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《电子产品世界》2003,(20)
882003.10/下半月 www.eepw.com.cnIR超小型优化DirectFET MOSFET芯片组国际整流器公司(IR)推出超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的现有及新一代VRM10.x大电流同步降压转换器。最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻(RDS(on))为8.5毫欧,IRF6618同步MOSFET的典型通态电阻则为1.7毫欧,两者均采用IR的DirectFET封装。IRF6608的体积比标准SO-8封装小一半,它是首项采用崭新双面冷却、表面贴装式DirectFET“S”封装的HEXFET MOSFET。器件仅高… 相似文献
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《电子产品世界》2003,(19)
功率半导体公司——国际整流器公司(IR)9月推出了超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的现有及新一代VRM10.x大电流同步降压转换器。最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻 (RDS(on))为8.5mW,IRF6618同步MOSFET的典型通态电阻则为1.7mW,两者均采用IR的DirectFET封装。IRF6608的体积较标准SO-8封装小一半,它是首项采用崭新双面冷却、表面贴装式DirectFET“S”封装的HEXFET MOSFET。器件仅高0.7mm,远小于SO-8封装的1.75mm。与市场上的同类控制MOSFET产品相比,IRF6… 相似文献
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《电子工程师》2001,27(4):62
由IR公司(国际整流公司,International Rectifier)研制出的IRF7811W/IRF7822两款新型HEXFET功率MOSFET将降压式及隔离式直流-直流拓扑结构的效率提高了3%。采用新型带状沟槽工艺,能去耦器件导通电阻及电容,成功解决了要求极低导通电阻及栅电荷的功率MOSFET的制造问题。 IRF7811W控制场效应管及IRF7822同步场效应管,能使高电流降压变换器拓扑结构的元件数量减少25%~50%。而且能在更低温度下运行直流-直流变换器,还大大提高了功率密度。 在输入电压为12V、输出电压为1.4V、每管脚工作频率为700kHz的多相降压变换器中,可改善效率达3%,还大大减少了元件数量。将两个并联的IRF7822作为同步场效应管,两个IRF7811W作为控制场效应管,可在SO-8封装MOSFET中获得每管脚35A的输出电流。 在集成电路驱动的拓扑结构中,同时采用IR最新的IRF7822同步MOSFET及IR1176同步整流集成电路,隔离式变换器可在40A及1.5V输出电压环境下,并实现了85%的效率。 相似文献
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《电子与电脑》2004,(12)
功率管理厂商国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出一系列针对 AC-DC 同步整流和 ORing 电路的新型 75V 和 100V HEXFETMOSFET。这款新推出的 MOSFET具有极低的导通电阻(例如,100V产品IRFB4310的导通电阻为7毫欧,75V产品IRFB3207的导通电阻为4.5毫欧),对便携式 / LCD 适配器和服务器AC-DC SMPS等应用来说,有助于提升效率和功率密度。新组件适用于很多不同 AC-DC 拓扑技术的次级部份,包括回扫、半桥、全桥和正向转换器。传统上,通常以肖特基二极管用作高功率 SMPS的输出整流组件,但假如以同步整流 MO… 相似文献
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对主板设计者来说最需要解决的是散热问题,DC-DC转换器对电流、功率密度要求日益提高,以及英特尔公司CPU电压调整模块(VRM)规格发展的推动,供应商不断加紧新一轮功率MOSFET的研发,推出革命性的崭新工具。国际整流器公司(IR)近日推出超小体积DirectFET MOSFET芯片组──IRF6608、IRF6618,分别为控制和同步MOSFET,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的现有及新一代VRM10.x大电流同步降压转换器。IRF6608封装体积仅有SO-8封装的一半,由于采用专利的钝化技术,封装高度只有 0.7mm,远小于SO-8封装的1.75mm,是首… 相似文献
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针对晶圆级导通电阻测试误差过高,满足不了低压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)毫欧级导通电阻的测试精度要求,给产品晶圆测试规范的制定及品质监控带来困扰的问题,提出了晶圆级导通电阻测试精度的改进方法。基于开尔文法电阻测试理论,具体分析了晶圆级导通电阻测试原理,且得出其测试精度不高的根本原因是减薄背金后粗糙不平的硅片背面与测试机的承片台的非充分接触而引入了毫欧级接触电阻。提出3种相应改进测试精度的方法,单相邻芯片辅助的测试方法、双相邻芯片辅助的测试方法和正面漏极测试窗的测试方法。经过验证,3种方法均能将毫欧级导通电阻测试误差控制到小于10%,实现低压MOSFET晶圆级导通电阻参数的有效监测。 相似文献
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导通电阻的准确测量是低导通电阻MOSFET晶圆测试中的一个难点。要实现毫欧级导通电阻的测试,必须用开尔文测试法;但实际的MOSFET晶圆表面只有两个电极(G、S),另外一个电极(D)在圆片的背面,通常只能将开尔文的短接点接在承载圆片的吸盘边缘,无法做到真正的开尔文连接,由于吸盘接触电阻无法补偿而且变化没有规律,导致导通电阻无法精确测量。介绍了一种借用临近管芯实现真正开尔文测试的方法,可以实现MOSFET晶圆毫欧级导通电阻准确稳定的测量。 相似文献
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《电子与电脑》2005,(3)
全球电源管理技术领袖国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日为用于服务器和工作站的AMD Opteron(皓龙)和Athlon(速龙)64 处理器推出了IR3082多相控制IC。IR3082的推出延伸了IR XPhase可扩展多相IC的产品种类,与DirectFET 功率MOSFET相配合,为中高档服务器、电压调节器模组(VRM)和大电流电信应用提供了最佳的多相DC-DC功率解决方案。IR3086A相位IC和IR3082控制IC以其完善的性能和灵活性实现了完整的Opteron和Athlon 64功率解决方案。以每个相位采用一颗IRF6617控制FET和一颗IRF6691同步FET的12V四相… 相似文献