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相似文献
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1.
氧化铟对ZnO压敏陶瓷压敏特性及微观结构的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
陈建勋  赵瑞荣 《陶瓷工程》1997,31(5):3-6,12
用粒度为0.1-0.3mm的氧化锌偻末为原料,制得了氧化锌压敏陶瓷片,研究了In2O3掺杂对其压敏特性和微观结构的影响。结果表明;这种氧化锌粉末具有很高的烧结活性,适合作低压压敏电阻器。  相似文献   

2.
基于液相化学共沉淀法合成超细BaTiO3粉末,研究了制备PTC BaTiO3陶瓷的成瓷技术。利用XRD和SEM分析手段,对制备的BaTiO3陶瓷的结构进行了表征。对于影响BaTiO3陶瓷的主要性能,如致密化、PTC效应和半导化性能的工艺参数进行了较为详细的研究和讨论。  相似文献   

3.
本文研究了Al2O3、Y2O3、La2O3、Y2O3+SiO2几种类型的添加剂对AIN陶瓷力学性能和高温抗氧化性能的影响。结果表明:Y2O3+SiO2为一种较好的AIN陶瓷添加剂,材料在烧结过程中由于2H^5Sialon及8H-Sialon等纤维状的Sialon相形成,对材料起到一种自补强作用,SiO2的存在使用AIN陶瓷在氧化工程中形成Mullite保护层,故使AIN陶瓷肯有良好的力学性能及高温  相似文献   

4.
本文研究以Y2O3为烧结助剂的无压烧结A1N陶瓷中,晶界第二相和气孔等晶界缺陷对热导率的影响,结果表明A1N陶瓷晶界第二相的组成主要取决于配料中的Y2O3/Alk2O3比值,同时也受工艺因素的影响。  相似文献   

5.
研究了氧化锆添加剂对β”-Al2O3陶瓷的显微结构和性能的影响。实验结果表明,添加10%(按体积计)ZrO2可以大大改善β”-Al2O3陶瓷的显微结构,并使其强度有显著提高,与此同时,β”-Al2O3的电导率下降不多。  相似文献   

6.
Co2O3的理化性能对ZnO压敏陶瓷电性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文详细研究了氧化钴的理化性能对ZnO压敏陶瓷性能的影响。论述了Co2O3的热特性对压敏陶瓷烧成工艺产生的影响及控制措施,从理论上探讨了氧化 中所含杂质Fe、Cu,Na等对ZnO压敏陶瓷电性能的不利作用。提出了控制的上限,并试制出一种用于氧化锌压敏陶瓷的性能优良的Co2O3粉体。  相似文献   

7.
研究了稳定ZrO2和部份稳定ZrO2对β”-Al2O3陶瓷的强化和韧化作用,观察了不同种类、不同含量的ZrO2对β”-Al2O3陶瓷的显微结构、力学性能和电导率的影响,探讨了β”-Al2O3的韧化机理。  相似文献   

8.
本文研究以Y2O3为烧结助剂的无压烧结A1N陶瓷中,晶界第二相和气孔等晶界缺陷对热导率的影响。结果表明,A1N陶瓷晶界第二相的组成主要取决于配料中的Y2O3/Al2O3比值,同时也受工艺因素影响,随着Y2O3加入量增多,晶界第二相含量线性增加,其分布也从三晶连接外延伸到所有晶界。  相似文献   

9.
BaPbO3/BaTiO3系复合陶瓷的研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
报道了导电陶瓷BaPbO3与铁电陶瓷BaTiO3进行复合的结果,研究了该复合功能陶瓷的物相、导电性和低温电阻温度特性。结果表明:采用合理的合成工艺,可得到呈现混和分布的两相复合功能陶瓷材料,该复合材料的电导特征符合三维渗流导电行为。  相似文献   

10.
复合钢管内衬陶瓷层的组织结构和耐腐蚀性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
柳牧  殷声 《硅酸盐学报》1997,25(5):527-531
利用铝热-离心法制备了内衬陶瓷复合钢管。通常,陶瓷层由α-Al2O3和铁铝尖晶石两相组成。α-Al2O3沿径向呈枝晶生长,FeO;Al2O3连续分布在α-Al2O3的枝晶间。由于FeO;Al2O3不耐酸腐蚀,结果陶瓷层不具有耐酸蚀性能。  相似文献   

11.
施主掺杂多晶(Sr,Ba)TiO3微观结构和介电性能的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
系统地研究了施主掺杂对多晶SrTiO3(Sr,Ba)TiO3微观结构和介电性能的影响。SEM观察表明:掺杂不同施主,对多晶SrTiO3晶粒生长起着不同的作用。施主掺杂量影响多晶SrTiO3,(Sr,Ba)TiO3晶粒的半导化程度及试样介电特性。  相似文献   

12.
本文考察了全稳定ZrO2对Al2O3陶瓷的组织性能的影响。结果表明,热压Al2O3-ZrO2(6mol%Y2O3)陶瓷材料的显微形貌与其它Al2O3-ZrO2陶瓷的几乎完全一样,小量c-ZrO2的存在可促进Al2O3陶瓷的烧结并细化晶粒,从而提高材料的力学性能,但其增韧增强能力有限。大量c-ZrO2的存在因其本身低的力学性能、缺乏相变韧化和存在残余拉应力而使材料的力学性能下降。  相似文献   

13.
刘宏 《山东陶瓷》1996,19(3):3-7
本文用扫描电子显微镜和微区能谱分析研究了Nb掺杂浓度对多孔BaTiO3陶瓷显微结构及半导化性能的影响;对Nb掺杂浓度在半导化组分附近的样品中产生的半导化不均匀现象进行研究,认为产生这种现象的主要原因是由于样品中的Nb元素在烧成过程中通过表面向外界扩散引起的。  相似文献   

14.
孙献忠  鲍慈光 《云南化工》1998,(1):17-20,41
本文研究了气相扩散PbO、Bi2O3、PbO-Bi2O3使SrTiO3基陶瓷基片晶界绝缘化,气相扩散PbO-Bi2O3制备的陶瓷综合性能优良。讨论了气相扩散PbO-Bi2O3的工艺条件对半导化SrTiO3基陶瓷的介电性能(ε)、介电损耗(D)、非线性系数(α)及电阻率(ρ)的影响,用SEM和EPA对微观结构进行了观察和分析,结果显示PbO和Bi2O3主要集中在晶界附近。用SrTiO3气相扩散法成功  相似文献   

15.
金铨  吕奎龙 《硅酸盐通报》1996,15(5):40-42,57
本文通过在Fe0.5Sr0.5CoO3酒敏陶瓷基体中掺杂不同量的Nb2O5、CdO、La2O3、SnO2等,研究了氧化物掺杂对酒敏陶瓷灵敏度峰值温度的影响。结果表明:这四种掺杂物都能一定程度降低Fe0.5Sr0.5CoO3酒敏陶瓷的灵敏度峰值温度,且掺杂量为3%(摩尔比)左右时,该陶瓷的敏感度最好。  相似文献   

16.
AIN陶瓷中的晶界第二相   总被引:2,自引:0,他引:2  
晶界第二相是AIN陶瓷显微结构的重要组成部分,对AIN陶瓷的热导率有重大影响。本工作研究了以Y2O3为烧结助剂的无压烧结AIN陶瓷中,晶界第二相的组成、含量及其分布。结果表明:晶界第二相的组成主要决于配料中的Y2O3/Al2O3比值,同时也受工艺因素影响;随着Y2O3加入量增多,晶界第二相含量呈线性增加,其分布也变成从三个晶粒连接处延伸到所有晶界,还讨论了晶界第二相对热导率的影响,认为只要AIN晶  相似文献   

17.
采用高纯Al2O3超细粉末,烧制成掺杂稀土氧化物的Al2O3透明陶瓷。以EPMA法观测透明陶瓷晶界处的化学组成及稀土氧化物的定态浓度分布,用非平衡态热力不理论分析晶界偏析行为,研究发现,添加物在Al2O3透明陶瓷晶界的浓度分布为非平衡态和学组成分布,MgO,La2O3,Y2O3富集于晶界,符合定态耦合模型。  相似文献   

18.
由陶瓷复合材料的抗热冲击实验,证明添加W(ZrO2)=20%时可使Al2O3复合陶瓷的热震温度达到370℃,如何添加V(SiCw)=20%可使Al2O3复合材料的热震温度达到430℃,使Si3N4复合材料的热震温度达到650℃;如果采用V(SiCw)=20%,同时添加Al2O3,Y2O3等活性剂,由于强化晶界的作用,可使Si3N4复合材料的热震温度达到700~750℃,还对各添加剂使陶瓷材料抗热冲  相似文献   

19.
MnO2对0.85Pb(Zn1/3Nb2/3)O3—0.15BaTiO3陶瓷弛豫现象的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
王晓莉  姚熹 《硅酸盐学报》1994,22(4):381-386
研究了MnO2掺杂对0.85Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.15BaTiO3陶瓷电介电、热释电以及铁电弛豫等性能的影响。添加MnO2使PZN-BT陶瓷的介电常数ε下降,室温老化率明显增大。随着MnO2含量的增加,PZN-BT陶瓷介电常数与温度的关系中所表现出来的频率弛豫现象逐渐减弱,直到消失,但其扩散相变现象仍然十分明显。  相似文献   

20.
金属型导电陶瓷BaPbO3的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文研究了铅酸钡(BaPbO3)粉料的合成温度、气氛、时间与产率的关系。研究了BaPbO3导电陶瓷的制备工艺,以及Pb/Ba比、烧成温度、气氛对电性能的影响,制得电阻率为10^-4Ωcm的导电陶瓷  相似文献   

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