退火温度对CsI(Tl)薄膜微观结构和闪烁性能的影响

采用真空热蒸发法制备了CsI(Tl)薄膜, 然后进行了不同温度的真空热处理．用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线荧光光谱仪及正电子寿命谱仪对CsI(Tl)薄膜样品进行了分析, 并测得了样品的光产额．结果表明, 该CsI(Tl)薄膜沿(200)晶面择优取向生长．经过较低温度退火, CsI薄膜中的Tl⁺离子向薄膜表面扩散, 薄膜中缺陷数量增加, 且尺寸较大, 光产额略微增高．经过250℃退火, 薄膜中低温退火所形成缺陷得到恢复, 薄膜缺陷尺寸变小, 且数目减少, 具有较好的结晶状态, 光产额提高．经过400℃退火, 薄膜结构发生显著变化, 薄膜中缺陷大幅增加, 结晶状态变差, Ti+含量减少, 光产额急剧下降．     

纳米TiO2薄膜的制备与表面形貌研究

研究退火温度对薄膜相结构、表面化学组成及形貌的影响。采用射频磁控溅射法在单晶硅片上淀积TiO2薄膜,通过X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和X光电子能谱（XPS）对其进行表征。结果表明,室温制备400℃以下退火的TiO2薄膜为无定形结构,400℃以上退火的TiO2薄膜出现锐钛矿相,600℃以上退火的TiO2薄膜开始出现金红石相,退火温度在1000℃以上时样品已经完全转变为金红石相;随着退火温度的升高,晶粒尺寸和表面粗糙度逐渐增大,但是当退火温度为1000℃时反而有所减小,晶粒尺寸和表面粗糙度在退火温度为1000℃时发生的这一突变现象,是由该退火温度下的相变导致。     

真空退火对LiF和CaF2薄膜结晶性能的影响

研究了真空退火对玻璃衬底上热蒸发沉积的LiF和CaF2 薄膜的结晶性能的影响。X射线衍射分析结果表明 ,在4 2 0℃温度下 ,随着退火时间的增长 ,LiF薄膜的结晶状况明显改善 ;在 4 6 0℃温度下 ,随着退火时间的增长 ,CaF2 薄膜的结晶状况越来越好     

真空退火以LiF和CaF2薄膜结晶性能的影响

研究了真空退火对玻璃衬底上热蒸发沉积的LiF和CaF2薄膜的结晶性能的影响。X射线衍射分析结果表明，在420℃温度下，随着退火时间的增长，LiF薄膜的结晶状况明显改善；在460℃温度下，随着退火时间的增长，CaF2薄膜的结晶状况越来越好。     

薄膜厚度和退火温度对纳米多晶硅薄膜特性影响

以高纯SiH4为气源,采用低压化学气相沉积方法在p型〈100〉晶向单晶硅上620℃制备纳米多晶硅薄膜,对不同薄膜厚度纳米多晶硅薄膜分别在700、800、900℃进行高温真空退火,通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱(Raman)、场发射扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究薄膜厚度、退火温度对薄膜结晶取向、表面形貌等结构特性影响。结果表明,随薄膜厚度增加,薄膜取向显著且多晶特征明显,沉积薄膜多晶取向为〈111〉、〈220〉和〈311〉晶向,择优取向为〈111〉晶向,TO模强度减弱且加宽,晶粒大小增加;同一薄膜厚度,随真空退火温度升高,X射线衍射峰强度增强,TO模强度增强。     

ZnO薄膜中与Zn原子缺陷相关的发光特性研究

ZnO薄膜中可见光的发射与缺陷有关,为了研究ZnO薄膜中与Zn原子缺陷相关的发光特性,将不同Zn缓冲层厚度的ZnO薄膜沉积在Si衬底上,且所有样品在400℃下真空中退火1 h,采用X射线衍射谱(XRD)、吸收谱和光致发光谱(PL)表征了样品的晶体结构和光学特性。结果表明,随着Zn缓冲层溅射时间的增加,ZnO薄膜中的紫光峰向长波段发生了红移,且所有的发光峰强度逐渐增加;缓冲层和真空中退火都使得样品中有过量的Zn原子缺陷出现,薄膜中所有的发光峰与Zn原子缺陷相关。     

退火温度与ZAO透明导电薄膜晶体结构及特性关系的研究

用射频磁控溅射ZAO陶瓷靶的方法在石英衬底上成功制备了ZAO透明导电薄膜。用X射线衍射仪（XRD）、紫外可见（UV—Vis）分光光度计、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AEM）等手段，研究了薄膜的晶体结构、光学禁带宽度、表面和断面形貌与退火温度的变化关系。结果表明，低温段300℃以下退火的薄膜c轴较ZnO体材料有拉长现象；高温度段500℃到600℃退火的薄膜的晶粒直径变化平稳，其中500℃退火时，c轴也有拉长的效应，且形成良好的c轴趋向柱状晶薄膜；2．50℃退火时薄膜的光学禁带宽度最大，薄膜表面均匀致密，晶粒充分团聚结晶。     

退火对溅射ZnO薄膜的形貌和内应力的影响

用超高真空射频磁控溅射技术制备了高C轴取向的ZnO薄膜,用扫描电镜和X射线衍射仪分别研究了退火对ZnO薄膜形貌和内应力的影响.结果表明:适当温度退火后薄膜的形貌和内应力得到改善,通过增氧、缺陷原子的热激活和晶粒融合等可以有效地降低薄膜中由热效应、缺陷效应和粒子注入效应等引起的张应力,薄膜组织致密化并且柱状晶粒取向趋于一致.450℃退火的ZnO薄膜具有最低的张应力和最佳的结晶质量.     

RF磁控溅射法制备ZnO薄膜的XRD分析

采用RF磁控溅射法，在玻璃村底上制备多晶ZnO薄膜，并对所制备的ZnO薄膜在空气气氛中进行了不同温度（350～600℃）的退火处理和600℃时N2气氛中的退火处理。利用X射线衍射分析了溅射参数如溅射功率、溅射氧分压、衬底温度以及退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响。结果表明，合适的衬底温度和退火处理能够提高ZnO薄膜的结晶质量。     

真空共蒸发法制备CuxTe薄膜的结构特性分析

用真空共蒸发法制备了CuxTe（1≤x≤2）薄膜,并通过X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）及原子力显微镜（AFM）等表征手段分析了薄膜的结构特性,研究了热处理对不同Cu/Te配比的样品物相转变的影响。结果发现：刚沉积的薄膜非晶结构占主导地位,只有部分低Cu/Te比的薄膜出现多晶结构;退火后,薄膜发生晶相转变,且随着退火温度的升高,不同配比的样品有着不同程度的物相转变。其中,较低配比（x=11、.44）的样品多晶转变较为明显,结晶度较高,说明较小x值的薄膜晶化温度较低,而高x值的薄膜晶化温度较高。用CuxTe薄膜作为背接触层,获得了效率为12.5%的CdS/CdTe小面积太阳电池。     

退火处理对N掺杂Al:ZnO薄膜结构及性能的影响

采用射频磁控溅射方法,常温条件下以N2作为N掺杂源,在玻璃基底制备了N掺杂Al:ZnO薄膜。在真空氛围下对样品进行了不同温度的退火处理15 min。通过X射线衍射、霍尔效应测试、紫外-可见光谱和X射线光电子能谱(XPS)仪分析了退火对样品结构和光电性能的影响。结果表明真空400℃退火15 min时成功制备出性能优异的p型ZnO薄膜,其空穴载流子浓度为3.738×1020cm~(-3),电阻率为1.299×10~(-2)Ω·cm,样品可见光透射率达到了85%以上。XPS分析说明No受主缺陷的含量大于(N2)o施主缺陷导致薄膜实现了p型转变。     

退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响

采用磁控溅射的方法，在高真空条件下，沉积金属Fe到Si（100）衬底上，然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理，直接形成了β-FeSi2薄膜．采用X射线衍射仪（XRD）对样品进行了晶体结构分析，利用卢瑟福背散射（RBS）对Fe-Si化合物的形成过程中的Fe原子和Si原子的互扩散机理进行了研究，利用扫描电镜（SEM）对样品表面的显微结构进行表征，结果表明，在900℃条件下退火能够得到质量很好的β-FeSi2薄膜，超过这一温度β相将开始向α相转化，到1000℃，β-FeSi2全部转化为α-FeSi2。     

退火温度对CH_3NH_3PbI_3钙钛矿薄膜结构和电学特性的影响

采用一步溶液法制备的CH_3NH_3PbI_3薄膜,用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射仪对CH_3NH_3PbI_3钙钛矿薄膜的表面形貌和晶体结构进行表征。通过对薄膜的电流-电压(I-V)曲线的测试结果计算得到在退火温度为60,80,100,120和140℃制备的CH_3NH_3PbI_3薄膜的电导率分别为0.0069,0.0089,0.0178,0.0104和0.0013mS/cm。研究结果表明,合适的退火温度有助于薄膜结晶度的提高,晶粒尺寸的增大且尺寸分布均匀,从而有效减少晶界缺陷和晶界散射,薄膜电导率大幅度提高。但是,过高的退火温度(120℃)会导致碘离子VI空位缺陷的数量急增,甚至导致CH_3NH_3PbI_3的分解,使得薄膜内部的缺陷浓度提高。由于缺陷散射增强,载流子迁移率降低,薄膜电导率减小。     

电子束蒸发a-Si∶Co薄膜的离子注入改性研究

用电子束蒸发技术制备非晶硅薄膜,不同剂量Co离子注入后真空退火改性。X射线衍射法分析了样品的物相变化特征,发现Co离子注入可诱导非晶硅结晶,有一优化注入剂量5×1016ions/cm-2,使晶化Si(111)峰最强。还测量了非晶硅薄膜电阻率,揭示薄膜电阻温度系数随Co离子掺杂浓度和退火温度改变的规律;在退火温度500℃,离子注入量5×1015ions/cm-2条件下,获得TCR系数高达-2.5%的薄膜材料。     

电子束蒸发a-Si:Co薄膜的离子注入改性研究

用电子束蒸发技术制备非晶硅薄膜,不同剂量Co离子注入后真空退火改性.X射线衍射法分析了样品的物相变化特征,发现Co离子注入可诱导非晶硅结晶,有一优化注入剂量5×1016ions/cm-2,使晶化Si(111)峰最强.还测量了非晶硅薄膜电阻率,揭示薄膜电阻温度系数随Co离子掺杂浓度和退火温度改变的规律;在退火温度500℃,离子注入量5×1015ions/cm-2条件下,获得TCR系数高达-2.5%的薄膜材料.     

Fe掺杂量和退火氛围对TiO2薄膜晶体结构和磁性能的影响

采用直流磁控溅射方法在玻璃基片上制备了不同Fe掺杂量的TiO2薄膜,并对薄膜分别在空气和真空氛围下500℃进行30min退火处理。研究了Fe掺杂量和退火氛围对TiO2薄膜的结晶状态、表面形貌和磁性能的影响。结果表明,真空中500℃下退火的Fe掺杂的TiO2薄膜表现为非晶态结构,没有观察到室温铁磁性能的出现,而空气中500℃退火的样品显示出良好的结晶状态,且所有掺杂的样品均显示出室温铁磁性,并且随着Fe掺杂量的增加,TiO2薄膜的晶体结构逐渐由锐钛矿相向金红石相转变。     

原子层淀积 Al2O3薄膜的热稳定性研究

以Al（CH3）3和H2O为反应源，在270℃下用原子层淀积（ALD）技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜．采用X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、原子力显微镜（AFM）和傅立叶变换红外光谱（FTIR）等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究．结果表明刚淀积的薄膜中含有少量A-OH基团，高温退火后，Al-OH基团几乎消失，这归因于Al-OH基团之间发生反应而脱水．退火后的薄膜中O和Al元素的相对比例（1．52）比退火前的（1．57）更接近化学计量比的Al2O3．FTIR分析表明，在刚淀积的Al2O3中有少量的-CH3存在，CH3含量会随热处理温度的升高而减少．此外，在高温快速热退火后，Al2O3薄膜的表面平均粗糙度（RMS）明显改善，900℃热退火后其RMS达到1．15nm．     

退火温度与Tb掺杂对六角锥形氧化锌发光性能的影响

采用燃烧合成法制备了六角锥形氧化锌（ZnO）粉体,利用X射线衍射谱（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和光致发光谱（PL）研究了退火温度与Tb掺杂对ZnO粉体形貌结构和光学性能的影响,实验结果表明,600℃退火得到的晶粒六棱锥形最明显;不同退火温度处理后的样品光致发光谱都有紫光、蓝光和黄光;升高退火温度,样品结晶程度和发光强度提高,黄光发生蓝移;Tb掺杂使材料出现蓝移现象,并在546nm处出现了绿光发射峰。     

MgxZn1-xO薄膜的结构特性研究

采用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备了MgxZn1-xO（x=0．23）薄膜，用X射线衍射（XRD）、高分辨透射电镜（HRTEM）、喇曼（Raman）光谱和原子力显微镜（AFM）研究了薄膜的结构特性．XRD和HRTEM分析结果表明MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构，且具有沿c轴的择优取向，晶格常数与ZnO晶体的近似相等．Raman光谱不仅揭示MgxZn1-xO薄膜具有六角纤锌矿结构，而且也表明MgxZn1-xO薄膜的结晶质量比在相同条件下制备的ZnO薄膜好．AFM图像则显示出MgxZn1-xO薄膜为多晶结构．     

电化学沉积法制备氧化锌薄膜及性能研究

以硝酸锌为原料,CTAB和硝酸钾为电沉积添加剂,以导电石墨板为对电极,采用方波电位沉积的方法在氧化锡铟（ITO）导电玻璃基底上制备出透明的ZnO薄膜,采用X射线衍射、原子力显微镜和光学透过谱等技术对不同沉积条件下薄膜的结晶特性、表面形貌、光学性质等进行了研究,结果表明,应用方波电位法制备氧化锌薄膜的优化条件为：沉积时间6min、Zn（N03）2、浓度0．05mol／L、沉积温度为80℃、退火温度500℃。制备的ZnO薄膜在可见光范围内的平均透光率〉85％,且表面平整度高,晶粒尺寸较小。