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本系统地讨论了化学气相催化法制备碳纳米管的工艺过程。讨论了化学气相催化法原位制备碳纳米管器件的技术,即先制备电极和催化剂结构,然后在电极上原位生长碳纳米管。与目前通常采用的先制备碳纳米管,然后超声分离、沉积,再光刻、蒸发制备电极的方法相比,该方法可以减少后处理工艺对碳纳米管结构带来的损伤,具有潜在的优势。 相似文献
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《高分子材料科学与工程》2006,22(2):156-156
提供的是显示器制备用可固化组合物。该组合物特别适合用来作为显示器用粘合剂,密封剂、和/或封装剂。按照本发明的组合物包括那些有环氧树脂和羟基官能化合物者,其中,该组合物固化后提供良好的阻透性能。 相似文献
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本文系统地讨论了化学气相催化法制备碳纳米管的工艺过程。讨论了化学气相催化法原位制备碳纳米管器件的技术 ,即先制备电极和催化剂结构 ,然后在电极上原位生长碳纳米管。与目前通常采用的先制备碳纳米管 ,然后超声分离、沉积 ,再光刻、蒸发制备电极的方法相比 ,该方法可以减少后处理工艺对碳纳米管结构带来的损伤 ,具有潜在的优势 相似文献
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提出了一种适用于GaSb/AlGaAsSb器件工艺的由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的氢氟酸系腐蚀液。该腐蚀液对于GaSb和AlGaAsSb材料具有良好的腐蚀特性和稳定的刻蚀速率。选用合适的溶液组份可以得到较低的刻蚀速率,有利于在器件工艺中进行精确控制。实验中发现该腐蚀液对AlGaAsSb的腐蚀速率与其Al组份呈抛物线关系,在合适的Al组份下可对AlGaAsSb和GaSb两种材料进行非选择性的刻蚀。 相似文献
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场发射平板显示器件的进展 总被引:1,自引:0,他引:1
概述场致发射平板显示器件(FED)的理论基础、结构和工作原理、种类和制作工艺。对FED作出评价。介绍国际上在FED方面的竞争。展望了FED的前景。 相似文献
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采用化学气相沉积法在镀金硅片上制备出了大量直径均匀、长度大于100肿的单晶纳米硅丝。采用场发射扫描电镜(FESEM)、能谱分析(EDX)、透射电镜(TEM)和拉曼光谱(Rarnan)对样品进行了表征和分析,并对超长纳米硅丝的生长机理进行了讨论。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法在玻璃表面制备出ZrO2-SiO2薄膜, 然后通过离子交换形成镀膜增强玻璃, 研究了薄膜组成对离子交换增强玻璃的力学和光学性能的影响。利用紫外可见分光光度计、激光椭偏仪、纳米压痕、三点抗弯和能谱(EDX)分析了薄膜结构及性能。结果表明: 所有薄膜均连续均匀, 纯ZrO2薄膜为四方相结构, 含Si薄膜为无定形结构; 薄膜具有较高弹性恢复率(>60%)以及H/E比(>0.1), 有利于强度增强; 随Si含量增加, 可见光透过率增大, 但表面硬度和杨氏模量随之降低; 0.5ZrO2-0.5SiO2薄膜综合性能最佳: 表面硬度为18 GPa, 抗弯强度为393 MPa, 厚度~45 nm时可见光透过率大于85%。 相似文献
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Vlasov A. S. Zilberbrand E. L. Kozhushko A. A. Kozachuk A. I. Sinani A. B. 《Strength of Materials》2002,34(3):266-268
The aim of this work is to compare the behavior of untreated glass and glass treated by hydrofluoric acid, as well as to determine factors controlling high ballistic characteristics of the strengthened glass. 相似文献
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利用硼硅酸盐玻璃的分相和酸侵蚀制备了孔径可控的多孔玻璃粉,采用SEM、BET等测试手段对玻璃的表面形貌和孔径分布进行了表征。并以Na2O-Al2O3-B2O3体系低熔点玻璃作为粘接剂将多孔玻璃粉烧结在普通玻璃板上,研制出一种表面孔径约50nm且均匀分布的多孔玻璃基板,并分析了烧结温度、烧结时间、颗粒大小等对粘接的影响。 相似文献
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Massimo Boninsegni 《Journal of Low Temperature Physics》2010,159(3-4):441-451
We investigate by Monte Carlo simulations the structure, energetics and superfluid properties of thin 4He films (up to four layers) on a glass substrate, at low temperature. The first adsorbed layer is found to be solid and “inert”, i.e., atoms are localized and do not participate to quantum exchanges. Additional layers are liquid, with no clear layer separation above the second one. It is found that a single 3He impurity resides on the outmost layer, not significantly further away from the substrate than 4He atoms on the same layer. 相似文献