共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
a-C:F:H薄膜的化学键结构 总被引:1,自引:0,他引:1
使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了a-C:F:H薄膜样品.采用拉曼光谱仪、傅里叶变换红外光谱仪、X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了测试和分析.研究发现:该膜呈空间网状结构,膜内碳与氟、氢的结合主要以sp3形式存在,而sp2形式的含量相对较少;在薄膜内主要含有C-Fx(x=1,2,3)、C-C、C-H2、C-H3等以及不饱和C=C化学键;同时,薄膜中C-C-F键的含量比C-C-F2键的含量要高.在不同功率下沉积的薄膜,其化学键结构明显不同. 相似文献
2.
目的 为在高温工况下服役的含氢碳(a–C:H)薄膜的制备提供新思路。方法 首先利用DP–PECVD和BiP–PECVD两种方法分别在Si基底上制备了两种本征结构不同的a–C:H薄膜,分别在350、450、550、650 ℃下进行退火处理。通过纳米硬度、X射线光电子能谱、傅里叶转变红外光谱、激光共聚焦拉曼光谱、场发射扫描电镜及CSM摩擦试验机等,分别评价了未退火和不同退火温度下两种不同结构a–C:H薄膜的结构、表面形貌、力学及摩擦学等性能。研究了不同本征结构a–C:H薄膜对退火行为的影响。结果 DP–PECVD方法在制备a–C:H薄膜(A薄膜)的过程中具有更高的沉积速率,是BiP–PECVD法(B薄膜)的1.52倍。随着退火温度的增加,两种方法制备的a–C:H薄膜均发生H脱附,但是A薄膜的脱H转变点为450 ℃,B薄膜的脱H转变点为350 ℃。DP–PECVD法制备的a–C:H薄膜在H脱附过程中更容易形成sp3–C,而BiP–PECVD法制备的a–C:H薄膜在此过程中形成sp3–C和sp2–C杂化键的概率基本相同。BiP–PECVD法制备的a–C:H薄膜在退火过程中更容易失去H,且在450 ℃以上出现大面积剥离,摩擦失效。而DP–PECVD法制备的碳薄膜则表现出更好的热和摩擦学稳定性,在350~650 ℃均可保持薄膜的完整性,并且在350~ 550 ℃退火后保持低至约0.06的摩擦因数。结论 DP–PECVD方法制备的a–C:H薄膜具有更好的热稳定性、力学稳定性及摩擦学稳定性。 相似文献
3.
4.
采用脉冲激光沉积技术,在Si(100)基片上制备了BCN薄膜,研究了沉积温度和退火处理对BCN薄膜组分和结构的影响。利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)对制备的BCN薄膜进行了表征。结果表明:沉积温度升高时,BCN薄膜的组分无明显改变。所制备的BCN薄膜包含B—N,C—B和C—N化学键,是由杂化的B—C—N键构成的化合物。真空退火温度为700℃时,BCN薄膜结构稳定;大气退火温度达到600℃时,BCN薄膜表面发生氧化分解,同时有C≡N键形成,表明C≡N键具有较好的高温热稳定性。 相似文献
5.
采用第一性原理方法研究了金红石相TiO_2:F和SnO_2:F的电学性能。计算结果表明,TiO_2:F比SnO_2:F具有较低的形成能,说明F在金红石相TiO_2中掺杂更容易实现。然而,SnO_2:F的导带底主要由s和p电子态构成,而TiO_2:F的导带底主要由d电子态构成,这使得TiO_2:F的导带底更加平坦,使其具有更大的载流子有效质量。同时F在TiO2中的电离率更小,使得TiO_2:F中载流子浓度更少。从而在理论上预测金红石相TiO_2:F不适合做TCO材料。 相似文献
6.
用射频磁控溅射技术制备了高度择优取向的Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,并对薄膜在纯氩气中进行了400~600℃的退火处理.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、光谱仪和四探针测试仪等对退火前后薄膜进行了表征和光学、电学性能研究.研究表明,纯氩气中退火处理对ZAO薄膜的晶体、光学和电学性能有影响.原位沉积的薄膜电阻率2.59Ωcm,可见光区透过率约70%.500℃纯Ar气氛中退火1h后,ZAO薄膜的平均晶粒有所长大,薄膜内应力达到最小,接近于松弛状态;薄膜可见光区平均透过率从70%提高到80%左右;而薄膜的电阻率变化不明显,从2.59Ωcm降低到1.13Ωcm. 相似文献
7.
8.
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积方法,用甲烷、氢气、氮气的混合气体在Mo基底上成功制备了金刚石薄膜.分别采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)对不同流量氮气氛下生长金刚石薄膜的形貌、取向、质量进行了表征.结果表明:适量氮气的加入,不仅可以促进金刚石薄膜的生长速率,还可以促进金刚... 相似文献
9.
以硅为衬底,采用射频磁控溅射技术制备了TiO2薄膜,利用扫描电镜及拉曼光谱对退火前后的TiO2进行分析。退火后的TiO2具有良好的结晶特性,且呈锐钛矿结构。在此薄膜工艺条件下,以TiO2为半导体层在玻璃基底上制备了Al/TiO2/Pt肖特基二极管,并在153433K范围内对其进行I-V测试。结果表明:在所有温度下,Al/TiO2/Pt肖特基二极管均表现出良好的整流效应;其理想因子随温度升高而降低,势垒高度随温度升高而升高;在433K下,理想因子为1.31,势垒高度0.73,表明此肖特基二极管已接近理想的肖特基二极管。 相似文献
10.
利用磁控溅射法制备得到二氧化钛薄膜,将薄膜在高温管式炉中分别进行退火,利用XRD、AFM和紫外-可见光谱仪研究了不同温度下退火前后薄膜的晶相结构、光学性能和光催化性能。结果表明,随着退火温度的升高二氧化钛的晶相由锐钛矿向金红石转变,600℃时为两相共存,表面颗粒大小也会有相应变化,锐钛矿相表现出了更好的光催化性能。 相似文献
11.
利用电子束蒸发技术在玻璃衬底上沉积了Ta掺杂ITO(ITO:Ta)薄膜,对比研究了在不同退火温度下ITO:Ta和ITO薄膜表面形貌、方阻、载流子浓度、霍尔迁移率和透光率的变化情况.结果表明,随着退火温度的上升,ITO:Ta薄膜的晶化程度不断提高,并获得较低的表面粗糙度.在合适的退火温度下,ITO:Ta薄膜的光电性能也有显著的改善.当在氮气氧气氛围下经过500℃退火时,ITO:Ta薄膜得到最佳的综合性能,表面均方根粗糙度为2.17 nm,方阻为10-20 Ω,在440 nm的透光率可达98.5%. 相似文献
12.
为研究退火处理对WC-DLC薄膜结构与性能的影响,采用磁控溅射技术在高速钢表面沉积WC-DLC薄膜,并作不同温度下的退火处理,对不同温度退火处理后的WC-DLC薄膜的结构、摩擦学性能与耐腐蚀性能进行系统表征。结果表明:WC-DLC薄膜呈现出非晶态特征,随着退火温度的上升,薄膜中sp3-C相对含量下降;当退火温度在250℃时,WC-DLC薄膜在大气环境下与去离子水环境下分别表现出最优的摩擦学性能,磨损率分别为1.25×10~(-7)mm~3/Nm与1.02×10~(-7)mm~3/Nm。同时,当退火温度低于250℃时,WC-DLC薄膜的耐腐蚀性能无明显变化,但当退火温度高于250℃时,WC-DLC薄膜的耐腐蚀性明显下降。退火处理对WC-DLC薄膜的热稳定性、摩擦学性能及耐腐蚀性能有重要影响。 相似文献
13.
为制备光学性能良好的TiO2薄膜.采用离子束溅射(IBS)的方法,改变退火温度,在Si基底上制备氧化钛(TiO2)薄膜.利用XRD、XPS、SEM测试薄膜的成分、结晶形式和表面形貌,椭圆偏振光谱仪分析薄膜折射率和消光系数.试验结果发现:随退火温度的增加,薄膜由锐钛矿相变为金红石相,400℃薄膜结晶为锐钛矿相TiO2,1 100℃退火后,薄膜结晶为金红石相TiO2;退火温度升高使薄膜折射率和消光系数随之升高.由此可得, 800℃退火时,TiO2薄膜具有最佳光学性能. 相似文献
14.
Ti(C,N)薄膜的复合硬度与本征硬度的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文对不同性质的膜-基体系通过确定C的具体取值对Joensson-Hogmark模型予以修正,研究了等离子体增强化学气相沉积Ti(C,N)薄膜的硬度及其随成分组织的变化,Ti(c,N)薄膜具有较小的晶粒尺寸和较高的残余压应力,其硬度远高于一般的整体材料,在确定的工艺条件下,其值主要取决于膜的含碳量,大体成线性增加关系。 相似文献
15.
文中介绍的是400~700℃之间在基体上生长TiN膜的一种新方法,由TiCl4和NH3通过化学气相沉积形成膜,生长速度已达到0.1μm/s。这种方法用途广泛,测量了膜的光学性质,并用Drude理论对得到膜的等离子频率进行了理论上的分析,根据MaxwellGarnett改进的Drude理论解释了较薄的膜在IR区反射率的降低,对膜在热镜上和其它方面的应用进行了讨论。 相似文献
16.
甲烷浓度对金刚石薄膜织构的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
采用热丝化学气相沉积法,以甲烷和氢气为反应气体,在硬质合金YG6基体上沉积了金刚石薄膜。研究了不同的甲烷浓度对金刚石织构变化趋势的影响。分别采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对金刚石膜的表面形貌、织构形成进行了分析。结果表明:当基体温度为760℃,沉积气压为4×103Pa,甲烷浓度从1%到5%,都形成了(110)织构。但是,当甲烷浓度为3.3%时,有(100)织构。 相似文献
17.
退火对TbCo薄膜结构和磁性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:1
研究了真空退火对TbCo薄膜结构和磁性能的影响。结果表明:薄膜从溅射态的非晶薄膜转化为退火态的微晶薄膜,并以(100)面择优取向,其c轴平行于基片。在真空退火不改变TbCo薄膜的成分的条件下,发现TbCo薄膜从溅射态的垂直磁化膜转化为退火态的面内膜。 相似文献
18.
采用原子层沉积(ALD)方法在硅衬底上沉积了氧化铪(HfO2)薄膜,对其进行不同时间的微波退火(MWA)。采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见光谱(UV-Vis)、椭偏仪(SE)和阻抗分析仪对薄膜的物相结构、形貌和光电性能进行表征,研究了微波退火时间对薄膜结构、光学和电学性能的影响。结果表明:沉积态的HfO2薄膜具有非晶态性质;当微波退火时间从5 min增至20 min时,HfO2薄膜的折射率几乎不变,结晶性增强,表面粗糙度降低,但介电常数却减小。 相似文献
19.
沉积参数及退火条件对AlN薄膜电学性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
利用射频反应磁控溅射在Si(100)基底上沉积AlN介质薄膜,并在不同温度下对薄膜进行快速退火。通过抗电强度测试仪、电容电压测试C-V、X射线衍射仪、电子能谱仪、原子力显微镜和椭圆偏振仪等研究薄膜的击穿电压、介电常数、晶体结构、化学成分、表面形貌及薄膜的折射率。结果表明:溅射功率和溅射气压对薄膜的击穿电压有很大的影响,溅射功率为250 W,气压为0.3 Pa时薄膜的抗电性能较好;薄膜的成分随溅射气压发生变化,N与Al摩尔比最高达到0.845;随退火温度的增加,薄膜晶体结构发生非晶-闪锌矿-纤锌矿的转变;薄膜的折射率随退火温度的升高而增加。 相似文献