CH3NH3HgI3晶体的形貌模拟与结构分析

为探究有机金属卤化物CH3NH3HgI3晶体的结构和形貌,采用MS软件的BFDH模型模拟了 CH3NH3HgI3晶体形貌,利用封端法辅助切面法计算了其重要晶面的附着能(Eatthkl),利用WinXMorph软件模拟并分析了其主要晶面在不同生长速率比下可能产生的晶核形貌.结果表明:BFDH模型得到的CH3NH3HgI3...     

激光物理气相沉积Al_2O_3薄膜

介绍了激光物理气相沉积设备的研制及利用所研制的设备和CO2气体激光器在Ni与SiO2基片上沉积Al2O3薄膜的方法．探索了激光物理气相沉积Al2O3薄膜的工艺,分析了Al2O3膜层的结构并初步测试了膜层的绝缘性、高温抗氧化性及耐腐蚀性．     

两温区气相输运温度振荡法合成AgGaS2多晶材料

根据对Ag2S-Ga2S3赝二元相图的分析，采用同成分点配料，分别采用一种新方法——两温区气相输运温度振荡法和普通气相输运法合成AgGas2多晶材料。通过XRD对合成AgGaS2多晶的分析，结果发现：新方法合成的原料纯度及均匀性优于普通气相输运法合成的样品。晶体生长实验表明：新方法合成的AgGaS2多晶材料生长出的单晶外观完整、无裂纹，红外透过率达67％，而普通气相输运法合成的多晶材料生长出的单晶体红外透过率36％。因此，两温区气相输运温度振荡法是合成高质量AgGaS2多晶材料的一种较好的新方法。     

气相脉冲放电水中H2O2生成影响因素研究

为了考察气相脉冲放电时水中H2O2生成规律,采用针-板式反应器,进行了实验,研究放电电压、气体流速、电极间距以及pH值对水中H2O2生成的影响.实验结果表明:提高放电电压,能够促进水中H2O2的生成;当气体流速为1.6 L/min时,水中H2O2浓度最大;减小电极间距,电场强度增大,有利于H2O2的生成;酸性条件时水中...     

气相脉冲放电水中H2O2生成影响因素研究

为了考察气相脉冲放电时水中H2O2生成规律,采用针-板式反应器,进行了实验,研究放电电压、气体流速、电极间距以及pH值对水中H2O2生成的影响．实验结果表明：提高放电电压,能够促进水中H2O2的生成;当气体流速为1．6L／min时,水中H2O2浓度最大;减小电极间距,电场强度增大,有利于H2O2的生成;酸性条件时水中H2O2浓度较大．     

2-羟乙基吡啶合成液的气相色谱分析

讨论了采用程序升温气相色谱法测定2 羟乙基吡啶合成液中甲醛、水、2 甲基吡啶和2 羟乙基吡啶含量的方法.定性方法为相对保留值法,定量方法为修正面积归一化法.对该方法的准确度和精密度也进行了讨论.结果表明,该方法准确、简便快速,用于2 羟乙基吡啶的合成研究、合成液的分离及工业化生产过程的控制分析,结果令人满意.方法相对标准偏差小于3%.     

ZnSe单晶气相生长输运剂Zn(NH_4)_2Cl_4的制备工艺研究

为了获得高质量的ZnSe单晶气相生长输运剂Zn(NH4)2Cl4,采用3种工艺因素和4个水平的16组正交试验设计方法对Zn(NH4)2Cl4输运剂的工艺过程进行了设计和分析研究.通过观察不同工艺下的结晶形貌,进行了物相和热重分析.研究结果表明:最合理的工艺因素为ZnCl2和NH4Cl的摩尔比为1∶1,烘干温度为130℃,结晶条件为室温静置.Zn(NH4)2Cl4的热分解过程分为3步完成,产物是ZnCl2.     

用气相色谱精确测定大气中的CO_2

在常温常压下，利用汞压进样装置控制进样速度，降低气体样品在定量管中的压力波动，达到了精确测定的目的。测试精度达１０~（－６）．     

在Shell炉粉煤输送中模拟CO_2取代N_2的工艺研究

根据目前减排的理念,以某煤化公司的甲醇生产项目为依托,对在Shell炉粉煤输送中模拟CO2取代N2的工艺进行研究.采用平衡常数法研究体系中的复杂反应,通过部分简化建立模型,建立起CO2返回工艺体系,并考察了耗碳量,单位耗碳内的甲醇产量,出口有效气含量(CO+H2)的影响.通过模拟得到的结果表明,CO2返回工艺对各操作条件是有影响的,致使单位耗碳内的甲醇产量下降,但对于CO2减排却是有利的,而且合成气品质优于纯氮气的生产工况.以降低一定甲醇的产量为代价来减少CO排放,获得较好的社会效益是可取的.     

气相色谱法测定2—羟丙基·甲基醚

采用气相色谱法, 选用１０ ％ ＦＦＡＰ 填充柱（ＦＦＡＰ 填充柱为聚乙二醇与２ － 硝基对苯二甲酸的反应产物） , 以乙酸乙脂为内标, 在９０ ℃柱温下对２ － 羟丙基·甲基醚进行定量分析, 该方法的变异系数为０－４６ ％ , 线性相关系数为０－９９７ ２ 。     

溶液法生长碘化汞籽晶层的机理研究

为提高碘化汞多晶薄膜的气相定向生长效果,文中利用氧化汞和氢碘酸在高纯去离子水中生长了碘化汞籽晶层.配制出了[Hg2+]∶[I-]=1∶3和1∶6两种不同溶度溶液,研究了溶质浓度对籽晶层生长的影响.采用LEICA-DM2500P偏光显微镜和UB200i生物显微镜研究籽晶层的宏观生长形貌,分析了溶液中碘化汞在衬底表面生长形貌和形成薄膜的过程.研究结果表明:当[Hg2+]∶[I-]=1∶3时容易形成四方形晶粒,生长形貌受晶体结构因素影响;而[Hg2+]∶[I-]=1∶6时容易形成密枝晶,其形貌受分子扩散动力学因素控制.     

NaY(WO4)2晶体生长与开裂分析

本文采用Cz法生长NaY(WO4)2晶体.研究了钨酸钇钠晶体的生长工艺,给出晶体生长的最佳工艺参数为拉速1-2mm/h,转速为10-18r/min,冷却速率为18℃/h,轴向温度梯度为液面上0.7-1℃/mm.大量实验表明,晶体开裂主要是由热应力引起的.热应力引起的开裂除了沿解理面方向外,还由于各方向上热膨胀系数不同,而表现为横向层状的断裂(偏c轴方向生长)和纵向断裂(偏a轴方向生长)两种形式.因此可通过设计合理而稳定的温场、选择最佳工艺参数及退火处理等方法,减少热应力引起的晶体开裂.     

U型坩埚上升法生长碘化铅单晶体

碘化铅（PbI2）晶体是一种性能优异的室温核辐射探测器材料。由于铅、碘化铅和碘三种物质的蒸汽压差很大,很难生长出优质的碘化铅单晶体。本文根据碘化铅熔体容易分解及Pb-I系统中熔体分层的特性,设计制作了新型的生长坩埚,并采用U型坩埚上升法生长出了橘黄色、半透明状的碘化铅晶体,初步测得其电阻率为1.7×10^12Ω.cm,红外透过率为45%。     

Yb：NaY(WO4)2激光晶体生长工艺研究

掺镱钨酸钇钠[分子式:Yb:NaY(WO4)2，简称Yb:NYW]是一种性能优良的激光晶体.本文采用提拉法生长出四方晶系白钨矿结构的Yb:NYW晶体,尺寸为 20mm×20mm.对生长的晶体中存在的开裂现象进行了研究,从理论上讨论了晶体中的热应力和热应变与晶体尺寸、温度梯度、提拉速度和转速等生长工艺参数之间的关系.实验研究发现,晶体开裂与生长速度过快、转速过大、晶体冷却速率过快所造成的热应力有关.并给出了制备无开裂优质Yb: NYW晶体的最佳生长工艺参数.     

AgGa1-xInxSe2单晶体生长及结构性能研究

采用改进Bridgman法生长出外观完整的尺寸为Φ15 mm×35 mm的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭。其晶格常数为a=0.60125 nm,c=1.10243 nm,为黄铜矿结构,与标准PDF卡片(No.35-1095)吻合。X射线粉末衍射谱图的谱峰尖锐,无杂峰,表明得到的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭的结晶状态好。对晶锭沿自然显露面解理取样后经X射线衍射发现晶体的自然显露面为(101)面,并观测到{101}晶面族的四级衍射峰,其回摆峰尖锐且半峰宽窄,表明晶体的结晶性完好并且结构完整,同时证实沿(101)晶面自然显露是AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体生长习性的一种体现。DSC-TG分析表明晶体的熔点和凝固点分别为822.67℃和801.58℃,总失重约为2.027%。     

环境友好半导体Ca2Si晶体生长及其性能研究

环境友好半导体材料Ca2Si晶体是直接带隙半导体,在室温下,其禁带宽度为1．9eV,且在4．5eV以下能量范围内,Ca2Si的光吸收系数大于β-FeSi2,因此,有望使用Ca2Si开发发光二极管、高效率太阳能电池等。综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展,由于现有的制备方法不适合大面积的制备Ca2Si材料,因此,提出了利用磁控溅射技术制备Ca2Si材料的设想。展望了Ca2Si的应用前景,探讨了当前Ca2Si研究领域中存在的问题。     

Nd:NaY(WO4)2晶体生长与性能研究

Nd:NaY(WO4)2(简称Nd:NYW)是一种性能优良的激光晶体.本文采用提拉法生长出了四方晶系白钨矿结构的Nd:NYW晶体,通过TG-DTA分析得到晶体的熔点为1208.7℃,并分析了晶体的吸收光谱.通过比较Nd:NaBi(WO4)2(简称Nd:NBW)和Nd:NYW的红外光谱和拉曼光谱结果,认为二者结构基本相同,为四方晶系、白钨矿结构、I41/a空间群.     

碘化铅多晶合成与单晶体生长研究

碘化铅 (PbI2 )的平均原子序数较大 ,碘化铅晶体有较宽的禁带宽度 ,作为一种新型的室温核辐射探测器材料有广泛的前景。本文对碘化铅原料的合成与晶体生长工艺进行了初步研究 ,用垂直布里奇曼法生长出了直径达 2 0mm、长约 3 0mm的完整半透明的碘化铅单晶体     

氟化钙晶体生长及性能研究

采用液-固-溶液法（LSS法）制备了CaF2纳米粉体,通过X射线衍射分析（XRD）测试手段对纳米粉体进行了性能表征,研究了水热合成温度及水热压力对于粉体质量的影响;当水热合成温度为160℃,填充比为70%时,制得的CaF2纳米粉体的质量更佳。采用坩埚下降法,制备出了位错少,红外透过率大于90%,在紫外到中红外范围内折射率随波长的变化率小,光密度小于0.1,且上下波动范围较小的CaF2光学晶体。通过显微镜、XRD、红外和紫外分光光度计等测试手段对CaF2晶体的物相结构、光学性能及晶体表面性能进行了表征。