吸气剂的吸气性能测定

九十多年来,作为电子发射和光发射体的材料大多是采用高温金属表面,最普通的电子发射体是钡金属的氧化物阴极.在工作温度下,发射体表面能与O_2、H_2O、CO、CO_2等氧化性气体发生反应,致使反射效率降低,或者发射物质蒸发迁移,     

锆粉的性能和应用

利用Na或Ga还原纯锆酸来制取黑色到暗灰色的金属锆粉,因为锆对O_2、N_2和其他气体有较大的亲合力,所以锆粉的制取是在真空炉中进行的。这类锆粉的颗粒度为0.4～8μ,纯度达99％,典型分析示于表Ⅰ。主要杂质是ZrO_2(熔点2700℃),它出现在颗粒边界上,并使锆粉变硬,因而粉末就不可能烧结成致密的金属。在真空技术中应用的锆粉必须不含有Fe,Ga,Mg,Al,Zn,Sn,Pb,As,Sb,Ag和其他挥发性金属,否则,涂锆粉的热电极会引起管壁复盖一层杂质。对商用锆粉分析的结果示于表Ⅰ。这些要求决不总是予以满足。同时,需要在特殊装置里(例如石英真空钟罩),在1300℃下预热涂锆的电极,以便在把它们装到管子前进行净化处理,在使用前纯化锆粉较为简单。     

掺钛和锆改性的钙硼硅系微晶玻璃之性能

以TiO2、ZrO2为改性剂,制备CaO-B2O3-SiO2系微晶玻璃。对其烧结和介电性能进行了研究,并采用XRD,SEM对微观结构进行了探讨。结果表明:添加适量的TiO2或是混合添加TiO2、ZrO2均能改善CaBSi系微晶玻璃的性能。混合添加比单一添加TiO2更有效。结合材料的烧结性能、介电性能和微观结构,以840℃烧成的添加w(TiO2)为2%、w(ZrO2)为2%的试样性能最佳,其εr为7.1、tanδ为3×10–3,在20~400℃之间的热膨胀系数为7.8×10–6℃–1。     

钛—锆合金系的中子衍射性能探讨

钛和锆的合金系属连续置换成固溶体。钛的热中子散射相位与锆的热中子散射丰位成及相关系。它们的散射方式分别是:b=-0.38×10_(-12)厘米;b=-0.62×10_(-12)厘米,含钛62％（原子）和锆38％（原子）的合金。在它的中子衍射图中不出现衍射峰。这时制作不希望出现热是子散射的装置时,是极为有用的。在同一元素的各同位素对热中子散射呈正负方位基础上,提出了同位素合金新概念。     

纳米多孔硅的场致电子发射性能研究

对采用阳极氧化法及阴极还原表面处理技术制备的性能稳定的纳米多孔硅,用原子力显微镜(AFM)表征了其微观结构,多孔硅颗粒粒径在30 nm左右.室温条件下测试了多孔硅场电子发射的特性,结果表明,多孔硅具有很好的场致发光性能,在5 V/μm的电场下就可以产生场发射电流.多孔硅的开启电压在1 000 V左右,发射电流随着电压的增大而不断增大,发射电压在2 000 V以上.

Abstract：

Nanoscale porous silicon (PS) was prepared by anodic oxidation, cathode reduction and surface treatment technique. The porous silicon particles with the average diameter of about 30 nm were obtained by characterizing their microstructure with atomic force microscope (AFM). Electron field emission characteristics of porous silicon were investigated at room temperature. The resuhs demonstrate that porous silicon has favorable electroluminescence properties, and the field emission current can be generated only under the electric field of 5 V/ μm. And the turn - on voltage is about 1 000 V. With the increase of the offered voltage, the emission current is enhanced and the emission voltage is over 2 000 V.     

锗硅碳合金的制备及性能研究进展

三元合金ＳｉＧｅＣ中处于替代位置的碳能缓解ＳｉＧｅ合金的应变,并同时调节其能带结构。碳的加入对锗硅材料中应变的缓解及合金能带合金能带结构的影响,尤其是弛豫状态下的锗硅材料及锗硅碳材料的调节作用本文进行了总结,冻对其制备的方法机理做了分析。     

锆-铝消气剂的吸气性能及其在行波管中的初步应用

本文扼要叙述了非溅散锆-铝消气剂的特性。通过对它的吸气量和吸气速率的实验测定,表明了在300～700℃范围内,它的吸气性能是令人满意的。对空气而言,在700℃,1×10~(-6)乇时,吸气速率约为310厘米3/2厘米~2·秒。700℃时的吸气量达1.0×10~(-1)～1.4 ×10~(-3)厘米~3·乇/2厘米~2。实验用的锆-铝消气剂是采用氢化锆粉(84％)与铝粉(l6％)配制而成。锆-铝合金的生成是在真空烧结过程中,除了有铝的局部蒸发以外,还由于氢化锆的分解,不断放出氢气而形成的,因而使得消气剂涂层更富于多孔性和更为清洁。邮电部北京506厂,将由Zr与Al直接熔炼而成的Zr-Al消气剂运用于行波管中,涂在灯丝托盘上,群频噪声显著下降,缩短了老炼时间,并且很大地简化了使用工艺,取得了初有成效的进展。本文最后展望了它的发展。     

掺碳锗硅合金的制备及其性能研究进展

近几年来 Ｓｉ Ｇｅ Ｃ 三元合金受到人们的广泛关注,日益成为研究的热点之一。碳的加入为 Ｓｉ－ Ｇｅ 系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性。处于替代位置的碳能缓解 Ｓｉ Ｇｅ 合金的应变,并调节其能带。总结了碳的加入对锗硅材料中应变的缓解及碳对合金能带结构的影响,尤其是对弛豫状态下的锗硅材料及锗硅碳材料的调节作用,并对其机理做了分析     

激活过程中锆石墨吸气剂的残气分析

本文介绍了国产锆石墨吸气剂,以及与钡铝吸气剂复合使用时,在锆石墨激活过程中管内残气组份的变化。发现室温下残气组份主要为He,CH_4,Ar,以及少量H_2,CO(N_2)等。同时给出了锆石墨吸气剂温度升高时,残气组份的变化规律,并进行了较详细的分析讨论。     

锆钒铁吸气剂常温激活吸氢现象的研究

介绍了锆钒铁吸气剂在室温(约20℃)下真空放置,不需高温激活即具有大量吸氢能力的现象.着重从表面吸附的角度分析此现象的反应机理,建立了反应模型,并进行了试验验证,由此得到影响该现象的主要因素.针对该现象的研究对于锆钒铁等吸气材料应用于蓄能电池、贮氢材料、核物理应用等领域具有重要意义.     

稳定和提高InSb红外探测器真空度的研究——锆石墨吸气剂在红外探测器中的应用

前言目前,在锑化铟红外探测器中存在的一个较实出的问题是真空度下降,严重影响探测器的可靠性。在77K温度下工作的锑化铟光敏件,被封装在由宝石片作为信号透过窗口的杜瓦瓶真空夹层的基座上,灌入LN_2(液氮)后基座冷却,以保证工作温度。过去由于杜瓦瓶真空夹层的真空度下降破坏了真空绝热状态,造成窗口出现冰霜现象,致使光敏件无法接收信号而探测器报废。杜瓦瓶结构见图(1)(2)。     

两步烧结对锆酸钡–钙硼硅复合材料性能的影响

以低软化点的CaO-B2O3-SiO2玻璃和BaZrO3为原料,采用两步烧结法制备了BaZrO3/CaO-B2O3-SiO2低温共烧复合材料。对比研究了两步烧结法与传统烧结法的不同,以及两步烧结法中各工艺阶段对复合材料结构与性能的影响。结果表明:两步烧结法能明显优化其微观结构,提高其介电性能;当复合材料快速升温到960℃(θ1)保温5min,再降温到920℃(θ2)保温5h两步烧结后,其εr约为15,tanδ约为1.5×10–4,可望作为低温共烧多层陶瓷电容器(MLCC)材料应用。     

在内腔He-Ne激光器中使用锆石墨吸气剂的方法

本文提出一种先激活后引入激光管中的加ZrC吸气剂的方法，并指出其优点在于吸气剂能被充分激活，激活时释放的气体不污染激光管，并且吸气剂固定刘激光器中时，不使腔发生改变。     

在内腔He-He激光器中使用锆石墨吸气剂的方法

本文提出一种先激活后引入激光管中的加ZrC吸气剂的方法,并指出其优点在于吸气剂能被充分激活,激活时释放的气体不污染激光管,并且吸气剂固定到激光器中时,不使腔发生改变。     

用锆石墨吸气剂改善He-Ne激光器输出功率和提高其寿命的研究

针对目前He-Ne激光器结构、材料和生产工艺中存在的问题，对各种影响因素进行了分析。分析结果得出，管内应用合适的吸气剂改善器件真空状况，有助于挖掘He-Ne激光器潜在的输出功率，并对提高器件寿命有所帮助。     

多孔硅的有效场致发射

基于氢离子注入技术和典型电化学阳极浸蚀法制备了多孔硅有图(PS)薄膜.该薄膜的表面形态和特征采用扫描电子显微技术(SEM),X射线衍射(XRD)以及原子力显微技术(AFM)描述.采用大约3.5V/μm的低通场在电流强度为0.1 μA/cm2处获得有效场致发射.在约12.5V/μm的叠加场下,PS薄膜的发射电流密度达到1mA/cm2.实验结果表明PS薄膜对平板显示仪器具有巨大的应用潜能.     

用硅的各向异性腐蚀工艺制备发射硅尖阵列

本文介绍了真空微电子器件场发射阴极硅尖阵列的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺和氧化削尖技术制成了形状和发射性能均较好的硅尖阵列，测试结果表明，起始发射电压为５～６Ｖ，发射电流在阳极电压为２０Ｖ时为０．５ｍＡ，反向击穿电压为７５Ｖ。     

锆-4合金的激光焊接研究

研究了Ｚｒ－４合金ＣＯ_２激光焊接时焊缝成形和接头冶金质量的控制方法,分析了其接头组织和性能。研究表明,焊缝和热影响区的组织呈板条状,焊接接头拉伸强度大于４８０ＭＰａ,延伸率超过３０％。并完成了２．５ｍ长核燃料元件盒的激光焊接。