微波等离子体化学气相沉积法生长非晶碳化硅薄膜

利用SiH4(80%Ar稀释)和CH4作为源气体,通过改变源气体流量比、基片温度、沉积气压等参量,使用微波电子回旋共振化学气相沉积法生长非晶碳化硅薄膜。实验结果表明碳化硅薄膜沉积速率随气体流量比R(CH4/(CH4+SiH4))的增加而减小、随基片温度的升高明显减小、随沉积气压的增加先增大后减小。红外结构表明:在较低流量比R下,薄膜主要由硅团簇和非晶碳化硅两相组成,而当R>0.5时,薄膜的结构主要由非晶碳化硅组成,薄膜中键合的H主要是Si和C的封端原子。同时,沉积温度的升高使碳化硅薄膜中Si-H,C-C和C-H键的含量减少,而薄膜中Si-C含量明显增加且峰位发生了红移。薄膜相结构的转变是薄膜光学带隙变化的原因。     

等离子体化学气相法沉积金刚石薄膜

本文介绍和评述了化学气相沉积法制备人造金刚石薄膜及其进展。重点评述了反应机理、发展历史、沉积方法、补底材料、检测手段。论述了有利于形成立方晶系金刚石材料的沉积条件。     

等离子体化学气相法沉积金刚石薄膜

本文介绍和评述了化学气相沉积法制备人造金刚石薄膜及其进展，重点评述了反应机理，发展历史，沉积方法，补底材料，检测手段，论述了有利于形成立方晶系金刚石材料的沉积条件。     

微波等离子体化学气相沉积法生长取向性纳米氮化铝薄膜

采用微波等离子增强的化学气相沉积法，在Ｓｉ（１１１）衬底上生长了（００２）选优取向良好的Ａ１Ｎ纳米薄膜。研究沉积参数对膜的形貌、物相结构和生长速率的影响，发现在一定条件下，该沉积过程属于典型的输运控制过程，采用表面吸附生长模型讨论了膜的生长机制。     

化学气相沉积(CVD)法制备薄膜材料的进展

无机薄膜在现代科学技术中占有重要地位。CVD法是制备这类薄膜的有效手段之一.它装置简单,操作方便,工艺重现性好,且可在沉积薄膜的过程中随时调节薄膜的组成.过去20年里,在常压CVD得到广泛应用的同时,低压CVD、等离子体增强CVD(包括微波等离子体CVD)、光激发CVD(包括激光激发CVD)相继出现,并被成功地应用于优质薄膜的制备中。可预言,随着实践和理论的不断发展,CVD将更广泛地应用于现代科技领域中.     

等离子体增强化学气相沉积氮化钛薄膜

等离子增强化学气相沉积法(PCVD)是在物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)基础上发展起来的一种沉积方法。它兼有 PVD 和 CVD 方法的优点。介绍了 PCVD的原理和所研制的一台 PCVD 设备。分析了用 CVD 法和 PCVD 法制备的硬质膜的性能。所分析的性能有:显微硬度、抗弯强度、粘结牢度、机加工性能。     

定向TiN薄膜的等离子体化学气相沉积

在射频等离子体化学气相沉积条件下,在玻璃、低碳钢、云母、单晶Si(111)等基材上沉积TiN薄膜。试验表明,在这些基材上,在一定条件下,都可得到高度定向的TiN膜,研究了等离子体化学气相沉积中形成高度定向膜的条件及原因。     

化学气相沉积法ZnS块材料的生长

本文用化学气相沉积法制备了ZnS薄膜和块材料;观察了ZnS在具有不同表面粗糙度的石墨和石英基体上的成核和长大行为;研究了沉积温度、H₂S和Zn蒸汽流量对ZnS生长速率的影响规律．     

生长温度对等离子体增强化学气相沉积生长ZnO薄膜质量的影响

以Zn(C2 H5) 2 和CO2 为反应源 ,在低温下用等离子体增强化学气相沉积方法 ,在Si衬底上外延生长了高质量的ZnO薄膜。用X射线衍射谱和光致发光谱研究了衬底温度对ZnO薄膜质量的影响。X射线衍射结果表明 ,在生长温度为2 3 0℃时制备出了高质量 ( 0 0 0 2 )择优取向的ZnO薄膜 ,其半高宽为 0 2 6°。光致发光谱显示出强的紫外自由激子发射与微弱的与氧空位相关的深缺陷发光 ,表明获得了接近化学配比的ZnO薄膜     

等离子体化学气相淀积法(PCVD)生长氧传感器薄膜材料

稳定化 ZrO_2是目前已实用化的氧离子导体材料。由于工业过程自化的要求,传性感器的小型化、集成化、智能化已成为当前发展的趋势,各种薄膜型氧传感器元件的研制开始活跃起来~([1])。在众多的薄膜工艺中,PCVD 法优点突出,控制方便,尤其低压等离子体在低温所具有的高内能和活化能(其电子温度10~4～10~5K),为获得许多新型     

等离子体化学气相沉积

一、前言由于日益增长的社会需求,促使材料表面成膜技术(表面涂层)迅速发展。表面成膜在微电子、能源、光纤通讯、超导材料等尖端技术中,都占有重要的地位,在机械、建材等工业以及日用消费品制造业中都有广泛的应用。从材料种类上来看,薄膜材料有金属、半导体和绝缘体,有单晶、多晶和非晶态,有无机和有机材料。薄膜的成膜方法很多。可以按图1分类。根据不同的材料,可以选用相应的成膜工艺。     

新型微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜装置

微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）是制备金刚石薄膜的一种重要方法。为了获得金刚石薄膜的高速率大面积沉积，在国内首次研制成功了５ｋＷ带有石英真空窗的天线耦合水冷却不锈钢反应室式ＭＰＣＶＤ装置。初步用该装置成功在硅基片上沉积得到了金刚石薄膜。     

等离子体化学气相沉积氮化钛

本文报导中试规模的直流等离子体化学气相沉积氮化钛工艺及设备;对TiN膜的硬度、生长速率、显微组织、晶体结构以及TiN膜的成分进行的研究;经测试及实际应用证明,刃具、模具、轴承等镀TiN后寿命明显提高。     

等离子体化学气相沉积TiN

试验证明，利用非热平衡态的直流等离子体，可使ＴｉＮ的化学气相沉积温度由普通ＣＶＤ的１０００℃左右降到５００℃左右，膜的硬度达２０００ｋｇ／ｍｍ２（维氏）以上。研究了气压、气体配比及放电参数对膜沉积速度、硬度及结构的影响。     

等离子体化学气相沉积法及其最新发展

本文将对等离子体的性质、等离子体对化学气相沉积的作用、ＰＣＶＤ反应器以及 新近发展起来的微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）的特点和应用作一综述。期 望引起国内同行对这一崭新领域的关注，把我国ＰＣＶＤ特别是ＭＰＣＶＤ的研究工 作推向前进。     

激光化学气相沉积薄膜材料技术的研究进展

前言现代材料科学的重大成就之一就是薄膜材料的迅速发展。可以说所有先进技术的发展都与薄膜材料的应用有关,特别是功能薄膜材料。大规模集成电路、大型计算机及电子光学、电子学的大部分关键装置都得益于薄膜材料的使用。而且,随着现代科学技术的发展,各种各样的功能薄膜或特殊薄膜的应用越来越广泛。因而人们对薄膜材料的制备技术给予了高度重视,各国不借投入大量人力和物力对制备薄膜材料的技术进行开发和研究。