泰克公司在高速示波器中采用200 GHz SiGe技术

8月10日,泰克公司宣布,其下一代、可扩展、高性能示波器平台将广泛采用IBM8HP硅锗（SiGe）技术,再次证明其致力于帮助全球工程师加速未来设计方案的调试与测试工作。130纳米（nm）硅锗双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）foundry工艺提供了两倍于前代工艺技术的性能,能帮助推出实时带宽超过30GHz的示波器产品。     

一种数模转换器的动态闩锁试验方法

CMOS器件结构会引起闩锁效应,国内外目前有相关标准来检测集成电路的抗闩锁能力,但大部分集成电路的闩锁试验都是在电路静态工作下进行试验。该论文根据相关试验标准,结合典型集成电路动态工作情况,研究集成电路的动态闩锁能力。     

一种高线性度CMOS混频器的设计

采用线性化技术改进的混频器结构提高了线性度.采用TSMC 0.18 μm RF CMOS模型进行了电路仿真.仿真结果:在电源电压为1.8 V时,输入三阶截断点(IIP3)为10.3 dBm,输入1dB压缩点(P-1dB)为-3.5 dBm,增益为9.2 dB,单边带噪声系数为17 dB.     

RF LDMOS器件与高效率功率放大器设计

为满足人们高速通信的需求,多载波、宽带已经成为新的发展方向,这对功率器件和放大器需要提出新的要求。文中基于改进后CMOS工艺模块,针对GSM基站频段,通过对RF LDMOS版图的优化,制备了实际的RF LDMOS芯片,使用负载牵引系统测出器件在940MHz时P3dB压缩点输出功率52.6dBm,效率72%。并使用负载牵引系统测量出的数据制作了一款工作于920~960MHz的高效率功率放大器,通过对匹配电路地优化,P1dB压缩点达到52.7dBm,P1dB压缩点效率为65%,在功率回退8dB时效率为32.8%,线性增益18dB。     

新型的功率器件--射频LDMOS

射频LDMOS功率器件与普通双极型功率器件相比,结构合理、增益高、热稳定性好、性价比高,广泛应用于通信、广播、航空、军事电子等领域。文中对射频LDMOS功率器件的发展趋势、应用前景及主要性能作了较详细的分析,通过实验得出结论,LDMOS功率器件可用于固态发射机中。     

一种非对称射频开关芯片的设计

采用非对称结构和双悬浮技术设计了射频开关芯片,测试结果表明,工作频率为2.4GHz的射频开关,在发射模式下,插损为-1.18dB,隔离度为-31.88dB,在接收模式下,插损为-1.48dB,隔离度为-25.08dB,发射时P1dB大于22dBm,接收时为14dBm。由于采用串并结构,极大地增加了隔离度,这种高性能的收发开关的实现主要得益于P阱、深N阱的双悬浮技术,还有堆叠电路结构的应用,同时堆叠结构的分压效果使得通过增加堆叠个数可以进一步提高处理大摆幅信号的能力。     

基于无源RFID的集成加速度传感器设计

针对射频识别技术(RFID)迅猛发展的需求,采用0.35μm CMOS工艺设计并制造了一种集成加速度传感器。加速度传感器单元利用基于深反应离子干法刻蚀的体硅正面加工工艺,在经过标准IC工艺之后进行两步干法刻蚀,工艺简单。集成接口电路采用了一种内部限幅的环形振荡器电路,将加速度传感器电容值转换为频率信号,并由计数器完成数字信号输出转换。后期测试结果显示,所设计的集成加速度传感器获得了良好的线性度和稳定性能,仅占用0.23mm2芯片面积,1.2V电源电压下消耗了1.4μW功率,尤其适合于无源RFID传感器标签设计中。     

技术动态

NXP和索尼合资开展非接触式IC业务；博通推出支持HD和蓝光的解码芯片；台积电和中芯国际进军闪存市场；中国首套自主产权GPS芯片组诞生；联电45纳米SRAM芯片明年试生产；飞思卡尔启动ColdFire架构许可；三星明年将移动WiMAX引入中国；[编者按]     

泰克推出ThunderboltTM技术测试解决方案

泰克公司日前宣布,推出针对Thunderbolt技术的完整测试解决方案。Thunderbolt是一种新的高速多协议I/O技术,用于为下一代显示和I/O要求的上升空间。支持该技术测试的泰克新解决方案包括一台20 GHz DSA70000系列示波器、     

技术动态

IBM半导体工艺突破摩尔定律延续 IBM宣布,该公司已经开发出193纳米DUV(DEEPULTRAVIOLET OPTICAL LITHOGRAPHY)技术,可以用于生产只有 29．9纳米见方的电路,相当于当前主流芯片的三分之一。从某种意义上讲,IBM的新技术为“摩尔定律”继续生效扫清了障碍。英特尔联合创始人高顿-摩尔(GORDON MOORE)1965年提出,单位面积芯片上的晶体管数量大约每两年增加一倍,这就是著名的摩尔定律。多年以来,芯片产业的发展一直遵循着这一规律。人多数业内人士认为,至少在2015年之前,摩尔定律将继续生效。     

基于标准CMOS工艺的光敏传感单元结构的研究

基于0.6μm标准N阱CM O S工艺,研究了光敏管的结深及其侧墙结构对有源感光单元的感光面积百分比、光电响应信号幅值、感光灵敏度以及感光动态范围等参数的影响。研究了包括传统N+/P衬底的光敏管结构,以及网格状N+/P衬底,N阱/P衬底,网格状N阱/P衬底,P+/N阱/P衬底的光敏管结构。测试结果表明,不同深结深的光敏管结构,可以将器件感光灵敏度提高8~16.5 dB;网格状光敏管结构可以增加光敏管的侧墙面积,改善器件感光灵敏度;非网格状光敏管结构具有较低的暗电流和较大的感光动态范围,其中P+/N阱/P衬底光敏管结构的传感单元在变频两次扫描的工作方式下的感光动态范围可达139.8 dB。     

飞思卡尔高压射频功率技术的突破

作为蜂窝基础设施RF功率器件市场的领导者,飞思卡尔也在利用自己新开发的高电压射频功率技术,结合经济高效的创新超模压塑料封装,将其射频功率解决方案扩展至工业、科学和医疗(ISM)市场。飞思卡尔推出了专为HF/VHF频带(10～450MHz)和2.45GHz ISM频带设计的晶体管,从而将其在技术和封装方面的优势延伸到ISM市场。客户能够利用这些器件开发出最经济、高效的等离子发生器和磁共振成像(MRI)等系统。     

技术动态

德州仪器发布45纳米半导体制造工艺德州仪器(TI)发布了45纳米(nm)半导体制造工艺的细节,该工艺采用湿法光刻技术,可使每个硅片的芯片产出数量提高一倍,从而提高了工艺性能并降低了功耗。通过采用多种专有技术,TI将集成数百万晶体管的片上系统处理器的功能提升到新的水平,使性能提高30％,并同时降低 40％的功耗。     

CMOS集成电路的ESD设计技术

首先论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性 ,接着介绍了CMOS集成电路ESD保护的各种设计技术 ,包括电流分流技术、电压箝位技术、电流均衡技术、ESD设计规则、ESD注入掩膜等。采用适当的ESD保护技术 ,0 8μmCMOS集成电路的ESD能力可以达到 30 0 0V。     

功率集成器件及其兼容技术的发展

功率集成器件在交流转直流(AC/DC)电源转换IC、高压栅驱动IC、LED驱动IC等领域均有着广泛的应用.介绍了典型的可集成功率高压器件,包括不同电压等级的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)以及基于硅和SOI材料的横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT),此外还介绍了高低压器件集成的BCD工艺和其他的功率...     

产业动态

并购FCI收购IMPLO Technologies公司作为一家为工业、电信和能源产业提供连接器产品及模具解决方案的领先制造商,FCI已收购IMPLO Technologies公司(www.implotech.ca),后者是为公用事业领域提供高压     

技术动态

英特尔推出65纳米手机闪存芯片；ARM与TSMC合作延伸至65纳米工艺；IBM公布芯片新安全技术SecureBlue；高通第一款65纳米手机芯片上市；ST联手Semikron开发集成功率模块。     

扩大感光动态范围的象限光电传感器的研究

介绍了一种可调整感光动态范围的象限传感器的设计。该传感器采用 0 .6微米 CMOS标准工艺制造 ,包含有 1 6× 1 6有源光电管阵列 ,相关二次采样 (CDS)电路 ,输出缓冲放大电路和数字控制电路几个主要功能模块 ,实现了象限传感器与 CMOS处理电路的兼容集成。该传感器对目标单帧传感的感光动态范围为 60 d B,通过变频二次扫描进行感光动态范围的调整后 ,传感器总的感光动态范围可以提高为 84d B。     

技术动态

中兴通讯推出下一代PON设备ZXA10 C300本刊讯(记者张鹏)日前,中兴通讯携绿色宽带解决方案及系列产品亮相意大利通信展,并隆重推出了世界首台下一代PON设备ZXA10 C300。本次通信展上中兴通讯展出的绿色宽带产     

微波功率器件动态寿命试验方法和技术研究

介绍了对微波功率器件开展的动态加速寿命试验方法和技术的研究。主要阐述了实现振荡式微波动态寿命试验的方法 ,以及不同于常规的对受试功率器件进行内部式加热控温的技术研究。