基于电阻电流镜的低压灵敏放大器设计

提出一种适用于低压快闪存储器的电流模式的低压灵敏放大器.该灵敏放大器在基准电流产生电路中使用电阻电流镜代替传统的晶体管电流镜,使得基准电流产生电路的工作电压减少了一个阈值电压,从而降低灵敏放大器的工作电压.位线电压控制电路中运算放大器的使用减少了由于温度和工艺变化所引起的位线电压变化,进而提高读取操作的精度.采用中芯国际90nm工艺设计,提出的灵敏放大器在1.2V电源电压时的读取时间是14.7ns,相对于传统的结构,单个灵敏放大器的功耗被优化了13%.     

一种适应于高性能嵌入式闪存的低压灵敏放大器

本文提出了一种适应于高性能嵌入式闪存的低压灵敏放大器,通过采用电流比较技术和自动消失调技术,该灵敏放大器在低电源电压下获得了很好的性能,改善了低电流阈值窗口存储器的读取速度。基于上海宏力半导体制造公司130nm的嵌入式闪存工艺,该灵敏放大器的感应时间在1.5V的电源电压下达到了0.43ns,其感应速度比传统的灵敏放大器提高了46%     

一种高速自控预充电灵敏放大器的设计

提出了一种用于非挥发性存储器的新型电压灵敏放大器.该电路采用一种可以自动关断、电流可控的预充电路,可以有效消除由于存储容量变大带来的巨大位线寄生电容的影响,有效提高了灵敏放大器的读取速度.经验证,该结构具有较快的读取速度,在3.3 V工作电压下,电路读取时间为11 ns.     

一种新型深亚微米电流灵敏放大器的设计

快速读取的灵敏放大器对于现代便携式电子设备极其重要.对此,设计出一种具有较快读取速度的新型电流灵敏放大器.这种灵敏放大器采用改进了的预充电电路,可以在预充电期间维持较大的预充电电流,并且采用两级放大电路对信号进行放大,使放大器的读取速度得到显著提高.采用上海宏力0.18 μm工艺在HSpice下进行仿真,结果表明:在1.8 V工作电压和室温条件下,放大器的读取时间仅为13 ns.     

一种用于嵌入式闪存的低压灵敏放大器(英文)

提出了一种适合于低电压嵌入式闪存的灵敏放大器。该灵敏放大器采用了增强电流感应的方法,使得电源电压可以降到1.5V及其以下。灵敏放大器中采用的动态位线箝位电路可以提高位线预充速度并减小功耗。本电路在0.13μm的Flash工艺中实现。测试结果表明:提出的灵敏放大器在电源电压为1.5V时,访问时间是25ns;在电源电压为1.2V时,访问时间是32ns。     

一种大规模闪存灵敏放大器的多相位预充方法

随着微电子技术节点不断向前推进,非挥发性存储器(NVM)的容量迅速增大,对读取速度的要求也日益提高。通常,在大规模快闪存储器中采用页读取模式将多个比特的数据同时读取到缓存中,再从缓存中依次输出数据。这样等效于缩短读取周期,但也会遇到瞬态功耗过大的问题。作为改进措施,提出一种新型电流型灵敏放大器的预充方法,在传统灵敏放大器的基础上,采取多相位预充的方法,分时段对位线进行预充电,将瞬态大电流平均到整个预充周期,从而在保证低功耗的同时加大页读取的容量,提高读取速度。经验证,采用该方法的灵敏放大器具有较快的读取速度、较低的功耗,在3.3V工作电压下,电路的读取时间为7ns。     

一种快速、低压的电流灵敏放大器的设计

提出了一种快速和低工作电压的非挥发性存储器的电流灵敏放大器。该电路采用自控恒流预充电路提高灵敏放大器的放大速度。TSMC的0．18μm模型库的HSPICE仿真结果表明，电路在-40℃～125℃范围内有快速的读取速度，在1V工作电压和室温下，电路的读取时间是33ns。     

一种500MHz32×32bit高速五端口CMOS寄存器堆

采用0.35μm CMOS工艺,实现了一个500MHz、32×32bit的高速五端口寄存器堆.它可以同时进行二个写操作和三个读操作,并且在同一时钟周期完成先写后读.在电流工作方式下,通过设计优化的存储单元、新型高速电流灵敏放大器以及一种灵敏放大器控制信号产生电路,提高了寄存器堆的读取速度.另外还采用了TSPC(true single-phase clock)-D触发器等高速技术来进一步加快读取速度,电路仿真结果表明该寄存器堆的读取时间为1.85ns.     

一种500MHz32×32bit高速五端口CMOS寄存器堆

采用0.35μm CMOS工艺,实现了一个500MHz、32×32bit的高速五端口寄存器堆.它可以同时进行二个写操作和三个读操作,并且在同一时钟周期完成先写后读.在电流工作方式下,通过设计优化的存储单元、新型高速电流灵敏放大器以及一种灵敏放大器控制信号产生电路,提高了寄存器堆的读取速度.另外还采用了TSPC(true single-phase clock)-D触发器等高速技术来进一步加快读取速度,电路仿真结果表明该寄存器堆的读取时间为1.85ns.     

一种高可靠电流灵敏放大器设计

提出了一种带反馈放大器的电流灵敏放大器 ,将用于放大的 NMOS管同时作为位线多路选择器( MU X) ,与一般的电流灵敏放大器相比 ,延迟时间更短 ,而且更适于低电源电压工作。同时分析了阈值电压失配对电流灵敏放大器的影响 ,结果表明 ,失配不仅可能增大灵敏放大器时延 ,甚至造成误放大 ;带反馈放大器的电流灵敏放大器能够有效地抑制阈值失配的影响 ,其性能和可靠性良好。