日本冷等静压各向同性石墨的发展

评述了日本采用冷等静压设备制造各向同性石墨的历史及其发展。介绍了日本各向同性石墨的型号、性能与应用。     

国内冷等静压各向同性石墨的发展

评述了国内冷等静压各向同性石墨的发展历史，介绍了各向同性石墨的生产企业及其产品性能与应用。     

等静压石墨的研究与探讨

等静压石墨是一种新型石墨材料。由于它具有一系列优良特性，从而使它与当今的高新技术，国防尖端技术紧密相联。它是制造单晶硅炉，金属连铸的石墨结晶器、电火花加工用石墨电极等不可替代的材料。更是制造火箭的点火极、激励极、喷嘴和舵板以及石墨核反应堆的减速材料和反射材料的绝好材料。     

美、德、法、俄、波冷等静压各向同性石墨的发展

叙述了美国、德国、法国、俄罗斯、波兰冷等静压各向同性石墨的发展历史，重点介绍了这些国家该类产品的新老品种、特点、性能及应用等情况。     

日本采用冷等静压设备制造各向同性石墨的发展

评述了日本采用冷等静压设备制造各向同性石墨的历史及其发展,介绍了日本各向同性石墨的型号、性能与应用。     

日本采用冷等静压设备制造各向同性石墨的发展

评述了日本采用冷等静压设备制造各向同性石墨的历史及其发展。介绍了日本各向同性石墨的型号、性能与应用。     

日本采用冷等静压设备制造各向同性石墨的发展

评述了日本采用冷等静压设备制造各向同性石墨的历史及其发展,介绍了日本各向同性石墨的型号,性能与应用。     

光伏产业与等静压石墨

世界要发展、能源是关键.当今由于能源短缺以及高碳排放对环境影响的双重压力,促使可再生能源,清洁能源应运而生.太阳能发电首当其冲.等静压石墨是光伏产业,制造多晶硅、单晶硅热场中不可替代的物件.配套发展,势在必行.     

等静压石墨评论

等静压石墨是炭石墨材料家族中的新成员.其成型方法与传统的热挤压、冷模压、振动成型等不同,是采用等静压机(冷、温、热)压制成型.从而给制造细结构、大规格、各向同性炭石墨材料创造了条件.它广泛应用于半导体行业、光伏产业、电火花加工、金属连铸、光纤、模具制造以及宇航和核工业,是与当今高科技发展紧密相联的不可替代的新材料,其发展迅猛,方兴未艾.     

冷等静压石墨质量控制的探讨

介绍了冷等静压石墨成型的生产工艺和原理;重点从模具包套设计、材料特性、粉末填充方式、除气、压制参数、原料配比和混捏均匀性方面分析了影响冷等静压石墨质量的因素.     

等静压成型素坯与釉面针孔的形成

利用体视显微机和偏光显微镜对釉层显微结构进行观察，并做了性能测试，结合等静压成形以及生产实际，对釉面针孔的成因进行了讨论。通过分析对比．得出高气孔率的素坯是影响釉面针孔的重要因素；在进一步的试验中，提出了克服釉面针孔的合理途径并取得了一定成效。     

水分和粘结剂含量对坯体冷等静压成型和性能的影响

以Si粉(粒度≤0.044mm)和聚乙烯醇水溶液(PVA,其中聚乙烯醇质量份数为5%)按一定比例混匀,过筛造粒,振动装料后进行冷等静压成型,研究了水分和PVA含量对硅粉坯体成型和性能的影响。研究表明:当水分含量大于1wt%时,粉料填充密度低,填充不均匀,导致压制时压缩比大,压缩不均匀,坯体外形不规整;当水分在0.5～1wt%时,硅粉填充密度较大,粉料的成型性较好,粉料中水分含量确定为0.5～1wt%。当加入的PVA的量从5wt%增加到15wt%时,坯体强度随PVA含量增加而增加;当加入的PVA的量从15%wt增加到25wt%时,坯体强度有降低的趋势,而且坯体中存在残余颗粒团聚体;当加入的聚乙烯醇溶液质量份数为15wt%时,坯体强度最大(约1.62MPa),并且不存在残余颗粒团聚体,确定粘结剂含量为15wt%。     

碳化硅陶瓷及其复合材料的热等静压氮化

通过对ＳｉＣ陶瓷，ＳｉＣ－ＴｉＣ复相陶瓷以及ＳｉＣ晶须补强ＳｉＣ基复合材料在氮气氛中进行高温的氮化处理，成功地实现了这些材料的开口气孔与表面裂纹的愈合。有关研究表明：热等静压氮化工艺可以显著提高ＳｉＣ陶瓷及其复合材料的抗强度，对断裂韧性也有较大的改善作用。     

碳化硅陶瓷的热等静压烧结

系统地研究了不同添加剂（如Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮ和Ｂ４Ｃ等）在热等静压（ＨＩＰ）烧结条件下对ＳｉＣ陶瓷之致密机理，显微结构以及力学性能的影响，结果表明：在ＨＩＰ烧结过程中，Ａｌ２Ｏ３可以与ＳｉＣ颗粒表面的ＳｉＯ２生成低共熔的铝硅酸盐玻璃相，并有效地促进ＳｉＣ陶瓷的致密化，当添加３％（以质量计）Ａｌ２Ｏ３时，采用ＨＩＰ烧结工艺，在１８５０℃温度和２００ＭＰａ压力下降结１ｈ，就可获得相对密度和抗弯强度分别     

高温等静压后处理液相烧结SiC陶瓷的强化与增韧机理

研究了高温等静压（ＨＩＰ）后处理对液相烧结ＳｉＣ陶瓷的强化与增韧机理。通过讨论ＨＩＰ后处理对材料显微结构与力学性能的影响,建立了实验模型,深入分析了ＨＩＰ氮化后处理通过中,起主导作用的物理化学过程,并将此过程分为Ｎ２的扩散、表面氮化反应及进一步的致密化三个阶段。结果表明,ＨＩＰ后处理通过受液相烧结ＳｉＣ陶瓷显微结构的影响非常显著,当ＳｉＣ的液相烧结温度较低,晶粒尺寸较小时,将有利于Ｎ２沿ＳｉＣ晶界