SF-1401型紫外宽光谱SIT摄象管

引言摄象管的重要发展方向之一是使其光谱响应范围向红外和紫外扩展,为人们能在更宽的光谱范围内观察和研究各种现象提供重要条件。适用于微弱紫外光和低照度电视摄象系统的宽光谱SF-1401型摄象管已经研制成功,并已通过部级定型鉴定。该管属于硅增强靶(SI-T)摄象管,输入窗面板采用JGS_1远紫外光学石英,其紫外透过率很高,在石英面板的内表面,制作了多碱S-20型光电阴极,在此条件下,光谱响应范围可达1800-7500埃,在波长3300埃处其幅射灵敏度达到30毫安/瓦以上,这就使该管具有优良的紫外性能,以及宽光谱     

硒砷碲摄象管靶面中碲含量及分布对其光电特性的影响

引言硒砷碲摄象管(Saticon)是一种具有分辨率高,暗电流小,惰性小等优良特性的光导摄象管,它的各项技术指标都已达到氧化铝管的水平,已广泛用于彩色广播电视摄象系统。硒砷碲摄象管靶面是由无定型硒(Se)做主体材料而掺以一定比例的砷(As)、碲(Te)、而组成的。掺 As 的目的是增加无定型 Se 材料的热稳定性。由实验研究已证明,在无定型 Se 中均匀掺以7—15%原子比的 As 可得到即热稳定性好,又保持无定型 Se 良好光电特性的靶面、掺 Te 的目的是改善靶面的光谱响应。实验已表明纯 Se 或掺 As10—15%的 Se     

象增强硅靶摄象管移象区设计

正 (一)引言 随着微光和夜视技术的飞速发展,本世纪七十年代出现了高灵敏度的象增强硅靶摄象管(SIT),并立刻引起科研、军事和商业方面的注意。首先研制出的是1英寸(即光电阴极有效直径为25mm)管。在日本命名硅靶电子倍增摄象管(SEM)。在美国,则称为电子轰击硅管(EBS)或象增强硅视象管(ISV)。该管的高灵敏度与其移象区设计的优劣     

一种S—25改进型光电阴极面在增强型硅靶摄象管里的形成

增强型硅靶摄象管是一种目前制作难度较大、良品率又低的微光摄象器件。其主要原因是制作管内的光电面时,锑、碱金属容易污染管子,使得管子的信噪比降低,性能变差。现在制备多碱光电阴极的方法甚多,采用什么方法来制备增强型硅靶摄象管里的光电面,使之既有较高的灵敏度和好的光谱响应,又不使器件污染严重,这是许多同行所关心的问题。我们经过大量的实验和整管制作实践,从影响管子质量的诸因素中,着重考虑了增强型硅靶摄象管的信噪比这个因素。采用了一种锑、碱反复多次间断交替法来制备多碱光电阴极。此法对管子的污染小,并可以稳定地获得150～300微安/流明的积分灵敏度和好的光谱响应,且重复性好。我们称这种光电阴极为 S——25改进型光电阴极。本文试图阐述这种光电阴极在增强型硅靶摄象管里形成的基本原理和工艺过程。     

电视摄象器件发展概述

本文介绍卅年代以来电视摄象器件的发展。从初期的光电摄象管到性能较完善的超正析象管,标志着电子束摄象管已达到了成熟的阶段。硅靶摄象管的出现,首次将半导体集成电路技术引进了电视摄象领域,开拓了发展全固体摄象机的新时代。相继出现的电荷耦合器件及电荷注入器件,其性能日趋完善,不断为各种用途的摄象机所采用。文中简述了各种电视摄象管和固体摄象器件的结构、原理、性能等。有关它们的详细叙述可查阅参考资料及各种文献。     

国内应用电视摄象管性能介绍

本文介绍国内应用电视摄象管进展及部分产品的性能。主要有硫化锑视象管、硅靶视象管、热释电视象管、碲化锌镉视象管、硅增强靶摄象管和次级电子导电摄象管。     

SF-1407型硅增强靶(SIT)摄象管的设计与研制

本文叙述 SF-1407型硅增强靶(SIT)摄象管的设计及研制,包括整管方案考虑、移象段电子光学系统的方案分析与设计计算、电子枪及硅二极管列阵靶的设计、结构设计及工艺特点等有关问题。     

用于摄象器件的a-Si∶H膜

1.引言人们在进行高性能摄象器件的研究中,将氢化无定形硅(α—Si:H)膜用作摄象管的靶正在引人注目。其原因是α—Si:H靶具有灵敏度高、分光灵敏度复盖了整个可见光区域、分辨率高、烧伤现象非常小等特点。而且,和固体摄象器件相比较,虽然在薄形、     

机载电视摄象系统中最佳光谱工作的选择

机载电视摄象系统光谱工作波段选择的优劣,直接影响其搜索、识别和跟踪目标的性能.本文利用传递函数对机载电视摄象系统进行了分析,找出了与光谱工作波段有关的因素,对地物的光谱特性、大气的传递函数和硅靶摄象管的传递函数进行了分析.最后得出了一般的结论:机载电视摄象系统的最佳工作波段一般应选择在0.7μm～0.95μm的近红外光谱区.     

战胜黑暗的微光夜视技术

微光夜视仪是人眼的一种助视器,它的核心部分是微光成象器件。本文重点介绍了微光成象器件的分类,一代、二代、三代象增强管的组成,性能比较和当前的性能水平。还介绍了微光摄象管的组成,各种实用型微光摄象管的性能比较和目前的水平。最后回顾了我国夜视技术发展的历史,以此纪念《红外技术》杂志创刊十周年。     

硒砷碲摄象管技术梗概

日本广播技术协会研究所和日立公司一起研制成的saticon[注1]图象摄象管是一种分辨率高、灵敏度高、晕光小和惰性低的高性能电视摄象管,它的这些优异特性是由硒、砷、碲非晶态半导体二极管所决定的。本文着重阐述最近发展的saticon—Ill摄象管靶面和有中间电极的新型二极管电子枪的工作原理。近年来,人们试图用固体成象器件最终代替真空成象器件的设想和实施,虽然也有许多新型固态图象摄象器件涌现,某些固态传感器,如800×800 CCD的性能已十分接近真空管型的成象质量,但是,其周边电路复杂,相应价格昂贵,目前尚未能普及推广。对于图象质量要求十分高的场合中,尤其在广播电视演播室工作,真空管型的摄象器件还将继续充当重要的角色。长期来,人们熟悉于三硫化二铮、硒化镉、氧化铅等光导靶材料的摄象管应用,自从硒砷碲电视摄象管闻世以后,它已成为电视摄象重要器件的强劲竞争者,博得了人们的极大关注。近来,为了增加摄象机的多功能,实现VTR/CAME-RA和电源的一体化,使ENG摄象机与多功能的16m/m电影摄象机媲美,NHK曾用2/3英寸saticon管和1/2英寸磁带录相机配合,图象质量已超过3/4英寸的常规,不仅如此,随着电视广播技术的发展,硒砷碲摄象管除了用于演播的商业摄象机外,逐渐延伸到销售数量十分大的家用录相机领域,使它更具有深远的意义。为了充分理解该器件的优良性能和正确应用,下面就其靶面工作原理和有中间电极的新型二极管电子枪结构作一概述。     

FPS—硅靶视象管及其应用

本文介绍正在研制的1英寸硅靶视象管。该管采用了三种新的技术措施:光纤面板作为输入窗;FPS 系统作为扫描系统;适当降低了原有三极枪的惰性并在结构上采用了新的抗震技术。从而使该管具有一系列新的良好性能,具有开创新领域应用的较好条件。最后,还简要地介绍采用 FPS 系统的视象管目前发展的动向,从而预示着全静电视象管实用性问题的真正解决,将使真空摄象器件更能与 CCD 等固体摄象器件进行有力的竞争。     

以CdTe1.xSex为主体的摄象管靶面的初步研究

以CdTe_(1-x)Se_x为主体的摄象管靶面,具有光谱响应范围宽、灵敏度高、分辨率优于硅靶、惰性和暗电流比硫化锑靶小的特点。本文介绍我们对该靶的实验研究、理化分析及试制管的初步测试结果。     

国外摄象器件的发展动向

近几年来,摄象管在提高象质方面,特别是在低功耗、小型化、价廉等方面取得了显著的进展。为了适应特殊用途的新型摄象器件仍在不断涌现。固体摄象器件已开始进入实用阶段。本文介绍了摄象器件的研制、改进、生产相应用动向,并对当前使用的主要摄象器件——摄象管的发展前途作了展望。     

低晕光SIT摄象管性能的探讨

本文根据金属导电岛低晕光硅靶的结构特点,研究了该靶具有的优点和用该靶制作的低晕光SIT摄象管的性能;根据已研制出的低晕光SIT摄象管的测试结果,认为该SIT摄象管与电阻海硅靶SIT摄象管相比,具有较好的晕光性能、更好的分辨率和底色、更大的信号电流等性能。在目前的工艺条件下,这是一个值得发展和完善的管种。     

一种新型高速硅摄象管的设计分析与实验

本文以等效电路描绘了硅摄象管的工作机理,从而建立了硅摄象管图象信息传递过程的数学表达式。对硅摄象管的各个结构参数展开了定性的讨论,并在文献[1]、[2]的基础上,对整个器件进行了综合的考虑,提出了新的结构形式。这种形式,可使原摄象管的响应速度加快,信息贮存能力增大。通过理论计算,每秒钟可以传递250帧以上的图象。     

南京钟山电子技术研究所十一项科研成果鉴定定型

南京钟山电子技术研究所于1981年底召开了第三次科研成果鉴定会。会上有高帧频图象存储系统等十一项科研成果通过了鉴定定型(其中部级鉴定1项),这十一项科研成果均达到了国内领先水平,其中一部分项目达到或接近国外同类产品近期水平,受到     

医用摄象器件

1.医用摄象器件的发展二维摄象器件被用于医用装置的历史还很浅,近二十年来,由于光导式摄象管的相续研制与改进,加之 X 射线管及 X 射线象增强器(X 射线 I.I.)性能的提高,二维摄象器件在医疗领域中得到相当广泛的应用。我们以 X 射线电视摄象管在 X 射线诊断装置中的应用来看医用摄象器件的发展。五十年代初,光电式超正析象管(I.O.)被     

用氢掺杂无定形硅作材料的高灵敏度、高分辨率摄象管的研制

我们研制了一种用氢掺杂无定形硅作光导电材料的摄象管.供彩色摄象机用,具有必要的分光灵敏度特性,绝对灵敏度高.靶压取30V时,信号电流为0.9μA/10Lx(3200°K).靶压在30～50V范围内,暗电流低于1nA.分辨率也很高.不过用于广播上惰性较大.存储型摄象器件,一定要取高阻抗光导电材料.无定形半导体材料的阻抗高,因此从本质上讲是属于存储摄象范畴的.     

非晶硅摄象管

辉光放电等离子体沉积a-Si∶H膜已被用作光导型摄象管的光电导靶,并对其工作特性作了研究。结果表明:和一般的Sb_2S_3管比较,该管具有优良的特性。由于是“单室”靶结构,这种光电导管的制作程序相当简单。在大气中200℃以下a-Si∶H膜是稳定的,因而材料本身就决定了它适于作低成本、高性能器件。该管特别适用于x射线成象。为增加效率,非晶硅层可制备在硅窗口上,或用标准方式和输入侧荧光屏耦合。此材料也可用来制作EBIC(电子轰击感应电导)型管子,此时用a-Si∶H替换二极管阵列。使硅网络中结合C和Ge来控制其掺杂特性,可变更带隙,从而分别扩展了蓝光和红光响应。同样,此材料可掺P或B来获得p-i-n结构靶,制成功和氧化铅管相似的的摄象管。