硅外延发展趋势

本文综述了硅外延的三大发展趋势，指出降低外延温度是外延发展的迫切要求；同时比较了分子束外延（ＭＢＥ）、光能增强化学汽相淀积（光ＣＶＤ）、等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）、超高真空化学汽相淀积（ＵＨＶＣＶＤ）的优缺点，指出ＵＨＶＣＶＤ和ＰＥＣＶＤ二者合二为一是最具应用前景的方法。其次，论述了异质外延和ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格材料的应用前景。最后，论述了外延生长的原位监测和外延膜的测试技术。     

硅外延发展趋势

本文综述了硅外延的三大发展趋势，指出降低外延温度是外延发展的迫切要求，同时比较了分子速外延（ＭＢＥ）、光能增强化学汽相淀积（光ＣＶＤ）、等离子体增强化学上淀积（ＰＥＣＶＤ）、超高真空化学汽相淀积（ＵＨＶＣＶＤ）的优缺点，指出ＵＨＶＣＶＤ和ＰＥＣＶＤ二者合二为一是最具应用前景的方法。其次，论述了异质外延和ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格材料的应用前景。最后，论述了外延生长的原位监测和外延膜的测试技术。     

GexSi1-x材料生长的改善

利用超高真空化学相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统在６５０℃生长出表面光亮的ＧｅＳｉ单晶。在１２００Ｌ／ｍｉｎ分子泵与前级机械泵间串接４５０Ｌ／ｍｉｎ分子泵,改善了生长环境。串接分子泵后生长的样品的Ｘ射线双晶衍射分析表明,外延层衍射峰半宽仅为１９８ａｒｃｓｅｃ,且出现了Ｐｅｎｄｅｌｌｏｓｕｎｇ干涉条纹,说明外延层结晶质量很好。     

用扫描俄歇微探针研究Au—Ag／Si体系异质界面电迁移

应用自建的超高真空原位装置及扫描俄歇微探针技术。研究了Ａｕ－Ａｇ／Ｓｉ体系的表面电迁移现象。观测到清洁Ｓｉ表面上的Ａｕ／Ａｇ／Ｓｉ和Ａｇ／Ａｕ／Ｓｉ复层薄膜在直流电场作用下呈现明显的两相分离，Ａｕ，Ａｇ分别向着外加电场拨乱反正 和负极方向快速迁扩展，总的迁移速率对Ａｕ／Ａｇ／Ｓｉ约为０．６３μｍ／ｓ而对Ａｇ／Ａｕ／Ｓｉ为０．３７μｍｓ。实验结果表明，复合膜的结构，即其形成次序虽不影响Ａｕ，Ａｇ各自     

两步退火形成钛硅化物和氮化物研究

模拟自对硅化物技术的两退火工艺，对超高真空（ＵＨＶ）下制备的Ｔｉ／Ｓｉ样品依次进行低温退火、腐蚀和高温退火。利用俄歇微探针（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射的（ＸＲＤ）分析样品的组分及晶相、发现高温退火后，薄膜内同时生成了Ｔｉ的硅化物及氮化物，这对发展ＭＯＳ器件工艺中自对硅、氮化物技术很有意义。另外，还利用扫描电（ＳＥＭ）观察了薄膜形貌，用Ｖａｎ ｄｅ Ｐａｕｗ法测量薄膜电阻。     

连续碳化硅纤维增强Ti—15—3合金基复合材料界面的初步研究

本文对连续ＳｉＣ纤维增强Ｔｉ－１５－３合金基复合材料的界面进行了初步的研究，试验结果表明，真空热压或热等静压复合固结ＳｉＣ／Ｔｉ－１５－３试样中界面反应区尺寸约为４μｍ左右，界面部位含有较多的Ｔｉ，Ｓｉ和较少的Ｖ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ａｌ．     

超高真空（UHV）PECVD系统沉积a—Si1—xCx：Hk薄膜及其特性

本文研究了应用新型的超高真空等离子增强化学了相沉积（ＶＨＶ－ＰＥＣＶＤ）复合腔系统 只ａ－Ｓｉ１－ｘＣｘ：Ｈｋ薄膜及其特性。系统的真空度可达１０＾－７Ｐａ（１０＾－９Ｔｏｒｒ）以上。通过控制Ｈ２对常规用混合气体（ＳｉＨ４＋ＣＨ４）的稀释程度以及相应的ＣＨ４比例,优化沉积工艺参数,制备出能带宽度范围变化较大的高质量非晶氢化硅碳（ａ－Ｓｉ１－ｘＣｓ：Ｈｋ）薄膜,通过ＲＢＳ、ＥＲＤＡ、ＩＴ和Ｒａｍａｍ光     

连续碳化硅纤维增强Ti－15－3合金基复合材料界面的初步研究

本文对连续ＳｉＣ纤维增强Ｔｉ－１５－３合金基复合材料的界面进行了初步的研究。试验结果表明，真空热压或热等静压复合固结ＳｉＣ／Ｔｉ－１５－３试样中界面反应区尺寸约为４μｍ左右，界面部位含有较多的Ｔｉ、Ｓｉ和较少的Ｖ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ａｌ。     

超高真空CVD生长的Si1—xGex合金组分变化与表面偏析现象

系统分析了利用超高真空ＣＶＤ技术在Ｓｉ衬底上外延Ｓｉ－ｘＧｅｘ合金的体内组分分布情况和Ｇｅ的表面偏析现象。用ＳＩＭＳ对Ｓｉ和Ｇｅ的组分作了深度剖析。在生长过程中,组分均匀,在表面Ｇｅ浓度减小,Ｓｉ浓度没有明显变化。在不经ＨＦ酸清洗和在ＨＦ酸中去掉表面自然氧化层的两种情况下,用ＸＰＳ分别对外延层表面进行了定量分析,得到Ｇｅ的表面偏析与表面自然氧化相关的结论。     

溶胶-凝胶法有机-无机精细复合材料P(VDF/TeFE)-SiO_2的制备与显微结构

用溶胶－凝胶法制备了有机－无机精细复合材料Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＦＥ）－ＳｉＯ２。利用水解－聚合反应由正硅酸乙脂（ＴＥＯＳ）合成ＳｉＯ２溶胶，乙醇作溶剂，盐酸作催化剂。将Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＦＥ）溶于丙酮，并与ＳｉＯ２溶胶均匀混合。凝胶后经干燥和热处理得到有机－无机精细复合材料Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＦＥ）－ＳｉＯ２。用红外光谱分析、扫描电镜分析、差示扫描热分析和热失重分析对有机－无机精细复合材料Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＦＥ）－ＳｉＯ２进行了显微结构表征。     

SiC纤维增强Ti基复合材料的组织

采用真空热压扩散结合工艺制备出ＳｉＣｆ／Ｔｉ－１５－３复合板材，研究制备工艺，ＳｉＣｆ，基体合金特性，复合材料的显微组织及界面特征，结果表明，合适条件下国产射频加热ＣＶＤ法制备的ＳｉＣｆ与Ｔｉ－１５－３基体具有较好的相容性，界面结合良好，在拉伸条件下ＳｉＣｆ有从基体拔出的倾向，纤维具有脆性解理断口特 ，Ｔｉ－１５－３基体具有塑性断口特征。     

溶胶—凝胶法有机—无机精细复合材料P（VDF／TeFE）—SiO2的制备与显微 …

用溶胶－凝胶法制备了有机－无机精细复合材料Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＦＥ）－ＳｉＯ２。利用水解－聚合反应由正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）合成ＳｉＯ２溶胶，乙醇作溶剂，盐酸作催化剂。将Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＦＥ）溶于丙酮，并与ＳｉＯ２溶胶均匀混合。凝胶后经干燥和热处理得到有机－无机精细复合材料Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＦＥ）－ＳｉＯ２。用红外光谱分析、扫描电镜分析、差示扫描热分析和热失重分析对有机－无机精细复事材料Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＦ     

聚碳硅烷／二乙烯基苯的高温裂解

采用ＴＧ－ＤＴＡ、ＩＲ、ＸＲＤ、ＸＰＳ、ＳＥＭ等手段研究了聚碳硅烷（ＰＣＳ）／二乙烯基苯（ＤＶＢ）的高温裂解行为及其裂解产物的结构与性能。结果表明，ＰＣＳ／ＤＶＢ的裂解过程可分成５个阶段，其裂解产物主要由ＳｉＣ、ＳｉＯ２和Ｓｉ－Ｏ－Ｃ非晶网络及游离Ｃ组成，其中游离Ｃ的含量随ＤＶＢ的增加而增加，且对β－ＳｉＣ的结晶有一定的抑制作用，裂解产物的形貌为不发泡的致密结构。     

改善UHV／CVD外延生长环境提高GeSi／Si材料性能有效方法

本阐述了应用国产ＵＨＶ／ＣＶＤ设备处延生长的ＧｅＳｉ／Ｓｉ材料碳、氧含同的原因,定量地分析了有害残余气体的成分,提出了改善处延生长环境提高ＧｅＳｉ／Ｓｉ材料性能的有效方法。     

分布子电子回旋共振等离子体制备高质量二氧化硅薄膜

介绍了一种采用ＤＥＣＲ等离子体在低温下制备高质量ＳｉＯ２薄膜的ＰＥＣＶＤ工艺。讨论了ＤＥＣＲＰＥＣＶＤ工艺中气相Ｏ／Ｓｉ原子比以及沉积速率对ＳｉＯ２薄膜性能的影响。采用包括高能离子分析，椭扁仪，化学刻蚀以及红外吸收谱等物理和化学方法，对所镀ＳｉＯ２薄膜的各种理化特性地分析和研究。     

二硫化钼在超高真空系统中的应用

固体润滑剂ＭｏＳ２在工业上已使用多年，用于高真空系统也很普遍，但是用在核聚变试验装置的超高真空系统内还不多见。 ＨＬ－１托卡马克装置抽气机组有四台φ３００口径的高真空闸阀，其阀芯结构金属零件的磨擦损伤严重，易引起阀门故障，我们在闭门内用了ＭｏＳ２，通过试验获得的结果是：粉状固体ＭｏＳ２可作为超高真空系统内的润滑剂。在ＨＬ－１托卡马克真空系统使用之后，没观测到有害影响。而阀门的可靠性和寿命提高很多。     

Au/(Si/SiO2)/p型Si结构的可见电致发光研究

Ｓｉ／ＳｉＯ２薄膜采用射频磁控溅射技术制备,当正向偏压大于５Ｖ时即可观测到来自不同Ｓｉ层厚度的Ａｕ／（Ｓｉ／ＳｉＯ２）／ｐ－Ｓｉ结构在室温下的可见电致发光,其发光谱峰位均位于６６０ｎｍ处,测得的各种储藏坟下的发光峰位不随正向偏压的升高而移动。突验结果表明光发射主要来自于ＳｉＯ２层中的发光中心上的复合发光。     

（CH3）2SiCl2和N2H4反应产物裂解逸出气体与粉体组成关系的研究

采用（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ２和Ｎ２Ｈ４反应产物为先驱体，在Ｈ２，ＮＨ３气条件下，用ＣＶＤ法制备Ｓｉ／Ｃ／Ｎ的纳米微粉，在制备Ｓｉ／Ｃ／Ｎ纳米微粉的过程中通过高温炉－气相色谱联用技术分析了裂解逸出的气体，用化学法分析了微粉中元素组成变化，讨论了先驱体Ｈ２，ＮＨ３气体条件下的裂解机理及微粉的形成机理。     

可用于a—Si：H太阳电池的钛硅化物的研究

用直流溅射法在ＩＴＯ玻璃衬底上溅射金属Ｔｉ膜后用辉光放电法沉积ａ－Ｓｉ，研究了钛硅化物的形成，利用ＸＰＳ，ＲＢＳ分析，确定了反应生成物为ＴｉＳｉ２，且生成物十分有效地阻挡了ＩＴＯ中的Ｉｎ的扩散；用ＵＳ／ＶＩＳ分光光度计测量了生成物的透射率发现其透过率在紫外部分较ＩＴＯ膜提高；测试了Ｔｉ／ａ－Ｓｉ界面的Ｉ－Ｖ特性，发现界面无势垒；测量了生成物的电阻率，数量级为几十μΩ．ｃｍ数量级。该钛的硅化物膜要用     

低分子聚硅氮烷（LPSZ）／二乙烯基苯（DVB）的交联及其对裂解产物的影响

研究了ＬＰＳＺ／ＤＶＢ的交联反应及其对裂解物的影响。实验表明：其交联反应以加成和缩合反应的两种方式同时进行。加成反应的温度为１５０℃左右，部分加成反应的结果使其交联裂解产物的孔洞尺寸减小，裂解产物的裂解产率提高。裂解产物主要由非晶态Ｓｉ３Ｎ４和β－ＳｉＣ组成，还有少量ＳｉＯ２和游离Ｃ，加入ＤＶＢ后，其游离Ｃ含量增加。