向65nm工艺提升中的半导体清洗技术

由于器件尺寸由90nm技术节点向65nm节点的缩进,在前道工艺的湿法清洗中去除0.1μm及更小尺寸的污染粒子正在成为一种新的技术挑战。评价了在向65nm技术节点的迈进中,器件的新结构、新材料对于清洗设备提出的各种技术挑战及应对无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗技术。指出了单片式清洗技术的应用前景及干法清洗与湿法清洗技术共存的可能性。     

晶圆制备工艺用清洗洁净及环保新技术

在简要介绍传统的湿法清洗与干法清洗技术的基础上,分析了几种晶圆制备工艺中的清洗洁净与环保新技术,包括HF与臭氧槽式清洗法、HF与臭氧单片清洗法以及无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗方法等.分析结果表明,采用新技术清洗后的晶片表面可以满足更小线宽器件的要求,由于清洗工艺和步骤得到简化,所以使清洗设备小型化成为可能,同时新技术不仅节省了洁净间面积,而且有效地降低了环境污染.     

单晶圆清洗技术

由于器件工艺技术的飞速发展和图形关键尺寸的不断缩小,以及新材料的引入,使得前道工艺(FEOL)和后道工艺(BEOL)中表面处理显得更为重要,从而对晶圆的传统表面清洗技术提出了新的挑战。介绍了单晶圆清洗技术的发展现状和几家设备公司的市场应用动向。     

SEZ公司新推出单晶圆湿法处理技术3（采访2）

semiconC hina期间，单晶圆湿式处理解决方案的领导厂商SEZ也向半导体行业带来了新的产品，SEZ亚太区技术与行销副总裁陈溪新先生介绍，SEZ公司新推出的平台——Esanti TM是一套灵活的、具备多反应仓的单晶圆处理平台，专为满足未来技术节点前段工艺过程（FEOL）清洗需求而设计的，能够完成45nm及其更低尺寸器件制造过程中FEOL（前段工艺过程）严苛的清洗和光刻胶剥离。[第一段]     

晶圆级可靠性测试成为器件和工艺开发的关键步骤

随着器件尺寸的持续减小,以及在器件的制造中不断使用新材料,对晶圆级可靠性测试的要求越来越高。在器件研发过程中这些发展也对可靠性测试和建模也提出了新的要求。为了满足这些挑战需要开发更快、更敏感、更具灵活性的可靠性测试工具。     

深硅刻蚀实现3D集成封装

贯穿硅的通孔技术正被用于MEMS制造、功率器件和3D结构中。Sematech在2004年提出,光靠改变互连的工艺和材料还不足以满足下一代IC的性能要求,同时预测所需的推动力可能来自于不同种类器件的混合集成1。目前,各大器件制造商和封装厂都在积极研发晶圆级封装技术,以满足未来器件小型化和更多功能的要求。这类尺寸缩小对数码相机、手机和PDA等产品带来的好处最大。     

半导体晶圆自动清洗设备

主要介绍了半导体晶圆RCA清洗工艺以及半导体晶圆自动清洗设备在生产中的结构设计和应用情况。在工艺模块和伺服机械传送方面体现了湿法化学的独创性和实用性。解决了晶圆清洗技术中晶圆清洗效果的一致性,在半导体IC、材料、器件领域的清洗工艺中得到广泛使用,具有极大的社会经济效益。     

日益增多的工艺需求关注新的晶圆清洗方法

随着器件结构尺寸的缩小,在保持低材料损失的同时去除粒子正变得越来越难以实现。而且围绕材料和器件结构保持器件避免损伤、侵袭或以其他方式修改也日益困难．包括掺杂硅损失,低一南电介质艮值的变化,金属栅极腐蚀,图形倒塌等等。在32nm及以下节点,所有这些,将会更加严峻。因而,需要建立一个下一步如何进行晶圆清洗的转变模式。     

FSI单晶圆清洗技术被半导体制造商用于32nm后段清洗工艺开发

FSI国际有限公司宣布一家重要的半导体制造商在32nm集成电路制造的后段（BEOL）清洗能力开发中选用了FSI单晶圆清洗技术。这家客户经过一系列优中选优的过程,最终认定FSI的技术最符合32nm器件制造所预期各项新要求。FSI已经针对这一开发项目发运评估性ORION单晶圆清洗集群。     

用于3D集成中的晶圆和芯片键合技术(英文)

3D集成技术包括晶圆级、芯片与晶圆、芯片与芯片工艺流程,通过器件的垂直堆叠得到其性能的提升,并不依赖于基板的尺寸和技术。所有的报道均是传输速度提高,功耗降低,性能更好及更小的外形因素等优势使得这种技术的名气大振。选择晶圆或芯片级集成的决定应基于几个关键因素的考虑。对于不同种类CMOS、非CMOS器件间的集成,芯片尺寸不匹配引发了衬底的变化(如300mm对150mm).芯片与晶圆或芯片与芯片的堆叠也许是唯一的选择。另外,当芯片的成品率明显地不同于晶圆与晶圆键合方法时,在堆叠的晶圆中难以使确认好芯片的量达到最大。在这种情况下,应将一枚或两枚晶圆划切成小芯片并仅将合格的芯片垂直地集成。只要适当地采用晶圆与晶圆键合工艺便可实现高成品率器件同类集成。晶圆间键合具有最高的生产效率,工艺流程简便及最小的成本。满足选择晶圆级或芯片级工艺总的工艺解决方案应结合对准和键合细节来考虑决定最终的设备选择和工艺特性。所有这些工艺的论证证实对于多数产品的制造3D集成是可行的,而且有些也已成为生产的主流。     

缩短批次式清洗周期的策略

在总的构成先进的90nm器件工艺步骤中,晶圆清洗工艺占了近15%.性能和处理量优势是在清洗中继续采用批次式处理方式的主要原因.但是,对周期时间的关注推动了单晶圆清洗工艺的开发.在本工作中,介绍了批次式处理周期时间的改善,提供了一种保持性能和处理量,同时又能实现清洗工艺生产力增长的可选方法.     

FSI国际在上海宣布推出ORION单昌圆清洗系统

2008年11月4日,半导体制造晶圆工艺、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司再次于上海举办的“FSI知识服务系列研讨会”上宣布推出全新的ORION。单晶圆清洗系统。该系统特有的闭室设计可实现对晶圆环境的完全控制和维护,满足32nm和22nm技术的关键步骤上多项清洗需要。     

微波晶体管—理论和设计(二)

三、晶体管设计和制造这一节将简单地叙述晶体管设计制造过程中的最重要的步骤。为了减小篇幅,对于不是微波晶体管所特殊要求的工艺仅作简单的叙述,象清洗步骤等其他详细工艺将完全不叙述。图13是制作微波晶体管的主要步骤的流程图。(一)结构的选择在制作技术的限度内,设计者在制造器件时必须尽可能完善地考虑满足精确设计的要求。超出设计时,将导致器件不经济和在应用频率下不稳定。因此,除了需要满足器件性能要求     

深硅刻蚀实现3D集成封装——贯穿硅的通孔技术正被用于MEMS制造、功率器件和3D结构中。

Sematech在2004年提出，光靠改变互连的工艺和材料还不足以满足下一代IC的性能要求，同时预测所需的推动力可能来自于不同种类器件的混合集成。目前，各大器件制造商和封装厂都在积极研发晶圆级封装技术，以满足未来器件小型化和更多功能的要求。     

适合于改善金属接触孔清洗的单晶圆工艺

在半导体制造流程中,晶圆清洗正在成为一种更加关键的工序模块。因为集成度的提高,需制定适合于清洗机及更高器件结构均匀性的要求。清洗的有效性最终会影响器件的性能和成品率[1-4]。无论在生产线前端或后端清洗工艺中,正在受到越来越仔细检查。在金属化工艺之前,一个有意义的方面是刻蚀和灰化后期金属接触孔侧壁和底部残留物的清除。因其会导致器件失效,一种不完全接触孔清洗技术成为一种主要的业务。     

硅片纳米微粒清洗洁净新技术

随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽正在不断减小,对硅片表面质量处理的要求也就越来越高.传统的湿法清洗已经不能满足要求,故必须研发新的微粒清洗方法.简述了硅片表面污染物杂质的类型、传统的微粒湿法清洗法和干法清洗法,然后在此基础上分析了几种硅片制备工艺中纳米微粒的去除新技术,包括低温冷凝喷雾清洗工艺,N2O电子回旋加速共振等离子系统清洗技术,以及超细晶圆质量无危险的清洗方法等.     

FSI国际在上海宣布推出ORION单晶圆清洗系统

全球领先的半导体制造晶圆工艺、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司,近日在其再次于上海举办的“FSI知识服务系列研讨会”上,宣布推出全新的ORION。单晶圆清洗系统。该系统特有的闭室设计可实现对晶圆环境的完全控制和维护,满足32nm;     

全自动单晶圆铝腐蚀清洗机工艺原理与工作过程介绍

介绍了几种常用的晶圆金属铝膜腐蚀工艺,并详细讲解了全自动单晶圆铝腐蚀清洗机采用第四种工艺配方进行金属铝膜腐蚀清洗的工艺过程。同时,简单介绍了为提高腐蚀清洗效果而设计的两套子系统的工作原理。     

FSI推出适用于32nm的ORION单晶圆清洗系统

FSI国际公司前不久在上海举办的“FSI知识服务系列研讨会”上,宣布推出全新的ORION单晶圆清洗系统。该系统特有的闭室设计可实现对晶圆环境的完全控制和维护,满足32nm和22nm技术的关键步骤上多项清洗需要。其中包括减少在超浅层注入后的光刻胶去除的材料损失,避免在高介电系数金属栅和与包含包覆层金属连接的铜的电偶腐蚀和材料损失。     

晶片级无铅CSP器件的底部填充材料

晶片级器件底部填充作为一种新工艺仍需进一步提高及优化，其工艺为：在晶片级器件制作过程中，晶圆底部加填充材料，这种填充材料在芯片成型时一步到位，免掉了外封装工艺，这种封装体积小，工艺简单，可谓经济实惠。然而，该新型封装器件面临一个严峻的考验，即：用于无铅焊接工艺。这就意味着：即要保证器件底部填充材料与无铅焊料的兼容，又要满足无铅高温焊接要求，保证焊接点的可靠性及生产产量。 近期为无铅CSP底部填充研发了几种新型材料，这些填充材料滴涂到晶圆上，呈透明胶状（半液态）物质，经烘烤，呈透明状固态物质，这样分割晶圆时可保证晶片外形的完整性，不会出现晶片分层或脆裂。在这篇章中，我们探讨一下烘烤对晶圆翘曲度的影响？烘烤是否引发底部填充材料的脆裂？以及回流过程中底部填充物的流动引起的焊料拖尾问题？因为底部填充材料即要保证焊料不拖尾，又要保证焊点的可靠性，及可观察到的焊料爬升角度，同时，底部填充材料的设计必须保证烘烤阶段材料的流动，固化情况处于可控工艺窗口之内。另外，底部填充材料与焊接材料的匹配标准在本中也有讨论。[编按]