砷化镓双栅场效应管及其在微波电路中的应用

本文简述砷化镓双栅场效应管的基本特性及其在放大器、倍频器.混频器、振荡器、移相器和开关等微波电路中的应用.     

X波段介质谐振器振荡器和缓冲放大器的研究

微波振荡器代表所有基本微波通信系统的能源来源。研究设计8．95GHz的低噪声砷化镓场效应管并联反馈介质谐振器振荡器,为了放大输出功率和提高负载牵引,在介质谐振器振荡器后一级加缓冲放大器,最终的输出功率是＋13．33dBm。测试证明输出信号的相位噪声偏离中心频率100kHz可达-116．49dBc／Hz,偏离中心频率10kHz可达-91．74dBc／Hz。     

4-8GHz场效应管压控振荡器

<正>南京电子器件研究所利用本所研制的WC592型功率场效应管和WB64型超突变结变容管,研制成WZB852型4-8GHz场效应管压控振荡器.振荡器采用了当前中、大功率场效应管振荡器常用的反沟道电路,此电路具有调谐范围宽,输出功率大,转换效率高,带内功率起伏小,单一的电源供给,接地电感小,稳定可靠及能抑制低频寄生振荡等优点.其外形见封底照片.     

C波段高频率稳定度宽带FET电压控制振荡器

本文叙述了用场效应振荡管和砷化镓常γ电调变容二极管及恒温控制电路等构成的C波段高频率稳定度宽带场效应管电压控制振荡器(VCO)的设计和电性能.通过合理的设计,VCO在4～6～8GHz的频率范围内,得到输出功率大于30mW,功率平坦度小于1dB,频率稳定度在10~(-5)量级.     

半导体三极管微波振荡器的现状

叙述了半导体三极管中小功率微波振荡器现状，主要包括三个方面，一是半导体硅三极管微波源；二是场效应管微波源；三是关于微波新器件，新技术对微波源发展的促进，还对各方面的未来发展作了预测性的估计。     

美国德克萨斯仪器公司推出砷化镓单片微波集成电路样品

美国德克萨斯仪器公司开始销售砷化镓单片微波集成电路(MMIC)和砷化镓场效应管样品.另外也开始数字砷化镓集成电路等研究工作.在微波器件中,德克萨斯仪器公司的单片功率放大器,反馈放大器,低噪声场效应管,功率场效应管都列入了试验项目.1986年第三季度和第四季度开始出售低噪声放大器和VCOMMIC四种产品,1987年第二季度提出2     

砷化镓场效应晶体管研究及整机应用和微波集成电路结构及工艺专题讨论会征文启事

<正>经中国电子学会批准,中国电子学会半导体集成技术学会和微波学会定于1983年10月在南京联合召开砷化镓场效应晶体管研究及整机应用和微波集成电路结构及工艺专题讨论会.会议由南京固体器件研究所和上海微波技术研究所负责筹备.会议内容包括:砷化镓场效应管研究及整机应用方面的述评,砷化镓场     

放大技术、放大器

Y2000-62105-199 0100411高能固态微波放大器的发展=Evolution of high powersolid-state microwave amplifiers[会,英]/Endler,H.M.& Modni,A.M.//1999 IEEE Proceedings ofAerospace Conference,Vol.2 of 5.—199～203(NiK)本文回顾了大于1GHz 高能微波放大器过去10年的发展。主要涉及采用砷化镓场效应管和单块微波集成电路制做的放大器。比较硅装置,砷化镓场效应管和单块微波集成电路的使用使得高能微波放大器在能级,带宽以及效能方面都获得了很大的提高。参3     

X波段低噪声砷化镓埸效应管振荡器的大信号设计与实现

砷化镓场效应管振荡器的输出主要在相位上不稳定,而这种不稳定性是由有源器件的噪声引起的。因为砷化镓场效应管呈现过量噪声,其重要后果是振荡器也呈现一种1/f调频噪声谱,这对当今空间通信或多卜勒雷达应用是一重大限制。本文探讨有源器件的低频过量噪声以及嵌入网络对整个调频噪声的影响。     

GaAs FET振荡器的信号和噪声性能

本文概论砷化镓场效应管作为非线性器件的工作原理,着重论述它作为振荡器元件时的性质。振荡器的性能特性将是研究的重点,还特别注意产生近载波噪声的机理。     

Ku波段高线性度DRO的设计

在Ansoft非线性电路设计软件Serenade支持下，通过变容管的选取，输出端的优化匹配，设计了一中心频率为18GHz的高线性度的场效应管介质谐振器稳频振荡器。测试结果表明，此振荡器具有非常好的线性度和很低的相位噪声，可以为微波锁相环路提供高品质的DRO。     

S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能

对WC76型S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能作了介绍。文中给出了测试振荡器的设计。测试结果表明,WC76型振荡管在s频段的微波性能良好,振荡频率在3GHz左右时,输出功率可达3.5w,直流—射频转换效率可达44％,而且在2～4GHz的整个S频段均能满意地工作。     

基于单片机控制的微波压控振荡器设计

微波压控振荡器是一种常见的微波频率源,广泛应用于通信、测量等领域.由于压控振荡器自身的特性限制,很难得到线性可预知的频率输出.设计了一种基于单片机控制的微波压控振荡器,该系统实现频率的数字可控线性输出.系统同时考虑了环境温度对系统的影响,由单片机处理分析温度传感器获取的温度值,将其结果和用户输入电压叠加,经数/模转换、运算放大后控制微波压控振荡器的偏置电压,控制输出频率.经实际测试,系统达到了微波数控压控振荡器的技术要求.     

激光器对光电振荡器相位噪声的影响

为了改善光电振荡器相位噪声特性、提高光电振荡器性能,采用理论分析和实验验证的方法,研究了激光器线宽、光功率与光电振荡器相位噪声之间的关系.测试了激光器在功率相等、线宽不等情况下,光电振荡器所产生的微波信号的频谱特性和相位噪声特性;测试了给定线宽激光器在不等功率情况下,所产生的微波信号的相位噪声特性.结果表明,激光器线宽越窄、光功率越大,光电振荡器产生微波信号的频谱特性和相位噪声特性就越好;在频偏1kHz以外,相位噪声受激光器线宽影响较小,受光功率影响较大.这一结果对改善光电振荡器相位噪声有一定的帮助.     

微波砷化鎵功率埸效应管及其电路技术的进展

本文讨论微波砷化镓功率场效应管及其电路技术的最新进展。其内容涉及工作频段直至K波段的器件的最佳结构和最佳设计参数。叙述了混合型砷化镓场效应管功率放大器的宽带匹配网络。这种网络是采用计算机辅助设计方法得出的,利用了从S参数特性推导出,并经修正后用于大信号工作的场效应管等效电路模型。本文还介绍了单片型场效应管功率放大器的设计和性能方面的进展。     

采用固态电调振荡器的插入式微波治癌机

本文报导一种新近研制成功的插入式微波治癌机及其实验结果.着重介绍了用于微波治癌机的一种微波固态电调振荡器.该振荡器的频率稳定度和输出功率均满足要求,且实验结果与设计值符合得较好.     

廿年回顾——机电部十三所研制GaAs MES FET和GaAs IC概况

1 引言 微波小功率低噪声晶体管和微波功率晶体管是机电部十三所传统的研究领域之一。作为主要的三端微波半导体器件之一的硅微波器件在六十年代末期低噪声器件已趋成熟,器件性能已经接近理论设计的物理极限。1966年,美国的米德提出砷化镓金属半导体场效应晶体管,或称砷化镓场效应管(简称GaAsMES FET)。砷化镓材料在迁移率等方面的性能比硅材料优越得多,GaAs MES FET的微波性能更使硅微波器件望尘莫及,因此,     

砷化镓雪崩振荡器偏置振荡和稳定分析

一引言 1958年里德提出了雪崩二极管振荡器的理论,到1965年Johnston、Brand和Lowe分别在硅、砷化镓和锗的二极管中实现了微波振荡,至今这十多年来,从理论到器件的制造都发展到了相当完善的程度。目前雪崩二极管振荡器已成为很重要的微波功率源。从C波段一直到毫米波段都已经有产品,有些产品输出功率达到几瓦,实验室的水平就更高一些,比如砷化镓雪崩管在8千兆赫下输出大于8瓦,效率高达35％。在研制大功率、高效率砷化镓雪崩管振荡器中,人们发现了砷化镓雪崩二极管的偏     

光电振荡器的相位噪声特性

与传统的微波振荡器相比,光电振荡器利用光纤储能,能够产生低相位噪声的微波信号.论述了光电振荡器的特点、基本结构和工作原理,推导了相位噪声的表达式,对其特性进行了理论研究,并构建了光电振荡器的实验.理论分析表明,光纤延时、激光器的相对强度噪声以及微波放大器的噪声系数会影响光电振荡器的相位噪声,为减小相位噪声提供了理论依据.实验测量了3种光纤延时下的相位噪声,并与理论分析的结果进行了对比,证明了理论分析的正确性.     

双谐振腔长脉冲相对论返波振荡器研究

延长输出微波脉宽是提高输出平均功率水平的一种重要技术途径.受限于“脉冲缩短”这一国际难题,通常高功率微波源输出微波脉宽较窄.相对论返波振荡器是一种高功率、高效率、可重频运行的高功率微波源,获得了广泛研究和应用.在长脉冲相对论返波振荡器研究方面,现有研究方法很难兼顾长脉冲与高效率.针对上述问题,提出了一种双谐振腔长脉冲相对论返波振荡器的设计方法:采用双谐振腔降低射频场;利用非均匀慢波结构增强束波作用;引入大半径收集极减少电子轰击产生的二次电子的数量.实验结果表明,该器件与现有的长脉冲相对论返波振荡器相比,可以在延长输出微波脉宽的同时提高器件束波作用效率.