还原炉钟罩镜面抛光对多晶硅生产节能的影响

采取机械抛光与电化学抛光相结合的方法,对多晶硅生产用还原炉钟罩内壁进行修复处理,在保证还原炉内壁表面较好粗糙度的基础上,提高其抗腐蚀能力,以达到最好的抛光效果。抛光后大大提高了电子级多晶硅生产的节电率,缩短了生产周期,降低了运行成本,节能效果显著。     

多晶硅还原炉倒棒原因分析

随着我国光伏产业和电子信息技术产业的快速发展,大量的多晶硅半导体材料被应用在太阳能电池和电子工业上。生产多晶硅的主要设备是大型节能还原炉,但是在生产过程中还原炉的倒棒致使设备损坏,备品备件大量被消耗以及产量质量的降低,能耗上升,生产成本提高。研究还原炉倒棒原因,通过改变进料喷嘴、优化工艺参数等来降低还原炉倒棒率就显得尤为重要。     

多晶硅还原炉能耗分析

多晶硅还原炉作为改良西门子法生产多晶硅的核心设备,其在生产过程中的能耗直接影响着多晶硅的生产成本,研究其在生产过程中的能耗去向是非常有意义和必要的。本文结合物料平衡和能量平衡,理论分析了不同炉型的多晶硅还原炉的能量去向,为制造更加节能的还原炉和工业生产过程中还原炉的选型提供了一些思路。     

电子级多晶硅的清洗液选择

对于电子级多晶硅产品而言,其质量判断的关键在于材料表面金属杂质含量情况。就目前来看,当前电子级多晶硅为去除附着在表面的金属杂质,一般都采取以酸为主的清洗工序。通过妥善选择清洗液来控制电子级多晶硅表面金属杂质含量,以提升产品质量。基于此,本文就围绕电子级多晶硅,对其清洗液选择展开重点探讨,并分析影响电子级多晶硅清洗质量的因素,以供参考。     

电子级多晶硅产品在还原过程中的影响因素

近些年来,我国的电子信息技术产业发展快速,尤其是高科技领域对于电子级高纯多晶硅的需求量有所增长,多晶硅材料已成为电子信息、电力产业和太阳能光伏产业最主要、最基础的功能性材料,本文主要介绍了电子级多晶硅在还原炉内的沉积过程受到反应温度、反应配比、气体流速、炉内压力、原料纯度等许多因素的影响,同时介绍了其与多晶硅的沉积质量和电耗之间的关系。     

电子级多晶硅生产还原尾气中无定型硅去除工艺研究

对电子级多晶硅生产还原尾气中无定型硅产生原因进行分析,从还原炉工艺优化调整、尾气回收系统过滤除尘方面研究相对应无定型硅的去除工艺,可以有效降低无定型硅含量,进一步提高循环氢气质量,有助于提升电子级多晶硅产品质量.     

浅析电子级多晶硅的清洗工序

电子级多晶硅产品的质量指标之一就是表面金属的杂质含量高低,而我国当下的电子级多晶硅清洗工序还是以酸洗为主导去除表面金属杂质含量,通过不同标准的化学刻蚀控制表面金属杂质含量,以达到产品的标准要求。文章就电子级多晶硅材料的化学清洗工序进行论述,讲述多晶硅的化学清洗工序中所涉及的化学试剂等因素的影响,提供清洗工序经验。     

旋风分离器在多晶硅还原炉尾气除尘中的应用

在多晶硅生产中,还原炉尾气夹带硅粉,易造成尾气回收系统堵塞及设备严重破坏,同时还会导致系统物料的污染,影响多晶硅产品质量。介绍了一种采用旋风分离器对还原炉尾气进行除尘的方法,在一定程度上降低了尾气中的硅粉含量,提高了尾气回收系统的运行周期及稳定性。     

多晶硅还原炉夹套式封头热-机械耦合场有限元分析

多晶硅还原炉是西门子法生产多晶硅的主要设备,由于进气管、出气管和电极座等部件都布置在封头处,导致封头温度分布不均匀,引起很大的温差应力,因此还原炉封头处存在很大的结构安全隐患。本文利用ANSYS,采用APDL语言,建立了某大型多晶硅还原炉夹套式封头1/4有限元模型。考虑到材料的非线性特性,对夹套式封头结构进行了仿真计算,给出了整体结构、上下花板和电极座温度分布云图,进而得出其应力分布变化规律,为多晶硅还原炉设计提供参考依据。     

12对棒还原炉模拟优化分析

12对棒还原炉是目前改良西门子法生产高品质电子级多晶硅的主要炉型,还原炉底盘、喷嘴结构形式、进料曲线是影响还原炉运行的主要因素,对产品产量、质量、电耗等指标影响较大。分析、总结12对棒还原炉的喷嘴布局、曲线以及还原炉内热场、温度场的分布情况,对12对棒的开炉稳定运行、产量提升、质量提升、电耗降低具有指导意义。     

多晶硅还原炉内流场及温度场的研究

多晶硅还原炉（CVD reactor）是西门子法生产多晶硅的主要设备。硅在多晶硅还原炉（CVD reactor）内的生长是一个复杂的过程,涉及动量、热量、质量传递以及化学反应,炉内流体流动分布是影响还原能耗的关键因素。在这项研究中主要考虑如何提高还原炉中流场和温度场的均匀性。提出了一种新的还原炉设计方案,与传统的多晶硅还原炉相比,在新的还原炉内加入了内罩,从而形成了一种不同的气体流动方式。在新的还原炉内,气体进口和气体出口被划分到不同的区域,气体从气体进口进入CVD reactor后向上流动同时参与气相沉积反应,反应后通过内罩的顶部,最后从气体出口流出。研究重点是内罩结构的设计,以期可以提高还原炉内部流场及温度的均匀性。通过计算流体力学研究,现在水平方向上温度梯度很小,同时有效地减小了回流区域面积。本研究提供了提高多晶硅还原炉内部流场及温度场均匀性的方法。     

多晶硅还原炉硅棒直径检测及生长过程研究

还原炉是多晶硅生产的核心设备,在还原炉的运行控制中,硅棒直径是反应沉积效果的重要参数。笔者设计了一种硅棒直径检测方法,通过试用获得还原炉运行中硅棒直径检测数据,并综合各控制参数进行多晶硅棒生长过程的研究,其结论能够为还原炉运行优化提供参考依据。     

多晶硅还原炉系统余热回收利用

高纯的SiHCl_3与H_2在还原炉内1100℃左右高温下发生化学气相沉积反应,在硅芯上沉积而生成多晶硅,还原炉是多晶硅生产中电耗最高的设备,本文通过利用高温热水对还原炉的夹套、底盘及尾气进行冷却,加热后的热水进行闪蒸,年产6000 t的多晶硅规模,通过热量回收能产生0.3 MPa(g)的低压蒸汽44.77 t/h。达到节能降耗的目的,从而降低多晶硅生产的成本,以提高行业的竞争能力。     

多晶硅还原炉接地故障预防措施

高纯三氯氢硅与氢气在还原炉内反应生成硅为改良西门子法生产多晶硅的关键步骤,还原炉运行情况对多晶硅的质量、产量及设备本体有极大的影响。接地故障是还原炉非正常停炉的常见原因。文章分析、总结接地故障发生的原因并提出相应预防措施。     

还原炉倒棒原因及改进措施研究

还原炉作为生产多晶硅的关键设备,生产多晶硅过程中常常出现倒棒现象,对还原炉产生严重损坏,重点针对硅棒沉积前期、中期、后期三个阶段倒棒的危害、原因进行分析,从还原炉喷嘴分布和大小、电极结构、石墨卡头结构、硅芯尺寸等方面进行改进,有利于降低还原炉硅棒倒棒率,提高生产效率,降低对还原炉设备的损坏.     

多晶硅制备中节能降耗技术的研究

探讨改良西门子法多晶硅工艺中副产物的综合利用、优化沉积工艺、优化与开发新型高效节能大型还原炉和新型高反射涂层等技术对多晶硅生产中节能降耗的影响,指出将目前已普遍使用和发展成熟的过程强化技术应用于多晶硅制备,可进一步降低多晶硅的制备成本.     

洁净用品在高纯多晶硅后处理过程中的重要性

高纯多晶硅是生产电子材料最为基础且最为重要的一项原料,它的纯度和金属的杂质控制有着极为严格的要求.多晶硅在由还原炉中生产出再至下游的厂家过程中经过了多种复杂工艺的处理,在每一个处理环节当中都存在被二次污染的风险.为了最大程度降低甚至是完全避免产品遭到污染,就需要通过多种工具以及装置进行干预,同时这也就给与多晶硅物品近距...     

多晶硅还原炉倒棒原因分析

还原炉倒棒一直是困扰各多晶硅厂的一个难题,长期倒棒现象将给生产设备造成损坏,甚至可能造成意外事故及人身伤害。通过对多晶硅生产中还原炉倒棒现象的总结分析,提出导致倒棒的主要原因和预防措施。     

电子级多晶硅生产技术探讨

高端电子级多晶硅是集成电路产业的基础,但由于其对产品纯度和稳定性的苛刻要求,国内并没有厂家能够进行商业化量产,这并不利于集成电路行业的健康稳定发展。本文在国内已掌握的改良西门子法多晶硅生产技术的基础上,结合国外先进技术,对精馏、还原的工艺和配套设备都进行了改良,并将光伏级多晶硅和电子级多晶硅生产系统进行了耦合,提高了效率,降低了整体生产成本,降低了原料对于电子级多晶硅生产的制约,形成了闭路循环生产体系。     

影响化学气相沉积多晶硅致密料比例的因素

改良西门子法生产多晶硅还原工艺是高纯的三氯氢硅和氢气在还原炉内发生化学气相沉积反应,得到固态多晶硅,多晶硅根据表观质量,分为致密料、玉米料、珊瑚料。目前,国内多晶硅生产以大型还原炉为主,对成本控制具有明显优势,但存在的问题是多晶硅致密料比例较低。本文通过对还原炉反应温度控制、进料喷嘴布置、反应配比等因素的分析研究,得出了提高还原炉化学气相沉积多晶硅致密料比例的方法、思路。