工艺参数对电感耦合等离子体刻蚀ZnS速率及表面粗糙度的影响

为了得到电感耦合等离子体反应刻蚀ZnS的工艺参数,采用CH4∶H2∶Ar(1∶7∶5)作为刻蚀气体,在ZnS刻蚀机理的基础上,分析各工艺因素对ZnS刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实验结果表明:当气体总流量39sccm、偏压功率80W、射频功率300W时,ZnS刻蚀速率为18.5nm/min,表面粗糙度Ra小于6.3nm,刻蚀后表面沉积物相对较少;Ar含量变化对刻蚀速率和表面粗糙度影响较大.给出了刻蚀速率和表面粗糙度随气体总流量、Ar含量、偏压功率和射频功率的变化趋势.     

反应烧结碳化硅过程的数学模型

考虑不同因素的影响，建立了反应烧结碳化硅反应烧结过程的一组数学模型，它们可表述为一个拟线性的抛物型方程组。     

反应烧结碳化硅陶瓷素坯连接的研究

以碳化硅和碳为糊料的主要原料,采用素坯连接的方法焊接反应烧结碳化硅(RBSC)陶瓷.探讨了糊料的碳密度、固相体积含量以及碳化硅颗粒级配对焊缝显微结构和机械性能的影响.研究表明,糊料碳密度为0.845 g/cm3,固相体积含量达57%,焊料粘度略大于1 Pa·s时,连接素坯烧结后的焊缝强度可达375 MPa,焊缝具有和母材相似的显微结构是连接强度得以提高的主要原因.     

感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN/AlGaN

采用Cl₂/Ar作为刻蚀气体,研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al_0.27Ga_0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响．GaN与Al_0.27Ga_0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小,随感应耦合等离子体功率的增大变化不大．在Cl₂/Ar为3:1的刻蚀气体中加入10％的O₂对GaN刻蚀速率影响不大,却使Al_0.27Ga_0.73N刻蚀速率明显下降,从而提高了GaN与Al_0.27Ga_0.73N之间的刻蚀选择比．对比了采用不同自偏压刻蚀的Al_0.27Ga_0.73N材料肖特基的特性,发现反向漏电流随自偏压的增大而增大．     

纤维增韧反应烧结碳化硅基复合材料的研究现状

综述了纤维增强反应烧结碳化硅(Reaction Bonded Silicon Carbide,RBSC)基复合材料,包括连续长纤维与短纤维增韧RBSC的研究进展.分析比较不同种类的纤维增韧RBSC的工艺特点、增韧机理和陶瓷性能,并对纤维增韧RBSC复合材料的发展前景作了展望.     

硅的反应离子刻蚀工艺参数研究

对硅的反应离子刻蚀(R IE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超过一定值时,刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀气体流量较小时,随气体流量的增加而加快,在较大的气体流量下反而降低.通过比较不同条件下的刻蚀结果,得到了刻蚀硅的优化工艺条件.最后用DEKTAK 6M型台阶仪测出了优化工艺条件下的刻蚀深度和粗糙度.测试结果表明在优化工艺条件下刻蚀速率快,粗糙度低.     

小型化高密度可调控电感耦合等离子体发生器性能研究

根据理论分析和磁场仿真结果设计并加工了一款用于黑障通信实验的电感耦合等离子体发生器,该装置能产生具有形状为半球形、厚度小于5 cm、等离子体密度为1×1018 m?3量级等黑障典型等离子体鞘层特征的等离子体薄层。采用等离子体发射光谱诊断的方法,研究了等离子体发生器产生等离子体的电子激发温度和电子数密度,并分析了线圈功率对等离子体特性的影响规律,对等离子体发生器乃至对电小天线辐射调控系统的进一步优化有参考作用。     

电感耦合RF放电等离子体的电流特性

从等离子体波动方程和动力学方程出发，利用解析方法，讨论电感耦合RF放电等离子体的电流特性和衰减机制。发现只有当等离子体波的波速低到与等离子体内能量较高一部分电子轴向运动速度相当时，等离子体和波相互作用才能在衰减机制中居主导地位。     

电感耦合等离子体法测定桂郁金中的微量元素

以桂郁金为原料,经浓硝酸-双氧水(30％)处理后用微波消解样品,以电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES)测定其中的Na、B、Mg、Al、P、Ca、Ti、Zn、Ba、Mn、Fe、K含量,Li、Be、Tl、Mo、Pb、Cd、Sr、V、Cr、Cu、Ni、Co等元素的含量则以电感耦合等离子体质谱法(ICP - MS)测定.方法的准确性用国家一级标准物质GBW - 10015、GBW - 10020对比分析证实.试验结果表明:桂郁金中富含Fe、Mn、Ti等微量元素,其中Fe含量最高为360μg/g,而Be、Cd、Mo、TI、V含量较低,均低于1μg/g.该法快速简便、准确率高、精密度好,完全可以满足样品中元素含量测定要求.     

纯碳坯渗硅制备反应烧结碳化硅的研究

以石油焦粉制备纯碳素坯高温渗硅的方法制备了反应烧结碳化硅陶瓷。研究表明 ,素坯的碳含量 (或孔隙率 )对材料的最终物相组成有决定性的影响 ;合成 Si C时的热效应以及反应过程中的体积效应 ,是影响石油焦坯体烧结的根本原因 ;烧结时间短使晶粒细化 ,是材料强度提高的主要原因。 90 %理论碳含量的素坯渗硅后 ,所得材料的密度为 3.0 8～ 3.12 g/ cm3,强度为 (5 5 0± 30 ) MPa     

感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN／A1GaN

采用Cl2/Ar作为刻蚀气体．研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27，Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响．GaN与Al0.27Ga0.72N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小．随感应耦合等离子体功率的增大变化不大．在Cl2／Ar为3：l的刻蚀气体中加入10％的O2对GaN刻蚀速率影响不大．却使Al0.27Ga0.73N刻蚀速率明显下降．从而提高了GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比．对比了采用不同自偏压刻蚀的Al0.27Ga0.73N材料肖特基的特性．发现反向漏电流随自偏压的增大而增大．     

以单质Si、C原料制备反应烧结碳化硅的研究

以 C- Si坯体融渗 Si的方法制备反应烧结碳化硅 ,研究了坯体中 Si含量对素坯结构、物相组成以及材料性能的影响。 C转化为 Si C时的体积效应是引起坯体毛细管阻塞的主要原因。 Si粉的掺入提供了精细地调整坯体结构的手段 ,使 Si C的转化率得以提高。烧结过程研究表明 ,预掺 Si使部分 Si C的合成反应提前进行 ,反应发热得以减缓。当调整坯体中 C含量为 0 .84 g/ cm3时 ,制得了密度与断裂强度分别为 3.0 9g· cm- 3和 5 5 0± 2 5 MPa的反应烧结碳化硅材料     

反应离子刻蚀实验研究

本文报告了应用反应离子刻蚀技术制作半导体激光器件的可行性工艺方法，可以对发展半导体激光器的制作有一定的指导作用。     

动态反应池－电感耦合等离子体质谱法精确测定配分差异显著的重稀土元素

采用微波辅助消解样品,以Ｏ_２为反应气,动态反应池－ＩＣＰ ＭＳ（ＩＣＰ ＤＲＣ ＭＳ）法测定样品中Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ的含量,在选定的工作条件下,除Ｔｍ（８１.０９％）外,其他元素氧化物的产率均在９９％以上,轻稀土元素二氧化物离子产率一般都低于０.３％。研究认为,轻稀土元素（Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ）二氧化物离子对重稀土（Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ）氧化物离子的干扰可有效扣除;只有ＧｄＯ＋受到未反应的Ｙｂ＋的谱线重叠干扰比较严重。白云鄂博稀土矿石样品中Ｇｄ元素含量一般比Ｙｂ高几十倍,此干扰也可以利用干扰系数校正法扣除。轻、重稀土元素分离后ＩＣＰ-ＭＳ法的测定结果进一步验证了方法的准确性。该法检出限范围为０.００２～０.０２３μｇ／ｇ,精密度在０.８７％ ～２.１８％,完全能够满足白云鄂博稀土矿石样品中重稀土元素的分析要求。     

多晶硅的ECR等离子体刻蚀

报道了用CF4作工作气体的ECR刻蚀poly－Si技术，研究了微波功率、气体流量、气压和射频偏置功率对刻蚀速率的影响，并对实验结果进行了讨论，实验中微波等离子体功率范围在100－500W，CF4气体流量在10－50cm^3/min（标准状态下）范围，气压在0.25-2.5Pa范围，射频偏置功率在0－300W范围，对应的刻蚀速率为10.4-46.2nm/min。     

多晶硅的ECR等离子体刻蚀

报道了用CF4作工作气体的ECR刻蚀poly-Si技术,研究了微波功率、气体流量、气压和射频偏置功率对刻蚀速率的影响,并对实验结果进行了讨论.实验中微波等离子体功率范围在100～500 W,CF4气体流量在10～50 cm3/min(标准状态下)范围,气压在0.25～2.5 Pa范围,射频偏置功率在0～300 W范围,对应的刻蚀速率为10.4～46.2 nm/min.     

等离子体烧结陶瓷材料

对近年来等离子体烧结陶瓷材料的研究进行了简要论述．     

电感耦合等离子体发射光谱法在茶叶质量分析中的应用

用电感耦合等离子体发射光谱法（ＩＣＰ－ＡＥＳ）测定稀土矿区共杏（绿茶）中稀土元素并用干扰系数法校正茶叶中的无机元素及其它稀土对待测稀土元素的光谱干扰，在最佳工作条件下，测定了茶叶样品中的稀土元素含量，回收率在８８．７－１０６．９％，Ｒ．Ｓ．Ｄ小于８％，结果满意     

聚合物薄膜的大气压微等离子体射流无掩膜刻蚀工艺

为优化束斑直径在微米级的大气压微等离子体射流刻蚀工艺,自制搭建一种结构简单、操作方便的大气压微等离子体射流装置,以典型聚合物parylene-C薄膜为对象,研究大气压微等离子体射流处理parylene-C薄膜的刻蚀工艺,分析O₂流量、工作电压、工作间距和刻蚀时间等工艺参数对刻蚀线宽和刻蚀深度的影响。结果表明:增大O₂流量、工作电压、工作间距及刻蚀时间均能增大刻蚀线宽和刻蚀深度;持续增大上述工艺参数,刻蚀线宽和刻蚀深度增加不明显,甚至减小;工作电压和工作间距对parylene-C薄膜刻蚀效果的影响较大,在刻蚀过程中起关键作用,通过调整这两个参数可实现聚合物刻蚀过程的可控调节。     

氧等离子体刻蚀CVD金刚石膜

分别采用直流辉光、微波和电子回旋共振3种氧等离子体对CVD金刚石膜表面进行了刻蚀.利用扫描电子显微镜对三种等离子体刻蚀后金刚石膜表面的形貌进行了观察分析.通过对刻蚀后形貌差异的比较,探讨了它们各自的刻蚀机理,并从等离子体鞘层理论出发建立了刻蚀模型.