测器的响应率、噪声和探测率,结果表明相应的性能指标需要做适当调整.     

热电探测器指南

本文概述了热电探测器的工作原理,导出了响应率、噪声、噪声等效功率以及探测率。按不同噪声源讨论了响应率与频率的相互关系。 本文也介绍了硫酸三甘肽、钽酸锂、铌酸锶钡、热电陶瓷以及偏聚氟乙稀五种主要热电材料的性能和影响选择材料的因素并且总结了三种规格的探测器的特性曲线。 本文也报导了目前流行的探测器的种类及一些使用情况,还简单介绍了将来的展望。     

光伏锑化铟红外探测器的电容效应

在调制信号下工作的光伏锑化铟红外探测器的探测率和响应率受探测器的交流特性的影响，减小探测器的电容有利于提高其电压响应率和探测率。     

高性能锑化物超晶格中红外探测器研究进展（特邀）

中红外探测技术作为一种重要的被动探测手段,在各个领域都有着非常重要的作用。其中,以InAs/InAsSb超晶格材料为基础的无Ga型Sb化物II类超晶格探测器,由于去除了Ga原子的缺陷,具有更高的少子寿命,有利于提高探测器性能。此外,使用光子晶体结构,进行表面光学性能调控,可以提高器件的响应度,从而降低材料吸收区厚度,降低器件暗电流。暗电流的降低和响应度的提升,进一步优化了探测器的性能,进而提高器件工作温度,进一步降低探测系统的体积、重量和功耗。研究表明:使用光子晶体结构可以在不改变外延材料结构的前提下,提高器件量子效率,实现响应光谱的展宽,在实际应用中具有重要的意义。文中综述和讨论了InAs/InAsSb超晶格探测器和光子晶体结构探测器材料生长、结构设计的主要技术问题,详细介绍了两种提高中红外探测器性能的方案及国内外的研究进展。     

串音对InSb光伏型红外探测器列阵性能的影响

本文将InSb光伏型红外探测器列阵简化成线性电阻网络,通过这个方法,讨论了串音对列阵器件各探测元的结电阻、响应率及探测率的影响。结果表明,在有串音的情况下,实测的探测元结电阻变小,探测率变大,而响应率可能变大,也可能变小。     

光电探测器

本书作者P.N.J.Dennis,是1986年由Plenum有限出版公司出版发行的多卷丛书之一。本卷主要论述光电探测器,全书共分六章。第一章:前言。第二章:探测器性能。分別论述了探测器的响应度、噪声等效功率和噪声等效辐照度、探测灵敏度、比探测率、响应时     

叠盖电极技术在SPRITE 探测器上的应用

文中主要介绍了叠盖电极技术在SPRITE探测器上的实际应用，并给出了具体实验结果。选择适当的叠盖电极尺寸可以使SPRITE的响应率Rυ提高一倍以上，探测率D^*普遍提高30％左右，高的可达80％。实验结果表明，叠盖电极技术明显地提高了SPRITE器件的性能，是一种简便的提高SPRITE性能的新途径。     

光导PbS 焦平面探测器制备中负载电阻的选取

负载电阻分流方式通常用于消除光导PbS探测器的背景电流,其中各探测单元光敏元电阻与相对应负载的阻值可以相等,也可以成一固定比例。为研究不同负载电阻均可应用于光导PbS焦平面探测器,采用尺寸同为100 m 100 m 的光敏元、分别为100 m 100 m 和200 m 50 m 的负载研制了线列1128 光导PbS 红外焦平面探测器。利用红外焦平面测试系统对不同负载电阻制备的器件性能进行了测试与分析。研究表明,采用不同负载电阻均获得了性能正常的器件;在相同的光敏元工作参数下,器件的平均黑体响应率、平均黑体探测率基本一致,负载对其均无影响。研究结果验证了仅通过调节负载电阻即可使器件背景输出电平平坦化的可行性。     

光子计数三维成像激光雷达的分析与实验

对于直接探测三维成像激光雷达,采用光子计数探测器可以响应单光子水平的目标回波,从而大大提高探测效率。研究的光子计数三维成像激光雷达采用盖革模式雪崩光电二极管（APD）作为探测器。首先分析了回波光子探测模型,并根据此模型讨论了激光雷达探测概率和测距模式。在理论分析的基础上,设计了一套光子计数三维成像激光雷达系统,对一些选定目标进行了测距和三维成像实验,并对实验结果进行了分析。     

近表面加工技术制备的高性能Ge:B 阻挡杂质带探测器

阻挡杂质带（BIB）探测器是当前远红外天文探测领域的主流探测器。通过近表面加工技术成功制备出了高性能的Ge:B BIB探测器,响应波数范围从50 cm^-1到400 cm^-1。在3.5 K温度和30 mV工作电压下,器件在峰值响应84.9 cm^-1处的响应率达到21.46 A·W^-1,探测率达到4.34×10¹⁴cm·Hz^1/2·W^-1。研究了BIB探测器中界面势垒对响应光谱的影响。提出了一种新的激发模式—电极区内的载流子可以通过光激发的方式越过势垒。此外,还发现了一种增强BIB探测器在小波数处相对响应强度的方法。     

高灵敏度低暗电流GaAs量子阱红外探测器

本文报道我们研制的高灵敏度、低暗电流的ＧａＡｓ量子阱长波长红外探测器的制备和性能．探测器具有５０个ＧａＡｓ量子阱和Ａｌ０．２８Ｇａ０．７２Ａｓ势垒，器件制成直径为３２０μｍ的台面型式单管．探测器的主要性能──响应率和探测率与偏置电流和工作温度关系很大．通过材料结构的精心设计和器件工艺的改进使探测器的性能进一步提高：探测峰值波长为９．２μｍ，工作温度为７７Ｋ时，峰值电压响应率为９．７e５Ｖ／Ｗ，峰值探测率超过１e１１ｃｍ·／Ｈｚ／Ｗ，暗电流小于０．１μＡ．     

国外资料索引

红外技术 4001 光伏和光导红外探测器 Photovoltaic and photoconductive ir detectois, D Long, Opt. and infrared detector, 1977, 101-48. 讨论直接的光子探测、光电流、增益、响应率、噪声、探测率等基本参数,然后分别介绍光伏、本征光导、非本征光导探测器的理论和材料工艺。附参考文献70条,图15幅,本文为光学和红外探测器一书的第四章。     

淀积增透膜改善8元红外探测器的均匀性

在８元碲镉汞光导探测器上沉积增透膜可以改善各元的光谱响应的均匀性，同时也提高了在１０．４￣１２．４μｍ波长间的响应率与探测率，并给出了实验结果。     

面阵探测器相连缺陷元识别定位

面阵探测器相连缺陷元的光电信号与正常元基本相同,因此采用现有面阵测试方法无法识别相连缺陷元.针对相连缺陷元的特点,提出了借助改变面阵探测器光电响应的方法来实现相连缺陷元的识别定位.实验结果表明,该方法使面阵探测器分为两个不同透过率探测单元,多元相连缺陷元响应电压是相对应的两个不同透过率探测单元响应电压之和的平均值.采用MATLAB软件对测试数据进行分析处理,分析结果清晰给出缺陷元诸如个数、形状和位置等详细信息.采用本方法面阵探测器相连缺陷元可以被显著识别定位.研究结果为今后的面阵探测器评测与可靠性提高提供了参考.     

盖革模式APD激光雷达探测性能与虚警抑制研究

对基于盖革模式APD(GM-APD)探测器的激光雷达的探测性能和虚警抑制方法进行了研究。从系统原理与探测时序出发,研究了长死时间、回波脉宽大于时间数字转换器(TDC)分辨时间情况下目标探测概率与虚警率分布,分析了回波强度、脉宽、噪声与回波位置对目标探测概率与虚警率的影响;利用双探测器结构的探测模型,研究了双探测器结构在提高系统探测性能中的作用。研究结果表明:回波越强,脉宽越窄,噪声越低,回波位置越靠前,目标探测概率越高,虚警率越低,系统探测性能越好;对于双探测器结构,与逻辑可很好地抑制虚警;或逻辑可提高目标探测概率;使用与逻辑和或逻辑相结合的双探测器结构,可以获得更高的目标探测概率和更低的虚警率。     

热电探测器性能参数的分析

本文讨论了热电探测器的五个主要性能参数:响应率、噪声、噪声等效功率、探测率和时间常数。分析了前四个参数与工作条件(工作频率、探测器面积和前置放大器输入阻抗)的函数关系。阐明了时间常数概念用于热电探测器时新的特点。本文着重指出:在目前场效应晶体管(以下简写称为FET)水平还不高的情况下,热电探测器的性能受限于前置放大器(以下简写称为前放)所用的FET。它的几种主要性能参数都在很大程度上依赖于FET的水平,文中列举数据对此作了说明。因此通常说,比较热电探测器的性能,实际上乃是比较热电探测器/前放组合件的性能;若只比较热电探测器本身的性能,则需要以其前放的水平相同为条件。