锌—镍合金钝化膜的组成和结构对耐蚀性的影响

采用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）等方法测定了锌－镍合金铬酸盐纯化膜的组成和结构，并对Ｚｎ－Ｎｉ合金钝化膜的耐蚀性进行了研究。     

低掺铝TiN薄膜的XPS,XRD分析研究

本文用多弧离子镀方法制备了Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ（ｘ＜０．３）薄膜，并且运用俄歇电子能谱（ＡＥＳ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）等技术对Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ进行测试和分析。结果表明：膜层中除含Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ元素外，还出现了一定量的氧；薄膜呈现了（１１１）、（２２２）等晶面的择优取向；薄膜与基底间的附着力较好。     

前驱气体CH4,N2的流量比对CHx,膜Raman谱的影响

沉积在Ｓｉ（１００）基片上的ＣＮｘ膜是用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＷＰＣＶＤ）制备的，本文着重探讨了ＣＨ４，Ｎ２的流量比对ＣＮｘ膜的Ｒａｍａｎ谱的影响，并采用Ｘ－射线光电子能谱（ＸＰＳ）方法分析了ＣＮｘ膜的化学状态。     

前驱气体CH_4、N_2的流量比对CH_x膜Raman谱的影响

沉积在Ｓｉ（１００）基片上的ＣＮｘ膜是用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＷＰＣＶＤ）制备的。本文着重探讨了ＣＨ４、Ｎ２的流量比对ＣＮｘ膜的Ｒａｍａｎ谱的影响，并采用了Ｘ－射线光电子能谱（ＸＰＳ）方法分析了ＣＮｘ膜的化学状态。     

氮化铁梯度薄膜的制备和磁性研究

用对向靶溅射方法制行出氮化铁梯度薄膜。利用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对样品进行了深度剖面分析，铁原子和氮原子的百分含量沿膜厚方向呈梯度变化。Ｘ射线衍射表明膜中含有α＝Ｆｅ，－Ｆｅ１６Ｎ２，ε－ＦｅｘＮ（２〈ｘ≤３）和δ－Ｆｅ２Ｎ各相。随着氮分压增加，膜中含氮量高的相比例亦增加，饱和磁通密度逐渐降低。     

C60／花生酸混合LB膜Ⅱ.LB膜的表征和AFM形貌观察

用紫外可见吸收光谱（ＵＶ－ｖｉｓ）、Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）对Ｃ６０／ＡＡ混合ＬＢ膜中Ｃ６０分子在ＬＢ膜中的排列作了观察,进一步证明了我产在第一报中确认在混合ＬＢ膜中Ｃ６０分子不是顶在花生酸疏水部分的端头,而是嵌埋在花生酸分子之间。     

等离子体聚丙烯薄膜的电气及湿敏性能

在射频辉光放电条件下制备出等离子体聚丙烯薄膜．用红外吸收光谱（ＩＲ）、用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析了聚合膜的本体及表面结构；测量了聚合膜的电气特性和湿敏特性。     

电镀Zn－Co合金钝化膜的X光电子能谱分析

Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）分析表明，电镀Ｚｎ－Ｃｏ合金钝化膜与电镀锌钝化膜一样，均由ＣｒＯ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｚｎ（ＯＨ）_２、ＺｎＯ及Ｈ_２Ｏ等组成，但Ｚｎ－Ｃｏ合金钝化膜中高价铬含量较高，且在钝化膜的较深层处有原子态钴存在，这是该合金钝化膜具有高耐蚀性的主要原因。     

电镀Zn—Co合金钝化膜的X光电子能谱分析

Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）分析表明，电镀Ｚｎ－Ｃｏ合金钝化膜与电镀锌钝化膜一样，均由ＣｒＯ３，Ｃｒ２Ｏ３，Ｚｎ（ＯＨ）２，ＺｎＯ２及Ｈ２Ｏ等组成，但Ｚｎ－Ｃｏ合金钝化膜中高价铬含量较镐，且在钝化膜的较深怪处有原子态钴存在，这是该合金钝化膜具有高耐蚀性的主要原因。     

LY12铝合金表面双层稀土转化膜的研究

依据电化学阻抗谱评价了ＬＹ１２铝合金表面双层稀土转化膜的抗腐蚀性能,膜的存在使材料的腐蚀电阻增大,腐蚀速率降低。利用扫描电镜（ＳＥＭ）观察了稀土（ＲＥＭ）转化膜的表面形貌,膜是以不同尺寸的圆球状颗粒层辅满基体表面。利用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）研究了膜的微观形态,发现膜以非晶态形式存在。利用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析的膜的成分,膜是由铈的氧化物和氢氧化物组成。铈的价态呈三价和四价。     

射频溅射法制备氟碳高分子膜的表征

为研制高性能防水透湿织物,在涤纶薄膜基底上沉积了氟碳高分子膜,利用光电子能谱（ＸＰＳ）,表面衰减全反射红外光说（ＡＴＲ－ＦＴ－ＩＲ）,掠角红外光谱（ＧＡＩＲ）对膜进行了表征,构成该膜的大分子由－Ｃ－,－ＣＦ－,ＣＦ２－和Ｃ且分组成,随阒施加能量的增加,缺氟基团－Ｃ－和富氟基团ＣＦ３－同时增加,这可由分子内分支、交联和双键增加及由它们构成的网状结构增强来解释。     

PECVD法氮化硅薄膜的研究

本文采用射频等离子体增强化学气相生长法（ＰＥＣＶＤ），在单晶硅衬底上生长氮化硅薄膜，经Ｘ射线衍射测试发现，在（１００）晶向硅片上生长的氮化硅薄膜为（１０１）晶向的外延生长膜。还用红外吸收光谱拉曼光谱和Ｘ射线光电子能谱测试了β－Ｓｉ３Ｎ４的特性，讨论了它在微电子学中的应用。     

聚苯硫醚涂层／金属基体的界面研究

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了聚苯硫醚（ＰＰＳ）在高温下的化学反应和ＰＰＳ与不锈钢、铸铁、Ａ３碳钢的结合机理。结果表明，ＰＰＳ在３００℃以上发生了氧化交联和氧化反应，反应中有Ｃ－Ｏ－Ｃ、Ｐｈ－ＳＯ－Ｐｈ和Ｐｈ－ＳＯ２－Ｐｈ基团生成，涂层界面的Ｐｈ－Ｓ－Ｐｈ中的Ｓ有２３％生成了Ｐｈ－ＳＯ－Ｐｈ和Ｐｈ－ＳＯ２－Ｐｈ。同时初步解释了ＰＰＳ涂层与金属界面的结合是由于ＰＰＳ中Ｓ原子的孤对电子和金属基体的     

EB—PVD热障涂层的失效行为研究

利用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电镜（ＳＥＭ）及能谱分析（ＥＤＸＳ）技术，对ＥＢ－ＰＶＤ热障涂层（ＴＢＣｓ）中陶瓷面层在热冲击和循环氧化试验前后的形和变化进行了分析，研究了陶瓷面层的生长形态和相且分对热障涂层耐久性的影响。     

氢离子束对Mo—Si多层膜界面改性的研究

为了研究氢离子束轰击Ｍｏ－Ｓｉ多层膜界面的情况，采用氢离子束（能量１５０ｅＶ）轰击Ｓｉ表面，即Ｓｉ与Ｍｏ之界面，再用Ｋｒ离子束溅射刻蚀，并用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）分析，实验结果说明氢离子束对Ｓｉ表面轰击能有效防止界面混杂效应，进而说明这是制备软Ｘ射线多层膜反射镜过程中解决界面混杂问题的有效途径。     

镍-钨合金电沉积层结构与显微硬度的研究

采用Ｘ－射线衍射（ＸＲＤ）和Ｘ－光电子能谱（ＸＰＳ）研究了镍－钨合金电沉积层的结构。结果表明,含钨量小于３７．２％的镍－钨合金电沉积层属于金属化合物结构,其原子比为４：１。显微硬度测定表明,具有金属化合物结构的镍－钨合金电沉积层的显微硬度最大。     

真空退火引起的VOx薄膜生长过程的变价问题研究

本文以Ｖ２Ｏ５粉末为原料，采用真空蒸发镀膜与真空退火相结合的方法，在载玻片和单晶Ｓｉ（１００）衬底上得到了ＶＯ２为主的薄膜。利用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对不同退火条件下所得膜的价态组份进行了分析，得到了膜中Ｖ的价态与退火温度、退火时间以及膜厚的关系。     

利用射频磁控溅射制作高性能铁磁性薄膜的研究

讨论了用射频（ＲＦ）磁控溅射制作铁磁性薄膜工艺，合适的工艺参数能够获得较低的矫顽力Ｈｃ＝６Ｏｅ。用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）研究膜表面情况及氧化深度。     

微量Si在W－7Ni－3Fe重合金中的行为

研究了掺到原料Ｗ粉中微量Ｓｉ（４００ｐｐｍ）在Ｗ－７Ｎｉ－３Ｆｅ重合金中的分布及在液相烧结过程中的行为．结果表明，Ｓｉ主要以固溶形式分布在Ｗ晶粒中．Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析发现，在掺杂Ｓｉ的Ｗ－Ｗ及Ｗ－基体相界面富集ＳｉＯ２和Ｎａ２ＳｉＯ３在未掺杂试样的断口表面发现了较弱的ＷＯ２的ＸＰＳ谱，而在掺杂合金中未发现ＷＯ２．     

锌铁合金镀层铬酸盐黑色钝化膜的光电子能谱研究

用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）结合Ａｒ＾＋刻蚀技术研究了Ｚｎ－Ｆｅ合金镀层（Ｆｅ〈１ｗｔ％）铬酸盐黑色钝化膜的组成随深度的变化。结果表明：钝化膜层和过渡层厚度分别为１６０ｎｍ和２４０ｎｍ;钝化层的组成基本上是均匀的,含有Ｃｒ,Ｏ,Ｚｎ,Ａｇ,Ｃｕ,Ｆｅ,Ｓ等元素;从Ａｒ＾＋刻蚀曲线的组成恒定区求得膜层主要元素相对浓度约为３２．２４ａｔ％ Ｃｒ,６３．２６ａｔ％ Ｏ,４．５０ａｔ％ Ｚｎ。