电子元器件封装技术发展趋势

晶圆级封装、多芯片封装、系统封装和三维叠层封装是近几年来迅速发展的新型封装方式,在推动更高性能、更低功耗、更低成本和更小形状因子的产品上,先进封装技术发挥着至关重要的作用。晶圆级芯片尺寸封装(WCSP)应用范围在不断扩展,无源器件、分立器件、RF和存储器的比例不断提高。随着芯片尺寸和引脚数目的增加,板级可靠性成为一大挑战。系统封装(SIP)已经开始集成MEMS器件、逻辑电路和特定应用电路。使用TSV的三维封装技术可以为MEMS器件与其他芯片的叠层提供解决方案。     

高可靠先进微系统封装技术综述

在人工智能、航空航天、国防武器装备电子系统小型化、模块化、智能化需求驱动下,系统级封装设计及关键工艺技术取得了革命性突破。新型的系统封装方法可把不同功能器件集成在一起,并实现了相互间高速通讯功能。封装工艺与晶圆制造工艺的全面融合,使封装可靠性、封装效率得到极大的提升,封装寄生效应得到有效抑制。文章概述了微系统封装结构及类型,阐述了高可靠晶圆级芯片封装(WLP)、倒装焊封装(BGA)、系统级封装(SIP)、三维叠层封装、TSV通孔结构的实现原理、关键工艺技术及发展趋势。     

适用于大批量晶圆和基底凸起工艺的焊球置放及印刷和回流焊技术

1前言 市场对于芯片级封装(CSP)的需求正在迅速增长,CSP封装是指封装器件的尺寸最多比芯片本身的尺寸大20%.晶圆级CSP是最普遍的芯片级封装形式之一,其焊料凸起或焊球直接沉积在硅晶的电阻接点上.     

新闻

Nemotek技术公司向SUSS订购多项光刻设备.用于图像传感器晶圆级封装 2009年4月22日,德国便携式晶圆片级照相机零部件生产商Nemotek技术公司购买了SLISS的多项光刻设备.sLISS是三维集成、先进封装、MEMS、纳米技术等创新方案的设备供应商.此次订购包括200 mm生产性光刻机、涂胶台、烘烤、显影设备.这些设备将用于图像传感器晶圆片级封装(WLP)和晶圆片级光学系统(WLO),现已成功安装于Nemotek在摩纳哥拉巴特科技园的工厂.     

日月光与华亚科技携手合作拓展系统级封装技术(SiP)

正半导体封装测试厂日月光半导体近日宣布与DRAM晶圆代工厂商华亚科技携手合作拓展系统级封装(SiP,System in Package)的技术制造能力。华亚科技将提供日月光2.5D晶片技术应用的硅中介层(silicon interposer)的硅晶圆生产制造服务,以扩展日月光现有封装产品线,此合作模式将结合华亚科技在前段晶圆的代工制造优势     

Camtek公司推出Falcon 600自动光学检测系统

Falcon 600是Camtek公司面向半导体生产和封装行业的自动光学检测（AOI）系统系列的最新产品。该产品专用于如光学电子产品、MEMS、晶圆级封装检测及玻璃基底等需要特殊工艺和性能检测等多种应用。采用Falcon600,可对带框或伸缩环上品圆及超薄晶圆和厚度WLP（晶圆级封装）已焊接晶圆进行自动处理和检测。     

在TSV应用中控制电镀槽

来自消费类电子市场的需求使得半导体制造商向减小封装尺寸、成本和重量，并增强功能和性能的方向努力。通过探素替代性的封装方法逐一解决了这些挑战。现在最为常见的一种方法是采用3．D封装。铜电化学沉积（ECD）工艺已经广泛用于低成本晶圆级封装（WLP）的制造中，例如凸点工艺（点状和柱状）、再分布层（RDL）以及新兴的穿透硅通孔（TSV）和嵌入式无源元件（电感）应用。     

东京电子（TEL）宣布收购NEXX Systems公司

东京电子有限公司（TEL）已达成一项最终协议，收购NEXXSystems公司。 TEL的总裁兼CEOHiroshiTakenaka表示：“领先的半导体制造商提供优越性能，需要在晶圆级封装技术重大创新。NEXX电化学沉积在市场中区分技术这一突出优点。     

WLCSP封装技术中的集成无源器件

芯片规模封装技术一直倍受高性能、小形状因素解决方案在各类应用中的关注。芯片规模封装与球栅阵列(BGA)封装之间的区别变得不可分辨,已成为“细间距BGA”的同义词。芯片规模封装成本也是业界关注的焦点之一。芯片规模晶圆级封装是提供小形状、高性能和低成本的最快途径。论述了集成无源器件加工、低成本化的晶圆级芯片规模封装技术。     

声表面波器件小型化技术发展概述

以EPCOS生产的声表面波(SAW)芯片级封装和晶圆级封装为例,介绍了声表面波器件小型化发展的趋势.着重介绍了声表器件芯片级封装技术发展的各个阶段器件的结构特点.详述采用倒装、贴膜和晶圆键合技术将声表面波器件的尺寸减至最小及后续声表面波器件组件化封装的趋势.     

晶圆片级封装技术（WLP）概述

本文简要叙述了晶圆片级封装技术及其优越性，并概述了国内外对晶圆片级封装技术的研究状况和应用前景。     

金锡键合在薄膜体声波滤波器晶圆级封装中的研究

薄膜体声波滤波器(FBAR)作为一种无源、体积小和耐功率高的器件,被广泛应用于射频信号处理中。晶圆级气密封装作为小型化封装的代表,在各种高可靠性应用场景中占据重要地位。金-金键合和金-锡键合被广泛应用于薄膜体声波滤波器的气密性晶圆级封装中,但金-锡键合在工艺上更易实现。该文针对金-锡键合在气密性晶圆级封装中的应用进行了研究,在保证键合强度的情况下制作了3 GHz滤波器样品,其性能测试一致性良好,可靠性达到要求。     

系统级封装技术方兴未艾

本文论述系统级封装SiP与系统级芯片SoC的比较优势，重点介绍叠片式封装和晶圆级封装技术如何有效提高封装密度并解决了传统封装面临的带宽、互连延迟、功耗和总线性能等方面的难题。     

基于晶圆键合的MEMS圆片级封装研究综述

为提升微机电系统（MEMS）器件的性能及可靠性,MEMS圆片级封装技术已成为突破MEMS器件实用化瓶颈的关键,其中基于晶圆键合的MEMS圆片级封装由于封装温度低、封装结构及工艺自由度高、封装可靠性强而备受产学界关注。总结了MEMS圆片级封装的主要功能及分类,阐明了基于晶圆键合的MEMS圆片级封装技术的优势。依次对平面互连型和垂直互连型2类基于晶圆键合的MEMS圆片级封装的技术背景、封装策略、技术利弊、特点及局限性展开了综述。通过总结MEMS圆片级封装的现状,展望其未来的发展趋势。     

江苏省集成电路封装业 技术水平与国际主流同步

<正>"十一五"期间,江苏省集成电路封装技术创新能力显著提高,承担国家科技重大专项"极大规模集成电路制造装备及成套工艺"(02专项)等重大科技项目60多项,全面掌握了晶圆级芯片尺寸封装技术(WL-CSP)、硅通孔技术(TSV)、系统级封装技术(SiP)等当今世界三大主流封装技术,技术水平与国际主流同步发展。     

2004年IC封装业的技术发展趋向

总部设在新加坡的品圆封装代工公司IPAC表示，在2004年要加强集成电路的晶圆级封装(WLP)的业务，引进先进技术和提供包括晶圆凸点、整合、测试等服务。IPAC将使用先进互连解决方案(AIS)公司拥有的专利技术TCSP制程。TCSP是纯芯片级封装制程的简称，它的封装尺寸等于芯片级尺寸，而且大部分封装制程在晶圆加工阶段完成，使每块芯片的封装成本显著降低。     

晶圆级封装中的SnPb焊料凸点制作工艺

以晶圆级封装工艺技术(WLP)研究为基础,阐述了电化学淀积SnPb焊料凸点的工艺控制过程。采用电化学淀积方法,制备出150μm高(均匀性为±10μm)的SnPb焊料凸点。经扫描电镜分析,SnPb焊料凸点的成份含量(63/37)控制在5%范围之内。     

晶圆级传输线脉冲测试方法

随着晶圆测试技术的发展,晶圆级传输线脉冲(TLP)测试逐渐由封装级向晶圆级转移,晶圆级TLP测试的出现不仅降低了设计成本,同时大大缩短了ESD保护结构的评价周期。针对晶圆级TLP测试方法尚无标准可依的现实情况,结合理论推导过程,从线路搭建、设备校准、结果确认等关键点探索可行而有效的晶圆级TLP测试方法。     

基于硅基扇出(eSiFO?)技术的先进指纹传感器晶圆级封装工艺开发

传统的晶圆级芯片封装(WLCSP)是一种标准的扇入式封装结构。随着I/O数的增加,无法为重布线层(RDL)提供足够的区域。近年来,在芯片周围形成扇出区域的嵌入式封装技术发展起来,其具有I/O数目高、成本低、集成灵活、体积小等优点。晶圆扇出型封装(FOWLP)通常采用环氧塑封复合料(EMC),其面临翘曲、各层热膨胀系数(CTE)不匹配、成本高昂等难题。报道了一种全新的晶圆级嵌入式硅基扇出技术,名为eSiFO^?,其用于实现电容式指纹传感器封装。在这个创新的集成器件中,一个5.6 mm×1.0 mm的ASIC芯片被减薄到90μm,然后嵌入到硅基槽中重建一个新的晶圆。在整个工艺过程中,金属的覆盖面积达80%以上,但晶圆的翘曲小于2 mm。整个晶圆级封装工艺使用了10个掩模版,其产品良率达到98%。该产品通过了包括预处理测试、温度循环(TCT)测试、高加速温湿度应力试验(u-HAST)和高温贮存试验(HTST)在内的标准可靠性测试。     

扇出型晶圆级封装中圆片翘曲研究

在扇出型晶圆级封装工艺中,由于芯片材料与塑封料之间的热膨胀系数差异,晶圆塑封过程中必然会形成一定的翘曲.如何准确预测晶圆的翘曲并对翘曲进行控制是扇出型晶圆级封装技术面临的挑战之一.在讨论圆片翘曲问题时引入双层圆形板弯曲理论与复合材料等效方法,提出一套扇出型晶圆级封装圆片翘曲理论模型,并通过有限元仿真与试验测试验证了该翘...