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相似文献
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1.
对ZnOB2O3SiO2三元系统进行了XRD和介电性能研究,提出系统的主晶相为方石英,另外还存在Zn2SiO4相。Zn2SiO4的ε为7.7,tgδ≤5×10-4,αC(介电常数温度变化率)为+90×10-5/℃。调整各组分,获得一系列αC>0的超低介电常数的介质陶瓷,其中介电性能为:ε≤5,Ri≥1013Ω,αC=0±30×10-5/℃的组分,其烧结温度为1140℃,可用来制造高频低介热稳定多层陶瓷电容器  相似文献   

2.
一次低烧SrTiO3基晶界层电容器的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了以Li2CO3为助烧结剂、Sr(Li1/4Nb3/4)O3为施主掺杂剂、Bi2O3和SiO2为晶界绝缘剂的SrTiO3基晶界层电容器的一次低温烧成技术。初步探索了Ti/Sr比值、施主掺杂剂、绝缘剂对显微结构及介电性能的影响。在1150℃烧成温度下,获得了εapp〉3.5×10^4;p〉1.0×10^11Ω·cm;tgδ〈1.0%;ΔC/C〈±5.0%(-25 ̄+85℃)的SrTiO3基晶界层  相似文献   

3.
研究了BaO-PbO-Bi_2O_3-Nd_2O_3-TiO_2五元系统各成分对系统介电性能的影响。调整各组分及玻璃的含量,获得中温(1140℃)烧结的热稳定独石电容器瓷料(NPOMLC),其介电系数ε=90±5,损耗tgδ≤3×10 ̄(-4),绝缘电阻率ρ_v≥10 ̄(12)Ω·cm,介电系数的温度系数α_ε=0±15×10 ̄(-6)/℃。  相似文献   

4.
有准急压冷法制成Fe2o3-SrO-TeO2系半导体玻璃并对其直流电导率进行了测定。玻璃形成范围为(以摩尔计)0≤fe2O3≤23%;0≤SrO≤18%;75%≤TeO2〈100%。通过Seebeck系数的测定确认Fe2o3-SrO-TeO2系玻璃为n型半导体玻璃。200℃的直流是导率为3.72×10^-5-1.82×10^-6S.cm^-1。直流电导率随着Fe2O3含量的增加而增加。165℃时的  相似文献   

5.
在pH值为3的NH3.H2O-NH4Cl介质中,镧,铈,镨与偶氮胂Ⅲ(ASAⅢ)形成配合物,并于-0.71V(vs.SCE)处产生灵敏的配合物吸附波峰电流与镧,铈,镨浓度分别为3.6×10^-8~1.4×10^-6mol/L,1.8×10^-8~8.6×10^-7mol/L,3.5×10^-8~7.0×10^-7mol/L范围内呈线性关系,测得镧与偶氮胂Ⅲ的配合比为1:1。稳定常数为4.5×10^  相似文献   

6.
复合电镀(Ni—P)—SiC的新工艺   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究了复合电镀(Ni-P)-SiC过程,发现随镀液中SiC浓度增加,阴极极化随之增加,分散能力下降,镀液中加入混合稀土后,镀层硬度由574HV提高到602HV,相对磨损量由4.54×10^-2g/cm^2下降到3.5×10^-2g/cm^2与A3钢相对耐磨性提高4.1倍。  相似文献   

7.
本研究利用溶胶-凝胶技术制备Y-La-Si-O-N氧氮玻璃配合料,在1大气压N2气氛中1600℃左右温度熔制,制备出表观呈灰黑色透明的Y-La-Si-O-N系统氧氮玻璃。实验结果表明氧氮玻璃含氮量为6.7-10.9at%;显微硬度Hv为3.5-6.47GPa;断裂韧性为0.64-1.38MPam^1/2,Tg在1000℃以上,膨胀系数为1.05×10^-6℃^-1.  相似文献   

8.
Li2O-ZnO-SiO2-PbO系高膨胀封接微晶玻璃的研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
以Li2O-ZnO-SiO2-PbO系为基础成分,以P2O5为成核剂,制备了膨胀系数在127.5*10^-7-196.7^-7℃^-范围内的高膨胀微晶玻璃。对影响膨胀系数的因素进行了分析。  相似文献   

9.
KTa0.55Nb0.45O3薄膜的介电和铁电及热释电性能研究   总被引:4,自引:1,他引:4  
在BT/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上用溶胶-凝胶法制备了KTa0.55Nb0.45O3(KTN)薄膜,0.5μmKTN-0.08μmBT薄膜在25℃,1.0kHz时,其εr=1114,tanδ=2.5%;12℃时,其中Pr=2.1μC/cm^2,Ps=4.2μc/cm^2,Ec=5.8kV/cm,0.5μm厚KTN膜的Curie温度为35℃;1.0KHz时,KTN膜的εr=1412,估算KTN  相似文献   

10.
用准急压冷法制成Fe_2O_3-SrO-TeO_2系半导体玻璃并对其直流电导率进行了测定。玻璃形成范围为(以摩尔计);0≤Fe_2O_3≤23%;0≤SrO≤18%;75%≤TeO_2<100%。通过Seebeck系数的测定确认Fe_2O_3-SrO-TeO_2系玻璃为n型半导体玻璃。200℃的直流电导率为3.72×10 ̄(-5)~1.82×10 ̄(-6)S·cm ̄(-1)。直流电导率随着Fe_2O_3含量的增加而增加,165℃时的载流子迁移率和浓度分别为1.12×10 ̄(-9)~3.67×10 ̄-7cm ̄2·V ̄(-1)·S ̄(-1)和2.17×10 ̄(21)~8.33×10 ̄19cm ̄(-3).讨论的结果表明Fe_2O_3-SrO-TeO_2系玻璃的电导机理符合小极化子跳越理论。  相似文献   

11.
本文在Li2O-La2O3-Ta2O5-SiO2系统电极玻璃中注入50keV,剂量分别为5×10^6,1×10^17,2×10^17ions/cm^2的Ta^+离子,测定了注入前后电导率Tk-100的变化,计算了活化能,结果表明,Ta离子注放后,随剂量的增加,电导率和Tk-100增加,活化能降低,并探讨了注入后电导率和Tk-100变化的机理。  相似文献   

12.
采用Al2O3基料,添加第二相(ZrO2,Si3N4)和纤维相(ZrO2,(f),以热压法制成Al2O3-Si3N4-ZrO2多相复合材料。研究表明,新材料在青静态和动态试验中表现出良好的综合性能:1073K时的高温电阴率p=1.24×17^7Ω.cm;静态熔渣最大腐蚀速率Vs=0.16μm/h;动态最大腐蚀速率Vd=0.449μm/h。与Al2O3陶瓷相比,室温抗弯强度提高93%,抗热震临界...  相似文献   

13.
研究了新量色剂-6甲氧基-苯并噻唑重氮氨基偶氮苯与Hg(Ⅱ)的显色反应。在非离子表面活性剂存在下的PH10.5Na2B4O7-NaOH缓冲介质中,Hg(Ⅱ)与该试剂形成1:2的稳定络合物,其λmax=525nm,ε525=1.6×10^5L·mol^-1·cm^-1。汞含量在0-8μg/10mL范围内遵守比尔定律,用于废水中汞的测定,得到满意的结果。  相似文献   

14.
采用固相反应法制备了致密的高温混合导体CaFe0.2Ti0.8O3-δ,测量它在900-1100℃的总电导率为0.08-0.11S/cm,氧渗透率为10^-8-10^-10mol/cm^-2.s结合总电导与氧渗透的数据计算出样品的电子和离子导电率,在1100℃时分为0.11和8.5×10^-3S/cm;氧渗透活化能约为170kJ/mol;氧离子和电子电导活化能分别为179±6和22±2kJ/mol  相似文献   

15.
研究了少量抗坏血酸与磷锑钼三元杂多酸体系的显色特性,建立了借磷锑钼三元杂多蓝测定抗坏血酸的分光光度法。最佳显色条件为[PO3-4]=30×10-4mol·L-1,[SbⅢ]=45×10-5mol·L-1,[MoO2-4]=75×10-3mol·L-1,P∶Sb∶Mo=1∶015∶25,[H加入]/[Mo]=57。测定波长为λmax=710nm,线性范围为1~50μg·mL-1,回归方程为A=3680C-0014,线性相关系数r=09998,表现摩尔吸光系数ε710=368×103L·mol-1·cm-1,检出限为02μg·mL-1,标准回收率为95%~100%,变异系数cv≤034%(n=6)。与二元磷钼杂多酸方法相比,省去了水浴加热的繁琐操作,而且由于锑(Ⅲ)的引入,显色在室温下35min便可完成,并可稳定5h。  相似文献   

16.
Laβ-Al2O3固体电解质的导电性能   总被引:2,自引:0,他引:2  
用直接合成法制备了Laβ-Al2O3固体电解质。利用阻抗谱测定其电导率,研究了电导率与温度及掺物含量的关系,在450-1000℃温度下电导率为10^-6-10^2S·cm^-1,活经能为0.89eV。用Wegner极化电池法测定了电子电导率,在500-900℃温度下电子电导率为10^-7-10^-5S·cm^-1,活化能为0.74eV。电子迁移数小于0.01。  相似文献   

17.
BaO-SrO-TiO2-SiO2透明极性微晶玻璃的研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
选择BaO-SrO-TiO2-SiO2玻璃系统,采用特殊的定向析晶工艺,获得透明极性微晶玻璃,测定了材料的显微结构,光谱透过率等性能,研究结果表明,该透明微晶玻璃在波长为400nm-5μm区间内有较高的透过率,沿晶粒生长方向的压电常数d53为9.5×10^-12C/N二阶非线性光学系数X^(2)为1.2×10^-13m/V。  相似文献   

18.
ZnO·WO3悬浮水溶液中SO2的光催化氧化   总被引:2,自引:0,他引:2  
本考察了ZnO·WO3悬浮水溶液中污染物SO2的可见光催化氧化并建议通空气处理较高浓度的SO^2-3水溶液。含0.15mol/L SO^2-3水溶液可见光照2h可将SO^2-3基本上光催化氧化成SO^2-4。对这光助SO^2-3自发氧化反应中可能平行存在的自发、多相催化、光化学和光催化等反应进行实验对比;筛选出克分子比0.5ZnO·W为最佳掺杂配比;考察了光催化剂热处理、空气流量、pH对子对0.  相似文献   

19.
研究了在引发速率相差千倍的情况下,胶乳粒子的成核机理,胶乳粒子和自由基的静电相互作用对乳液聚合动力学以及胶乳粒子的成核和成长的影响。当反应温度为60℃,引发剂为过硫酸钾/[VO(H2O)5]^2+(VO^2+)或叔丁基过氧化氢(t-BHP)/VO^2+时,引发速率由精确计量泵的注入量来控制,其最低和最高值分别为5.3×10^-7mol/(dm^3·min)和4.6×10^-4mol/(dm^3·m  相似文献   

20.
在H2SO4介质中偶氧氯膦Ⅲ(CPAⅢ)与铬(Ⅵ)发生氧化褪色反应,该褪色反应的表观洋吸光系数ε5500nm=2.81×10^3L.mol^-2.cm^-1,Cr(Ⅵ),0.8.0×106-4g.L^-1范围内符合比尔定律。本法用于土样中铬分析测定。结果满意。  相似文献   

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