时序控制器TCON的研究与设计

阐述了TFT-LCD的显示原理、系统结构和时序控制器TCON的设计方案。该模块设计主要为减少中、小尺寸TFT-LCD时序控制器的芯片管脚数,提高通用性,与一般TCON只能驱动2～3种分辨率的面板相比较,该设计支持8种显示模式。实现对TFT-LCD面板的时序控制,产生源驱动器模块和门驱动器模块所需要的各种控制信号、Vcom的极性控制及显示模式控制,实现对模拟RGB信号的显示控制,源驱动器和门驱动器的时序控制信号可兼容多家LCD面板的时序要求。支持16:9和4:3的TFT-LCD面板。该设计可灵活应用于市场上大部分的中、小尺寸TFT-LCD面板。产品可应用于车载电视、便携式DVD等。     

一种利用径向速度量测的航迹起始新算法

连续波雷达的测距精度较差,只利用目标的位置量测进行航迹起始的传统方法效果有限.但连续波雷达还能提供高精度的径向速度量测,因此推导了目标径向速度与方位角和航向角之间的关系式,进而建立了2种径向速度波门,结合位置扇形波门,确定了一种利用径向速度量测的航迹起始新算法.仿真结果表明,对低测距精度的目标,该算法航迹起始效果要大大优于单一位置波门算法的航迹起始效果.     

基于光纤传感技术的大型船闸人字门形变监测方法研究

为实时了解船闸人字门长期满负荷工作可能带来的结构安全问题,提出了一种基于光纤光栅(FBG)传感技术的人字门结构形变在线监测方法。通过对人字门结构进行建模与仿真,弄清门体整体受力分布情况；根据受力分布情况,在人字门上布置若干光纤光栅倾角传感器,实时动态监测门体各部位倾斜角度；将动态倾角变化量转化为结构形变量,建立门体拱度与各点形变量之间的映射关系。结果表明,光纤光栅倾角传感器具有良好的重复性,能够准确反映闸门开、关运行过程；所监测门体最大受力区域为门底枢止水附近,最大拱度在0.1°以内,最大形变量在7mm以内。     

部分耗尽SOI MOSFET中的浮体效应

介绍了部分耗尽SOI MOSFET中的浮体效应;简要描述了浮体效应的物理机制、测试结果,以及减小浮体效应的方法;同时,给出了在有体接触的情况下出现kink效应的测试结果.     

DF100A型100kW短波发射机实用性的改造

我台迁建新安装了三部DF100型100kW短波发射机,从安装到投入运行以来,在安全和维护方面都存在许多不便之处,为适应实验任务的需要,我们结合以往维护工作的经验,对发射机系统的转换开关、马达放大板、断路器面板、门开关等方面进行一系列地改造,为更好地完成安全传输发射工作,具有积极的意义。     

低数据率条件下的目标跟踪

在低数据率条件下,采用基于卡尔曼预测估计的传统跟踪门对目标进行跟踪,容易出现误跟踪和航迹丢失,针对该问题,提出了一种两级跟踪门的解决方案。第一级跟踪门为组合跟踪门,它由运动学状态估计和目标的最大速度信息确定,目的是通过扩大跟踪门的面积使得目标测量尽可能地落在跟踪门之内;第二级跟踪门为由先验的和测量的幅度信息确定的特征跟踪门,其作用是对落入组合跟踪门内的测量进一步筛选,以区别出目标测量和杂波。只有那些同时满足两级跟踪门的测量才有可能来源于正在跟踪的目标,因此可以将其用于后续的数据关联和滤波更新。仿真结果表明,在低数据率条件下,采用该跟踪门方案的跟踪器的跟踪精度明显高于基于传统跟踪门 特征跟踪门和多跟踪门 特征跟踪门的跟踪器。     

部分耗尽型绝缘体上硅器件体接触结构及新的方法对于对抑制浮体效应的研究

随着SOI CMOS工艺不断缩微,最小栅宽进入几十纳米时,用浮体接触结构抑制浮体效应就越来越无效,这是由于顶层硅的不断减薄带来越来越高的浮体串联电阻,使得堆积在浮体内的载流子越来越难流出体外。文章详细分析了传统体接触结构不能有效抑制浮体效应的原因,并且介绍了新的SOI CMOS结构用来抑制SOI的浮体效应。     

IMM—PDA滤波器的模型概率加权跟踪门研究

杂波情况下跟踪机动目标的一个重要问题就是跟踪门问题。文中研究了两种现行的跟踪门技术，模型跟踪门和集中跟踪门。提出了新的跟踪门技术，分别为模型概率加权跟踪门和两极模型概率加权跟踪门（TS-MPWG），TS—MPWG考虑了可能的模型误差，且当建立第二个波门时在模型误差变量上用到了上界。仿真里采用了一种高机动目标的基准轨迹，用RMS误差、跟踪丢失百分比和计算量比较了讨论的跟踪门技术的性能。从仿真结果可以看出，在杂波环境下用IMM—PDAF进行机动目标跟踪，TS—MPWG跟踪门技术优于其他方法。     

一种理解和设计传输门逻辑和静态CMOS门逻辑电路的方法

在充分了解NMOS管和PMOS管电学特性的基础上,我们总结了一个理解和设计传输门逻辑和静态CMOS门逻辑电路的方法,这种方法能够简单易懂的去理解基于MOS器件的传输门和静态CMOS门逻辑电路。运用这种方法,我们也可以方便的去设计传输门和静态CMOS门逻辑电路。我们的方法将静态逻辑门电路和传输门逻辑电路有机的统一起来,便于理解学生的理解和记忆。     

激光测距机的测距能力与距离波门

分析了决定激光测距机测距能力的因素;给出了测距机的信噪比与距离波门之间的定量关系;说明了波门大小的选择原则和距离波门在舰用光电跟踪仪中的滤波作用。     

Stacked Gate FinFET with Gate Extension for Improved Gate Control

Russian Microelectronics - Referring to the experimental data available, a modified pile gate bulk FinFET device with trapezoidal cross-section is analyzed through this paper. Two special features...     

Al栅a—Si TFT栅绝缘膜研究

Ａｌ栅可明显降低ＡＭ－ＬＣＤ中ａ－Ｓｉ ＴＦＴ矩阵的栅总线电阻及栅脉冲信号延迟，有利于提高高密显示屏的开口率与图像质量。本文详细分析了Ａｌ栅的阳极氧化技术，获得了适于ａ－Ｓｉ ＴＦＴ复合栅的Ａｌ２Ｏ３栅绝缘材料。     

浮栅器件栅耦合系数修正的探讨

提取浮栅器件栅耦合率的方法一般都是针对不可忽略的沟道耦合现象进行修正.对这些方法进行了比较、分析发现,对于短沟道浮栅器件,会由于参考器件存在明显的DIBL/SIBL效应,使提取的源、漏耦合系数偏大产生了很大的误差.提出了一种对亚阈值斜率法提取浮栅器件栅耦合系数的修正方法,结合了DIBL/SIBL效应因子,基于亚阈值斜率之比来较简单地实现更精确的近似,得到的栅耦合系数与设计值吻合较好,误差在2%以内,表明此修正法是合理且精确的.     

Gate CD Control Considering Variation of Gate and STI Structure

We developed a fab-wide advanced process control system to control the critical dimension (CD) of gate electrode length in semiconductors. We also developed a model equation that predicts the gate CD by considering the structures of gate electrode and shallow trench isolation. This prediction model was also used to perform a factor analysis of gate CD variation. The effectiveness of the model in controlling feedforward was evaluated by both simulation and experiment. The CD variation of the wafers was improved from 8.9 nm in its 3 sigma without control to 3.5 nm with lot-to-lot feedforward control.     

LED--新一代照明光源

由于LED照明技术促进了照明科技的发展，改善了人类的生活空间，拓展了照明产业的商业机会，因此LED已经成为当前最为热门的光源。本文介绍了LED的光原理和特性，分析了LED照明的现状，并对其广阔的前景进行了展望。     

纳米双栅MOSFET栅极漏电流的二维量子模拟(英文)

基于非平衡格林函数(NEGF)的量子输运理论框架,对双栅MOSFET进行了二维实空间数值模拟。在对表征载流子电势的泊松方程自洽求解后,感兴趣的物理量(如亚阈值摆幅、漏致势垒下降、载流子密度、电流密度等)可以被求得,观察了由栅极注入效应导致的二维电荷分布,并对不同电介质材料对栅极漏电流的影响进行了研究。此外,还通过调整电介质参数并进行比较的方法,研究了电介质的有效质量、介电常数、导带偏移对栅极漏电流的影响。该模拟方法为双栅MOSFET中载流子自栅极的注入提供了良好的物理图景,对器件特性的分析和比较有助于栅氧层高k电介质材料的选取。     

Modeling of Gate Tunneling Current for Nanoscale MOSFETs with High-k Gate Stacks

介绍了一种纳米MOSFET(场效应管)栅电流的统一模型,该模型基于Schrodinger-Poisson方程自洽全量子数值解,特别适用于高k栅介质和多层高k栅介质纳米MOSFET.运用该方法计算了各种结构和材料高k介质的MOSFET栅极电流,并对pMOSFET和nMOSFET高k栅结构进行了分析比较.模拟得出栅极电流与实验结果符合,而得出的优化氮含量有待实验证实.     

氮注入多晶硅栅对超薄SiO_2栅介质性能的影响

p+ 多晶硅栅中的硼在 Si O2 栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化 ,在多晶硅栅内注入 N+ 的工艺可抑制硼扩散 .制备出栅介质厚度为 4 .6 nm的 p+栅 MOS电容 ,通过 SIMS测试分析和 I- V、C- V特性及电应力下击穿特性的测试 ,观察了多晶硅栅中注 N+工艺对栅介质性能的影响 .实验结果表明 :在多晶硅栅中注入氮可以有效抑制硼扩散 ,降低了低场漏电和平带电压的漂移 ,改善了栅介质的击穿性能 ,但同时使多晶硅耗尽效应增强、方块电阻增大 ,需要折衷优化设计 .     

高k栅介质纳米MOSFET栅电流模型

介绍了一种纳米MOSFET(场效应管)栅电流的统一模型,该模型基于Schrodinger-Poisson方程自洽全量子数值解,特别适用于高k栅介质和多层高k栅介质纳米MOSFET.运用该方法计算了各种结构和材料高k介质的MOSFET栅极电流,并对pMOSFET和nMOSFET高k栅结构进行了分析比较.模拟得出栅极电流与实验结果符合,而得出的优化氮含量有待实验证实.     

氮注入多晶硅栅对超薄SiO2栅介质性能的影响

p+多晶硅栅中的硼在SiO2栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化,在多晶硅栅内注入N+的工艺可抑制硼扩散.制备出栅介质厚度为4.6nm的p+栅MOS电容,通过SIMS测试分析和I-V、C-V特性及电应力下击穿特性的测试,观察了多晶硅栅中注N+工艺对栅介质性能的影响.实验结果表明:在多晶硅栅中注入氮可以有效抑制硼扩散,降低了低场漏电和平带电压的漂移,改善了栅介质的击穿性能,但同时使多晶硅耗尽效应增强、方块电阻增大,需要折衷优化设计.