GPS—HIP工艺制备Si3N4陶瓷的研究

采用GPS（气压）-HIP（热等静压）后处理两步工艺制备氮化硅（Si2N4陶瓷,GPS烧结后使试样表面气孔闭合,而后通过HIP后处理减少烧结体内部的气孔数量和减小内部气孔尺寸,弥合表面裂纹等,从而提高了试样的物理、机械性能等。     

采用GPS＋HIP生产工艺制造Si3N4基陶瓷刀片

介绍了采用GPS HIP生产工艺制造Si3N4基陶瓷刀片所涉及的混料、压制、排胶、气氛烧结(GPS)、热等静压(HIP)处理、刀片刃磨等主要生产工序。     

GPS-HIP工艺制备Si3N4陶瓷的研究

采用GPS（气压）-HIP（热等静压）后处理两步工艺制备氮化硅（Si2N4陶瓷,GPS烧结后使试样表面气孔闭合,而后通过HIP后处理减少烧结体内部的气孔数量和减小内部气孔尺寸,弥合表面裂纹等,从而提高了试样的物理、机械性能等。     

Si3N4陶瓷气氛压力烧结（GPS）技术

本文论述了气氛压力烧结技术产生的技术前景，ＧＰＳ烧结的原理和优越性，介绍了ＧＰＳ烧结工艺的技术关键以及在材料制备中的实际应用。     

CGPSZrO2—Si3N4复合材料性能的研究

本文研究了ＧＰＳ ＺｒＯ２－Ｓｉ３Ｎ４复合材料的烧结性能,相组成,显微结构和力学性能,ＺｒＯ２－Ｓｉ３Ｎ４复合材料在１７７０－１８００℃,氮气压力分别为１ＭＰａ,２ＭＰ,３ＭＰａ下烧成,获得相对密度〉９５％烧结体。     

Si3N4—SiC系复合陶瓷的试制

1.前言随着现代化学工业的飞速发展多种防腐蚀材料相继脱颖而出,应用于化学工业设备。具有一定耐腐蚀性能的普通化工陶瓷,由于存在着气孔率高、机械强度低和热稳定性差等缺     

多孔网状Si3N4陶瓷增强体的制备

选用具有连通气孔的网状聚氨酯海绵作为骨架,利用有机泡沫浸渍的Si3N4浆料工艺,以Al粉、Al2O3和ZrO2作为Si3N4陶瓷材料的烧结助剂,采用2次挂料及2步烧结工艺制备了性能良好的多孔陶瓷骨架。在相同烧结工艺条件下,多孔陶瓷的抗压强度随着孔隙率的下降逐渐增加。当烧结温度为1400℃时,多孔陶瓷具有最佳的烧结效果,既能保持很高的通孔率,又保证了材料具有较高的抗压强度。     

采用GPS HIP生产工艺制造Si_3N_4基陶瓷刀片

介绍了采用GPS HIP生产工艺制造Si3 N4 基陶瓷刀片所涉及的混料、压制、排胶、气氛烧结 (GPS)、热等静压 (HIP)处理、刀片刃磨等主要生产工序。     

稀土氧化物在氮化硅陶瓷中应用的研究进展

简要论述了稀土氧化物在氮化硅陶瓷材料中的应用研究概况,介绍了单一稀土氧化物以及复合掺杂稀土氧化物在氮化硅陶瓷材料中的应用进展,并比较了它们对氮化硅陶瓷材料性能的影响;最后对稀土氧化物在氮化硅陶瓷材料中的应用前景作了简单分析和展望.     

气压烧结Si3N4球应用研究

以实际应用和批量生产为目标,采用GPS法对Si_3N_4球的烧结进行了研究。性能测试表明GPS法烧结的Si_3N_4球致密度高、材质均匀、韧性好。装配轴承实用考核使用寿命达2300小时,为金属轴承寿命的3倍多。     

用有机前驱体制备Si3N4／纳米SiC复相陶瓷的研究

本研究成功地用有机前驱体引入纳米ＳｉＣ粒子制备出Ｓｉ３Ｎ４／纳米ＳｉＣｐ复相陶瓷。研究了制备工艺和有机前驱体加入量对材料性能及显著结构的影响，并对材料显微结构特点与强韧化机制进行了分析讨论。     

纳米Si3N4—SiC复相陶瓷显微结构

本文系统地研究了纳米Si_3N_4-SiC复相陶瓷显微结构,观测了纳米Si_3N_4-SiC复相陶瓷中Si_3N_4、SiC粒子晶粒尺寸,研究了复合在Si_3N_4晶粒内和晶界上的SiC粒子分布情况及Si_3N_4与SiC、Si_3N_4间的相界面。     

Si3O4基陶瓷材料高温腐蚀的动力学研究

本文采用静态腐蚀法,用煤灰及K_2SO_4作腐蚀介质,对三种Si_3N_4基材料在高温下的腐蚀过程进行了研究。结果表明:材料在不同温度下的腐蚀动力学过程不同;在1350℃时,符合中心收缩模型:1-(1-α)~(1/3)=kt;在1400℃时,则为α=kt~2。且材料不同。其腐蚀的表观速度常数亦不相同。     

Si3N4／纳米SiC复相陶瓷显微结构的研究

本研究通过采用纳米SiC粉体及有机前驱体两种途径,制备了Si_3N_4/纳米SiC粒子(Si_3N_4/纳米SiCp)复相陶瓷,研究了这些材料的显微结构特点,讨论了材料强化的机制与显微结构的关系。