锌掺杂量对In_2O_3电导和气敏性能的影响

用化学共沉淀和热处理法于pH11.5～12.5时,用(NH4)2CO3作沉淀剂,制备了Zn2+掺杂的In2O3微粉。研究了Zn2+掺杂量对In2O3气敏元件电导和气敏性能的影响。结果发现,ZnO与In2O3可形成有限固溶体In2-xZnxO3(0≤x≤0.10);In1.95Zn0.05O3气敏元件在223℃工作温度下,对浓度为4.5×10–7mol/L的C2H5OH的灵敏度高达174.4,且选择性也好。     

CdO对In2O3电导和气敏性能的影响

为探索新型CdO-In2O3材料的气敏性能,用化学共沉淀法制备了CdO掺杂的In2O3微粉,研究了CdO掺杂对In2O3电导和气敏效应的影响。结果表明CdO和In2O3间能形成有限固溶体In2-CdxO3(0≤x≤0.02);In1.98Cd0.02O3x的电导比纯In2O3小得多;900℃下热处理4h所得的x(CdO)为2%的In2O3传感器在183℃工作温度下,对45μmol·L–1C2H5OH的灵敏度达276、响应–恢复时间只有3s和180s。有望开发为一类新型酒敏材料。     

α—（SbxFe1—x）2O3半导体的固溶与导电机制的相关性

用化学共沉淀法，经热处理制得ｎ型半导体α－（ＳｂｘＦｅ１－ｘ）２Ｏ３。ＸＲＤ分析确证０≤ｘ≤０．２是固溶体。实验发现在ｘ≤０．０３区间内材料电阻降低幅度很大，而在ｘ＝０．０３￣０．２区间的电阻却缓慢上升，根据体系中存在ＳｂＦｅ＾ｘ→ＳｂＦｅ＾－＋２ｅ缺陷平衡，讨论其原因和导电机制；相应於此缺陷平衡的Ｓｂ＾３＋和Ｓｂ＾５＋的含量由ＸＰＳ分析予以证实。     

Si掺杂B_4C半导体的热电性能

本文探讨了掺Ｓｉ对Ｂ４Ｃ半导体的热电性能（包括电导率、热导率及Ｓｅｅｂｅｃｋ系数）及显微结构的影响，应用小极化子跃迁机制，讨论了Ｓｉ掺杂Ｂ４Ｃ半导体的传输行为     

受主掺杂对TiO2氧敏材料缺陷化学的影响

对受主B2O5掺杂TiO2材料的高温电导进行了详细的测试；XRD分析表明少量受主掺杂并未改变材料的金红石结构；对比施主掺杂研究，出现了很多有趣的现象。施主掺杂样品在较高的测试温度（约950℃）下发生电导类型转变，而受主掺杂样品在较低的测试温度（约750℃）下发生电导类型转变。应用电子补偿及缺位补偿机制对电导特性进行了分析。     

α—Fe2O3薄膜的制备,结构和气敏特性

采用等离子增强化学气相淀积工艺（ＰＥＣＶＤ）制备出了Ｆｅ２Ｏ３薄膜，用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）分析了薄膜的结构、表面形貌和粒度，研究了薄膜对乙醇、液化石油气、煤倔和氢气的敏感特性。结果表明所研制的薄膜对乙醇有较高灵敏度，共检测下限可达１ｐｐｍ，而对液化石油气、煤气和氢气不太敏感，具有优良的选择性。     

掺杂离子对O_3气敏元件的性能改善

在 WO_3中掺入杂质离子,制成傍热式厚膜元件,结合开温脱附(TPD)和半导体分析,研究了掺杂离子对元件性能的影响。     

MnCO3掺杂对SnO2·Ni2O3·Nb2O5压敏材料性能的影响

研究并分析了Ni3+掺杂和Co2+掺杂对SnO2压敏电阻致密度和电学非线性性能的影响.研究了掺Mn2+对SnO2@Ni 2O3@Nb2O 5压敏材料性能的影响.发现x(MnCO3)为0 10%时,压敏电阻具有最高的视在电场(EB=686 89 V/mm)和最好的电学非线性性能(α=1 2 9).样品的收缩率和致密度变化趋势不一致,这是因为样品的致密度是由收缩率和MnCO3的挥发量两因素共同决定的.     

SrBa(SO_4)_2∶Sm~(2+)的光谱及光子选通光谱烧孔效应

报道了Sm~(2+)在SrBa(SO_4)_2混晶中的光谱性质和光子选通光谱烧孔效应。在这个材料中Sm~(2+)的~5D_o-~F_o歹。跃迁的不均匀增宽达1nm(766GHz)。利用Ar~+激光在514.5nm的输出和可调谐连续染料激光器在625.8nm附近的输出,在5K观测到~5D_1←→~7F_o跃迁的光子选通光谱烧孔效应。同时给出了Sm~(2+)在SrBa(SO_4)_2中的电子能级和有关的荧光和激发光谱。     

Fe2O3气敏材料研究进展

综述了近年来Fe_2O_3气敏材料常用的合成方法,如sol-gel法,沉淀法,水热法和微乳液法。总结了焙烧温度与掺杂效应对气敏性能的影响,探讨了气敏机理模型,并对今后的研究方向提出了一些看法。     

Li_3V_2(PO_4)_3/C复合正极材料的合成及电化学性能

通过碳热还原法合成了锂离子电池正极材料Li3V2(PO4)3,研究了球磨和碳含量对Li3V2(PO4)3的合成和电化学性能的影响.利用XRD、SEM和电化学测试对Li3V2(PO4)3进行研究表明,经过球磨合成的样品XRD晶面衍射峰的强度增强,样品颗粒均匀细化;样品中随着碳含量的增加,其XRD晶面衍射峰的强度减弱,样品颗粒趋于细化;经过球磨4 h,且原料中碳过量30%合成的Li3V2(PO4)3样品的首次放电容量为117 mAh/g,常温下循环30次后容量为105 mAh/g,在55℃高温下循环30次后容量103 mAh/g.     

离线热处理和原位电子辐照下羟基硫酸镍纳米带结构演变的TEM研究

利用透射电子显微术,主要包括亮场像形貌观察、选区电子衍射结合运动学模拟计算和高分辨电子显微像,对水热法制备的结晶良好的Nj(SO4)0.3(OH)1.4纳米带结构和生长形态进行了表征,并结合利用在不同温度的离线热处理及原位电子辐照,对从结晶良好的Nj(SO4)0.3(OH)1.4纳米带到疏松多孔的NiO纳米带,最后到NiO纳米颗粒的结构演变进行了系统研究,得到了Nj(SO4)0.3(OH)1.4和NiO的取向关系,揭示了这一系列过程的结构演变并给出了Nj(SO4)0.3(OH)1.4的初步结构模型.     

Cr∶Mg_2SiO_4晶体中络离子(CrO_4)~(4-)的自旋极化MS-X_α计算

本文采用自旋极化MS-X_α方法计算了Cr:Mg_2SiO_4晶体中络离子(CrO_4)~(4-)的电子结构,给出了T_d群和C_(3v)群下的单电子能量本征值、本征函数和自旋极化分裂值。用过渡态理论计算了部分光学跃迁和电荷转移跃迁的能量。采用Case-Karplus电荷分配法计算得到自旋-轨道耦合常数ζ_(?)。讨论了配位体的距离对单电子轨道和基态组态的影响,也讨论了对称性变化的影响。     

不同形貌纳米ZnWO4的制备及其气敏性能研究

以Zn(NO3)2和Na2WO4为主要原料,利用水热法制备了一系列的纳米ZnWO4,探讨了水热条件对产物物相和形貌的影响,并研究了不同形貌样品对甲醛、苯、酒精、乙酸和氨气等的敏感性能。结果表明：水热条件对产物的物相和形貌有较大的影响;在适宜的水热条件下,可成功制备出 ZnWO4纳米颗粒和纳米棒;所制 ZnWO4为n型半导体气敏材料;在pH=7,水热温度为180℃时反应24 h所获得的ZnWO4长纳米棒样品制成的元件在305℃时对体积分数为1000×10–6的酒精蒸气的灵敏度为47.5,并具有较好的选择性,响应时间和恢复时间分别为10 s和24 s。     

低对称晶体YCa_4O(BO_3)_3电光系数的测量

用于涉法测量了低对称晶体YCa4O(BO3)3的全部电光系数,为了分离测量交叉电光系数γ51, γ53, γ42,和 γ62,采用了新的样品趋向,测量结果为:γ11=0.6, γ21=0.4, γ31=0.3, γ13=0.3, γ23=0.2, γ33=2.26, γ51=0.9, γ11=0.6, γ11=0.6, γ53=4.1, γ42=0.8, γ62=0.4×10-12m/V。     

La2O3-SnO2材料乙醇气敏性能与催化活性间关系

通过测量La2O3-SnO2的气敏性能和催化活性,考察了La2O3对SnO2气敏性能和催化性能的影响,同时讨论了该材料对甲烷(CH4)和乙醇(C2H5OH)的灵敏度与其催化氧化反应间的关系。结果表明:300℃时,掺杂w(La2O3)为3%时,可使乙醇的转化率从84.5%提高到100%,对体积分数为1×10-4的乙醇的灵敏度由11.06提高到53.22。说明目标气体的反应活性越高,其灵敏度也越高。掺杂La2O3提高乙醇气体的灵敏度的原因是因为增加了SnO2表面乙醇反应中的耗氧率。     

纳米氧化铁基气敏材料的研究进展

综述了1998~2002年间纳米氧化铁基气敏材料的研究进展,对其制备方法(sol-gel法,固相合成法,化学沉淀法,微乳液法及水热法等);气敏机理,即表面电阻控制型(a -Fe2O3)与体电阻控制型(g -Fe2O3)进行了探讨。还总结了掺杂效应对气敏性能的影响,并对未来气敏材料的发展,提出了几点建议。