ZnS:Tb~(3 )薄膜的电致发光

ZnS:Tb薄膜电致发光的光转换效率高达21m/W。然而,由于超量掺杂作用导致了快速衰减。通常,老化过程中效率的降低未发现有相应的光谱改变或载流子加速/激发中心的对应改变。因此,衰减可能与激发中心数量减少有关。这可能是由存在有堆积和或富铽相造成的。在0.5-0.8流明/瓦范围内可较稳定地使用。     

Ho~(3+)离子在高场电致发光薄膜中发光特性的研究

我们已经系统地研究了Ho~(3+)离子在高场电致发光薄膜(ACELTF)中的发光特性,结果如下: 1.在高场ACELTF中Ho~(3+)离子的发光是由于在高场下加速的过热电子直接碰撞而激发的。 2.在ZnS:HoF_3和ZnS:Ho两种样品中,Ho~(3+)的发光特性(如发光光谱,激发态的寿     

ZnS：Mn交流薄膜电致发光陶瓷灯

报道了一种直接用５０Ｈｚ，２００Ｖ市电驱动的ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜电致发光器件，使用高介电常数，低损耗的反铁电陶瓷片作为器件的绝缘层，同时也作为器件的基片，它具有功耗低，亮度较高，呈薄片状国经，性能稳定，寿命长耐压高，使用安全可靠等优点，是新一代的节能型中等亮度的平面显示器件。     

交流电致发光薄膜(ACELTF)计算机终端显示器

交流电致发光薄膜(ACEL了F)计算机终端显示器是一种全固体平板化的显示器。它与阴极射线管相比,体积小,重量轻,无 X 射线,安全可靠,发光稳定清晰。它与 LCD 相比,主动发光视角大,工作温度范围广,是平板显示的理想器件。ACELTF 计算机终端显示器可广泛用于车载、机载的终端显示,以及便携式计算机,用于石油、地质等野外作业。     

外延生长钇铝石榴石薄膜中Ho~(3 )和Nd~(3 )离子的激光振荡

利用在Y_3Al_5O_(12)基片上生长的Y_(1.25)Ho_(0.1)Er_(0.55)Tm_(0.5)Yb_(0.6)Al_5O_(12)薄膜,在77°K下于2.1微米处获得Ho~(3 5)I_7→~5I_8跃迁的脉冲和连续激光运转。Y_3Al_5O_(12):Nd~(3 )薄膜在77和300°K下于1.06微米处还观察到Nd~(3 )的~4F_(3/2)→~4I_(11/2)跃迁的振荡。本文讨论了这种薄膜渡导激光器的特性。     

交流薄膜电致发光显示

本文叙述了交流薄膜电致发光器件的结构、发光机理、薄膜材料、制造工艺、失效机理及国内外技术水平和研究动向。     

用MOCVD方法制备ZnS：Mn交流薄膜电致发光显示器

用ＭＯＣＶＤ方法制备ＺｎＳ：Ｍｎ交流薄膜电致发光显示器赵丽娟，钟国柱，杨宝钧，郑陈玮，赵国璋（中国科学院长春物理研究所１３００２１）（中国科学院激发态物理开放实验室）Ｚｎ：ＭｎＡｌｔｅｒｎａｔｉｖｅＣｕｒｒｅｎｔＴｈｉｎＦｉｌｍＥｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉ...     

ZnS:Mn交流薄膜电致发光器件中的双光脉冲现象

本文报道了在一些ZnS:Mn交流薄膜电致发光器件中观察到了双光脉冲现象。指出当外加脉冲电压截止时,第二个光脉冲可能是由于阳极边半导体-绝缘层界面处的电子,在极化场的单独作用下隧穿发射所引起的。     

ZnS:Ag和ZnS:Cu的薄膜电致发光特性

本文研究了ＺｎＳ：Ａｇ和ＺｎＳ：Ｃｕ的电致发光性质。用磁控溅射镀膜机和电子束镀膜机,分别制备了以ＺｎＳ：Ａｇ和ＺｎＳ：Ｃｕ为发光层的夹层结构薄膜电致发光器件,测量了电致发光光谱,研究了发光强度随电压,频率变化规律。结果表明,利用ＺｎＳ：Ａｇ和ＺｎＳ：Ｃｕ均可获得蓝色电致发光。     

Ho^3＋离子在SrS和ZnS基质中的电致发光

本文通过Ｈｏ３＋离子在ＳｒＳ和ＺｎＳ基质中晶体场环境的差异，分析ＳｒＳ：Ｈｏ３＋的电致发光机理，与光致发光光谱比较，得出Ｈｏ３＋离子在ＳｒＳ基质中的电致发光为能量从基质晶格通过４ｆ９５ｄ态到发光中心的能量传输过程。     

多晶薄膜电致发光显示器中的ZnS:Mn

一、引言由于ZnS:Mn的光学和发光特性,宽禁带Zn和Cd的硫化物一直被认为是在发光二极管(LED)中实现电能高效转换成光能的理想材料。虽然为实现这一目的已做了大量的研究工作,但探索“蓝色发光二极管”的工作仍在进行之中。这期间,电致发光(EL)中的一种崭新的概念是非常有意义的。它不仅在即不需要p-n结,也不需要导电型高传导区时消除了必须克服的“自补偿”,而且极有效地克服了多晶性。和粉末的情况不同,可以采用由真空沉积或CVD法制备完全透     

溅射ZnS：TbOF薄膜绿色电致发光器件

用二极射频溅射法制作了ZnS:TbOF薄膜绿色交流电致发光器件,研究了溅射条件和掺氧对器件性能的影响,发现在发光层中同时掺氧可以改善器件性能.     

交流薄膜电致发光器件的绝缘层

本文叙述了可用于交流薄膜电致发光器件(ACTFEL)的绝缘材料、绝缘层的制备及绝缘层的质量对器件性能的影响。     

交流薄膜电致发光器件的驱动

本文叙述了交流薄膜电致发光(ACTFEL)器件的结构、驱动方式和工作原理,讨论了器件亮度与驱动电路参数的关系。     

ZnS:Li_2O 薄膜的电致发光特性

本文报道了新型较高亮度的ZnS:Li2O蓝色薄膜电致发光,烧结了新型的蓝色发光材料ZnS:Li2O,用电子束蒸发制备出SiO2夹层结构的ZnS,Li2O蓝色电致发光器件,通过吸收光谱,电致发光光谱,激光光电压与发光强度的关系等研究了ZnS:Li2O薄膜发光特性,认为ZnS:Li2O薄膜电致发光可能是由Zn填隙和氧替硫引起的。氧替位能抑制通过硫空位产生的无辐射跃迁使蓝色发光增强。     

磁场对ZnS:Mn薄膜电致发光的影响

在温度为1.8-77K,磁场高达5T的条件下,研究了磁场(H)对ZnS:Mn薄膜电致发光(EL)的影响,ZnS:Mn薄膜是用电子束蒸发(EBE)和原子层外延技术制备的。在接近EL阈值电压条件下,随着电场H的增强,亮度B增加;而在高激发条件下,亮度降低.通过样品的电荷量有稍许改变而EL光谱和衰减率保持不变。在磁场垂直于和平行于电场方向的条件下,分别测量了B_H/B_O对温度和磁场的依赖关系,在EBE薄膜中观察到磁场作用的各向异性。考虑到磁场对自由载流子产生速率及对载流子自由通路的影响,同时注意到Mn~(2 )的碰撞截面和Lorenz势位对自由载流子运动的作用,分析了磁场作用的机制。对实验结果和理论计算进行了比较。     

ZnS:Li_2O 薄膜的电致发光特性

本文报道了新型较高亮度的 Zn S:L i2 O蓝色薄膜电致发光 ;烧结了新型的蓝色发光材料 Zn S:L i2 O,用电子束蒸发制备出 Si O2 夹层结构的 Zn S:L i2 O蓝色电致发光器件 ;通过吸收光谱、电致发光光谱、激发电压与发光强度的关系等研究了 Zn S:L i2 O薄膜发光特性。认为 Zn S:L i2 O薄膜电致发光可能是由 Zn填隙和氧替硫引起的 ,氧替位能抑制通过硫空位产生的无辐射跃迁使蓝色发光增强     

ZnS∶Sm,Y_2O_3∶Eu 和ZnS∶Mn红色交流电致发光薄膜材料和器件的研究

交流驱动的 ZnS:Mn(橙黄色)和 ZnS:TbF_3(绿色)电致发光薄膜(ACELTF)器件已实现商品化生产,目前研制发射红光和蓝光的 ACELTF 材料和器件是平板显示研究领域的前沿课题,其目的是实现彩色和多色 ACELTF 平板显示。ZnS:Sm 和CaS:Eu 两种红色ACELTF 已经进行了比较深入的研究,但由于 ZnS:Sm 色纯度差,亮度低,而 CaS:Eu 虽然     

稀土注入ZnS和ZnSe二极管的电致发光

一、引言虽然发光二极管和液晶显示能够满足许多方面的应用,但这两种类型的器件在某些方面并非令人满意。部分原因是由于人们增加了对薄膜电致发光的兴趣。但主要原因是人们对猎口敏夫及其合作者们研制的高亮度 ZnS:Mn 交流电致发光器件所产生的兴趣越来越高。虽然关于 Mn 掺杂器件目前